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项目将越来越多，发电量势必对电网的并网提出更大的挑战，如何实现逆变器对电网的友好性，是华为逆变器加入人工智能技术的原因之一。下一步，华为将继续学习逆变器并网输出阻抗的相关内容，以期达到光伏电站并网的稳定性。

等等。大家都知道，功率开关管的失效模式是过压，过温，过流。分立元器件由于器件多，元器件之间距离比较远，所以电路杂散电感大，造成工作时尖峰电压高，元器件容易出现过压损坏;多个元器件并联，阻抗不一致
，每一个元器件电流就不一样，阻抗低的元器件电流大，很容易过流;分立器件单端固定，接触面积小，散热很难保持一致，很容易过温。早期的采用分立元器件的中功率组串式逆变器，在运行过程中出现过多故障，让人们对中

二极管不导通。MOSFET的导通损耗可根据导通阻抗RDS(ON)来计算，对于给定的MOSFET系列，这与有效裸片面积成比例关系。当额定电压从600V 变化到1200V时，MOSFET的传导损耗会大大
MOSFET在工作温度下导通阻抗RDS(ON) 为100毫欧。因此在11A时，具有和IGBT的VCE(SAT) 相同的VDS。由于这种IGBT基于较旧的击穿技术，VCE(SAT) 随温度的变化不大

，还必须始终考虑体二极管的影响：在升压级的情况下并没有什么问题，因为正常工作模式下体二极管不导通。MOSFET的导通损耗可根据导通阻抗RDS(ON)来计算，对于给定的MOSFET系列，这与有效裸片面
电压VCE(SAT)只有1.1V的30A/600V IGBT。其关断损耗EOFF非常高，达10mJ，故只适合于低频转换。一个50毫欧的MOSFET在工作温度下导通阻抗RDS(ON)为100毫欧。因此在

并与p区的空穴重新结合。太阳能电池的研究人员和用户主要关注的问题是如何提高电池效率并且最大程度地提取能量。这需要用I-V测量分析性能并确定与太阳能电池的源阻抗最匹配的负载阻抗。在图3中，最佳匹配
有越来越多的能量被传输至负载。当电池安装进太阳能电池板阵列之后，负载阻抗至源阻抗的匹配变得更为重要。如果按照电池I-V特性的匹配程度排列太阳能电池，特定电池盒中的太阳能电池可以安装进同一个阵列。这样