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Shell目前在宫崎县1厂的太阳能面板厂，系采用铜、铟等金属化合物制造，年产能为20MWp，预计2009年6月开始运作的宫崎2厂，年产能预计为60MWp。
对此有太阳能企业表示，Shell于2006年出售其传统结晶硅太阳能电池产能给Solarworld，转而投入薄膜太阳能领域，推测主要即是认为近2年结晶硅太阳能会深受多晶硅缺料之苦，进而押注较具长期发展契机的铜铟镓硒

另外4个在建项目则采用“物理法”提纯技术(对冶金级的硅进行造渣、精炼、酸洗等方式，将杂质去除，硅不参加化学反应)，另外还有一批原先生产金属硅的企业，目前也在尝试通过物理法提纯多晶硅。
其市场份额虽然只占整个光伏市场的不足15%，但随着非晶硅材料的衰减降低、铜铟镓硒(CIGS)和碲化镉(CdTe)制造技术获得突破，非晶硅太阳能电池将对晶体硅材料正变得更加具有替代性。

IBM公司的研究人员在芯片和冷却块之间施加了一种非常薄的、由镓和铟化合物制成的液体金属层。这种被称为热界面层的金属层把来自太阳能电池板的热量转换至冷却块，以保持真正低的芯片温度。
研究人员利用为半导体行业研发的各种方法，把商用太阳能电池与IBM的液体金属热冷却系统结合起来，从而开发出一种实现“突破”的系统。

铜铟镓二硒化物（CIGS）薄膜太阳能电池系将半导体材料的极薄层涂复于低成本的背衬材料上，如玻璃、柔性金属薄片、耐高温的聚合物或不锈钢片材之上。
开发的铜铟镓二硒化物（CIGS）薄膜太阳能电池的效率达到19.9%，创造了这类电池的世界新记录，这是一个重要的里程碑。多晶硅基太阳能电池效率可高达20.3%。

通常金属氧化物都是绝缘材料，只有铟锡氧化物是个例外，因此被广泛用作半导体材料。在太阳能电池生产加工中，其导电层一般要通过特殊的表面处理，如在氧化锌表面采用高温化学气相沉积法。
鲁尔大学物理学家克利斯托夫沃尔在实验中偶然发现，少量的氢在常温下就能使太阳能电池的导电层表面金属化。这一发现类似于甲烷合成反应中氧化锌表面的化学特性。

、硫化工艺设备，据了解，Johanna首期30MW铜铟镓硫硒(CIGSSe)电池产能已于07年第三季投产，为目前全球最大的CIS类薄膜电池生产线，产品转换效率逾10%，优于a-Si类产品，公司与其合作成功机会大增
30MW产能08年第三季投产)及60MW(CIGSSe电池，预计09年第三季投产)的产能扩充计划，其中CIGSSe电池产线是从德国Johanna(aleo持有Johanna19%股权)直接引进关键的溅射金属预制层再硒化

美国Nanosolar宣布全球首次使用印刷技术量产CIGS（铜铟镓硒）型太阳能电池模块，并已开始供货。新电池模块的特点是生产成本非常低，每瓦发电量所需面积的成本仅0.99美元。
此次，Nanosolar使用金属箔作为底板，使用卷对卷式印刷技术制造了CIGS型太阳能电池。“经过5年的开发与实验，现在终于最终能够推出产品、收回开发成本了”（Nanosolar）。

铜铟硒薄膜太阳能电池以玻璃或其它廉价材料为衬底，金属化合物薄膜厚度仅3～4微米，其光电转换效率较高，而资源消耗低、环境污染少。
　　由天津南开大学孙云教授主持的“铜铟硒薄膜太阳能电池试验平台与中试线”项目，日前被科技部列为国家863计划新立项课题，并获得1557万元的滚动经费支持，成为此次国内能源技术领域新立项课题中所获资助额最高的项目

但是这种电池的原材料之一镉对环境有较强的污染，与发展太阳电池的初衷相背离，而且硒、铟、碲等都是较稀有的金属，对这种电池的大规模生产会产生很大的制约。
作为单晶硅电池的替代产品，现在发展了薄膜太阳电池，其中包括非晶硅薄膜太阳电池，硒铟铜和碲化镉薄膜电池，多晶硅薄膜太阳电池。

(4)大面积光伏纳米电池：1991年瑞士M.Grtzel博士领导的研究小组，用纳米TiO\-2粉水溶液作涂料，和含有过渡族金属有机物的多种染料及玻璃等材料制作出微晶颜料敏感太阳能电池，简称纳米电池。
印度于1995年推出了一项制氢计划，投资4 800万美元，在每年有300个晴天的塔尔沙漠中建造一座500kW太阳能电站制氢，用光伏-电解系统制得的氢，以金属氧化物的形式贮存起来，保证运输的安全新能源。

但是这种电池的原材料之一镉对环境有较强的污染，与发展太阳电池的初衷相背离，而且硒、铟、碲等都是较稀有的金属，对这种电池的大规模生产会产生很大的制约。
作为单晶硅电池的替代产品，现在发展了薄膜太阳电池，其中包括非晶硅薄膜太阳电池，硒铟铜和碲化镉薄膜电池，多晶硅薄膜太阳电池。

其中，碲化镉(CdTe)和铜铟硒(CuInSe2)被认识是两种非常有前途的光伏材料，而且目前已经取得一定的进展，但是距离大规模生产，并与晶体硅太阳电池抗衡需要大量的工作去做。
但是铸造多晶硅太阳能电池的转换效率略低于直拉单晶硅太阳能电池，材料中的各种缺陷，如晶界、位错、微缺陷，和材料中的杂质碳和氧，以及工艺过程中玷污的过渡族金属被认为是电池转换效率较低的关键原因，因此关于铸造多晶硅中缺陷和杂质规律的研究