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发电能力支撑组件溢价：通过电站收益测算并结合产业实际，可以得到在同容量场景下，HJT电池转换效率每提升1%，异质结组件合理溢价增加0.05-0.06元/W，在同面积场景下，合理溢价的敏感度则提升
至0.15-0.16元/W;同时HJT电池抗衰减性能可为组件提供约0.08元/W溢价;而发电增益每提高1个百分点，组件溢价可增加约0.03元/W。在HJT电池23.5%量产转换效率、25年

、降低制备成本并提高晶圆基板的使用寿命;利用先进电池模块原型制造设施，来提高发射极和背面钝化电池(PERC)制造工艺水平，降低生产成本;针对背接触的CdTe太阳电池开发高性能背接触材料和工艺，以在减少
电池性能;III-V族太阳电池衬底的回收再利用技术研发，降低制造成本;开发高性能的发射极和背面钝化CdTe电池，并研究其局域的载流子动力学行为;开发新型、低成本、环保型的天然石英石转变高纯硅的生产技术

钎焊温度冲击，焊接拉力应大于1N/mm ⑤在长期光照条件下，保持电极体电阻的稳定，并保证与组件封装材料间的化学稳定性。基于以上技术要求，目前HJT行业均采用树脂固化型的低温银浆制作电池的正
问题，且产品开发速度略逊于KE公司。随着最近几年汉高将资源转移至叠瓦组件使用的ECA导电胶市场，其HJT低温银浆已逐渐淡出市场。另日本Nanotech、杜邦、贺力氏均有开发过HJT低温银浆产品，但

商业化应用前仍然有许多挑战需要解决。此外，新型电池架构的出现，如双面进光太阳电池、钝化发射极背面接触电池(PERC)等，使得获得更高光电转换效率水平成为可能，给晶硅电池市场带来挑战，推动市场发生
和防止组件性能退化的创新方法，以及太阳能电池板的回收利用。三、技术进步、良好市场环境和健全政策支持有助于充分释放太阳能光伏潜力 1、技术解决方案以及良好的市场环境对于未来电网集成占比不断提高的

跨界融合，新能源+区块链，新能源+大数据等新的应用模式也将会层出不穷。从新能源技术革新的角度来看，高效率、高可靠性的产品逐渐成为主流。比如采光性、耐候性佳，可靠性高，正面、背面都可受光发电的双面组件
，其投资回报率更高，系统集成后系统发电功率相对于传统单面组件电站的增益约为4%-30%。从新能源商业模式的角度来看，探索多样化的跨界融合方式成为大趋势。上海迪士尼乐园就是一个很好的例子。乐园采用的

96%，背面发电的优势明显。 (3)高效率目前HIT电池的实验室效率已达到23%，市售200W组件的电池效率达到19.5%。 (4)高稳定性HIT电池的光照稳定性好，理论研究表明非品硅薄膜/晶态硅
a-Si：H膜(膜厚5-l0nm)和背面侧的i-n型a-Si：H膜(膜厚5-l0nm)夹住晶体硅片，在两侧的顶层形成透明的电极和集电极，构成具有对称结构的HIT太阳能电池。图表1：HIT太阳能电池结构

技术是如何超越传统的单晶组件的。什么是PERC技术? PERC(PassivatedEmitterandRearCell)电池，全称为发射极和背面钝化电池，是从常规铝背场电池(BSF)结构自然衍生
PERC技术通过在电池背面附上介质钝化层，可以较大程度减少这种光电损失，从而提升光伏电池1%左右的光电转换效率。与需要在晶体层面突破的另一种电池 - 钙钛矿光伏相比，PERC是电池和组件组装方面的一项创新

太阳能电池。在Hevel的研发中心进行了对ITO溅射磁控管靶的各种化学计量含量的研究。发现提高背面ITO层透明度并减薄厚度可以提高电池效率，这是因为能够更好利用IR部分光谱的光线。这一改进可以使组件
摘要异质结技术是目前硅光伏行业积极讨论的热门话题。Hevel最近成为首批采用其旧的微晶组件生产线用于生产高效硅异质结(SHJ)太阳能电池和组件的公司之一。根据Hevel自身的经验，本文将介绍从

地面反射光、空气散射光等，折射光照到组件背面以增加发电量。 Q：与欧美国家相比，中国光伏产业发展如何? A：得益于技术进步和成本降低的速度，在部分国家和地区，光伏发电已成为当地最便宜的电力
例子，10年前隆基做单晶硅片单价是100元/片，如今只需3.1元/片;组件价格从30多元/瓦降至不到2元/瓦，且性能大幅提高;过去1.6平方米组件输出功率约是230瓦，如今已不低于300瓦，还能双面发电，利用

实现最低的度电成本。从技术方面来看来看，HDT电池片功率温度系数低，为-0.235%，在高温环境下HDT的发电量与传统电池相比可增加6-10%。优异的双面性能使HDT电池片背面可增加10-20%的
发展潜力，其在材料、装备、工艺、组件方面的技术协同创新空间巨大，钧石能源的二代产品将HDT与IBC技术进行结合，实现了25%以上的实验室效率，刘红表示，二代产品将在明后年实现量产。提问环节 Q

异质结电池一般是以 N型硅片为衬底，在正面依次本征富氢非晶硅薄膜和N型非晶硅薄膜，然后在背面依次沉积本征非晶硅薄膜和P型非晶硅薄膜。在非晶硅薄膜两侧再沉积80-100nm的透明导电氧化物薄膜 TCO
PID。 N型硅片掺磷，不会产生硼氧复合体和铁硼复合体，光致衰减LID很小。 HIT电池的首年衰减和年均衰减均低于PERC电池，并得到电站发电实证。 2.3 低温度系数组件