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，氩等离子体进入生长腔后，在磁场作用下轰击靶材，靶材升华形成蒸气实现薄膜沉积。
此外，RPD 方法还具备低沉积温度、高速生长等优点，缺点在于进口的设备成本较高。作为PERC与异质结技术全覆盖的设备厂商，捷佳伟创更清楚两种技术路线的上限分别在哪里。

反应温度和直流自偏压降低，能够减小等离子体的离化程度以及轰击效应，且有利于生成更多的反应前驱物，保证了薄膜优质生长，薄膜缺更少、致密性更佳、电导率更高。
设备预热腔室和沉积腔室配有原位加热元件，沉积温度可控制在 200℃左右，薄膜厚度均匀性可控制在 5%以内。

2018年8月捷佳伟创上市时披露的招股书显示，根据中国电子专用设备工业协会统计，2017年，捷佳伟创在中国半导体设备行业十强单位中销售收入排名第三，其设备类销售收入占国内太阳能电池设备(含晶硅材料加工生长设备和晶硅太阳能电池芯片制造设备

尽管单晶钙钛矿薄膜的柔性并非特别出色，但已经有希望应用于高效柔性薄膜太阳能电池和可穿戴设备中。单晶钙钛矿薄膜弯曲测试示意图。
生长过程遵循台阶流模式，简单地说，晶体逐层生长，成核位置优先发生在各层台阶的边缘。其中就涉及到使用刻印来图案化聚合物薄膜，作为外延生长掩模。有机-无机杂化钙钛矿的可控同质外延生长SEM图像。

《科创板日报》记者了解到，增加背钝化层，可以降低背表面符合，提高背内面反射率，而常用的介质钝化材料除了氧化铝外，还包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅，其中氧化铝薄膜生长及工艺率先取得突破。
目前，理想晶延已经推出了原子层沉积(ALD)设备、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备、铜铟镓硒(CIGS)蒸镀等太阳能电池生产中关键工艺设备及相关辅助设备、应用于光电子领域的金属有机物化学气相沉积

设备运行10天后，使用吸尘器对设备内部进行彻底清理，以免硅片碎片或粉尘长期堆积造成机构堵塞、电气短路等。 3. 相机光源设备每运行一周，定时检查相机光源是否有污染。
1.2 激光开槽作用激光开槽是利用激光在硅片背面进行打孔或开槽，将部分AL2O3与SiNx薄膜层打穿露出硅基体，背电场通过薄膜上的孔或槽与硅基体实现接触。

虽然砷化镓太阳能电池的质量比功率超过了 300W/kg，而采用卷对卷技术，生长在柔性薄膜衬底上的非晶硅太阳能电池的质量比功率可高于 1000W/kg。
2014 年，日本 SHARP 公司通过创新的工艺技术，研制出了AM0 条件下光电转换效率 31.5%的反向生长晶格失配薄膜三结砷化镓太阳能电池，电池样品如图。