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为主力产品，产品优势在于容易与建筑、屋顶结合应用。FY2007宣称其电池效率最高可达13%，模组效率最高可达8.5%。其贩售的商业化产品如PVL-68模组，发电68W、效率6.1%、大小为2849mm
，2007年产量21MW，为薄膜太阳能电池厂商第五大，也是前十大薄膜太阳能电池厂商中唯一商业化量产销售a-Si/μc-Si堆叠式产品的厂商。SHARP的薄膜太阳光电部门成立于2005年，约30名员工，2007

电池，铜铟镓二硒电池CIS/CIGS, 镉碲薄膜电池CdTe, 染料敏化电池DSSC 生产技术及研究设备 B、光伏电池：光伏电池
产量为4000.5 MWp。据统计，到目前为止，中国有近50家公司正在建设、扩建和筹建以西门子改良法为技术路线的多晶硅生产线，总建设规模超过10万吨，总投资超过1000亿。2007年中国太阳电池

%用于出口，内需严重不足。这使得我国太阳能电池产业受制于国外。最后是政策和法律的支持。这也是解决我国内需不足的有效方法。一些发达国家均有《上网电价法》，并列出具体措施以鼓励社会发展太阳能电池的应用
来源，使得多晶硅太阳能电池仍将是主流。随着多晶硅供需平衡，多晶硅价格会迅速恢复到合理价位，从而使硅太阳能电池价格下降，发电成本降低。随着硅太阳能商业化电池效率的不断提高，商业化电池硅片厚度持续降低和

能耗，采用SiCl4氢化和尾气干法回收工艺，降低了原辅材料的消耗。根据驰昂咨询公司的统计，国内在建和已经运行的44个较大型项目中，有40个采用的是改良西门子法，其技术大多数来源于峨嵋半导体厂、洛阳中硅
了很多生产经验，其产品成本大多在25-30美元公斤。而国内厂商虽然在控制系统、自动化程度等设备上相差不多，但核心技术，如还原、氢化、回收等工艺都还有较大差距。再加上比较高的电价(大多数在0.3元

产业化条件。化合物半导体（砷化镓、硫化镉、硒铟铜、碲化镉）太阳能电池，既可以制成高效或超高效太阳能电池，又可制成低成本大面积薄膜太阳能电池。目前，世界上光电转换效率最高的是化合物半导体
，1957年开始大规模工业生产，在生产多晶硅厂中采用西门子法工艺的工厂最多。改良西门子法是在传统西门子法工艺基础上发展起来，主要包括氢化、精馏提纯、还原及尾气干法回收。其流程特点是采用闭路循环系统，用氢

瓶颈，而其中太阳能电池成本占整个光伏发电系统成本比例最高。在这样的背景下，寻求低成本太阳能电池成为光伏产业发展的趋势。目前我国降低太阳能电池成本的主要发展方向是实现多晶硅的国产化，以及在技术上
实现晶体硅太阳能电池朝着高效率化、薄片化、大面积化的方向发展。政策推动因素渐明国际经验表明，国家能源政策和发展战略的支持是光伏产业发展的先决条件。光伏产业发展比较好的德国和日本，就是通过政府

的发电成本仍是传统能源发电成倍的8倍左右，完全依靠市场驱动的话，光伏产业将举步维艰，所以政策扶植成为当前推动光伏市场的增长的主要动力。以德国为例，1990年，德国议会批准了《电力购买法》，并启动
1000屋顶计划，德国光伏产业开始起步。2000年，德国议会通过了《可再生能源法》，并于2004年进行了修订，施行购电补偿法，根据不同的太阳能发电形式，政府给予为期20年，0.45-0.62欧元/度的补贴

太阳能必将改变人们的生存方式，最终将人类带出传统的燃火时代”。　　进入21世纪，中国政府也开始出台政策鼓励发展利用太阳能，《可再生能源法》从2006年1月1日起生效，政府宣布其目标是到2020年要使生产
(YingLi solar)、晶澳太阳能（JAsolar）、中电电气(CEEG)、上海太阳能科技(SEC)、上海电气(Topsolar)为代表的具有自主创新能力与较大产业化规模的光伏企业。　　SNEC热忱

替代产品，其中多晶硅薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池是较好的选择。　　制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺。多晶硅
；聚合物多层修饰电极型太阳能电池；纳米晶太阳能电池等。多元化合物薄膜太阳能电池主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。其中，硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜

头尾料，不能满足光伏工业发展的需要。同时硅材料正是构成晶体硅太阳电池组件成本中很难降低的部分，因此为了适应太阳电池高效率、低成本、大规模生产化发展的要求，最有效的办法是不采用由硅原料、硅锭、硅片到
分析，世界薄膜太阳电池市场年增长率为22．5％。BP solar的光伏专家和企业界人士组成的一个研究组研究证明：如果一家具有60MW生产能力的薄膜电池生产厂家，使用硒钢铜薄膜太阳电池、非晶硅太阳电池

多晶硅膜。可以看出，这种ＣＶＤ法制备多晶硅薄膜太阳电池的关键是寻找一种较好的再结晶技术。到目前为止，再结晶技术主要有以下几种：（１）固相晶化（ＬＡＲ）法（２）区熔再结晶（ＺＭＲ）法（３
）激光再结晶（ＬＭＣ）法固相晶化法需对非晶硅薄膜进行整体加热，温度要求达到１４１４℃的硅的熔化点。该法的缺点是整体温度较高，晶粒取向散乱，不易形成柱状结晶。区熔再结晶法需将非晶硅整体加热至一定

缓变层。此层的最佳制备方法是交替淀积与氢处理法。（5）低缺陷低氢含量的i层。用精确控制掺杂浓度的梯度掺杂法，使离化杂质形成的空间电荷与光照产生的亚稳空间电荷中和，保持稳定均匀的内建电场。这是从器件结构
材料第一次在光电子器件领域崭露头角是在1950年。当时人们在寻找适用于电视摄像管和复印设备用的光电导材料时找到了无定形硒（a一Se）和无定形三硫化锑（a一SbS3）。当时还不存在非晶材料的概念及有关的

薄膜太阳能电池和非晶硅薄膜太阳能电池是较好的选择。　　制备多晶硅薄膜电池多采用化学气相沉积法，包括低压化学气相沉积（LPCVD）和等离子增强化学气相沉积（PECVD）工艺。多晶硅薄膜电池由于所使用的硅材料
；纳米晶太阳能电池等。多元化合物薄膜太阳能电池主要包括砷化镓III-V族化合物、硫化镉、硫化镉及铜锢硒薄膜电池等。其中，硫化镉、碲化镉多晶薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高，成本较单晶硅电池低