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综合
金刚石切割线技术在光伏市场的应用展望
来源:索比光伏
发布时间:2018-03-07 09:19:27
单晶硅在硅片市场中占比的提升 根据CPIA 的数据,单晶硅2017年在硅片市场中的市占率为31%,金刚线切占比达到100%,所以单晶硅片金刚线的发展未来主要来自于单晶硅在
硅
片中
市占率的提升。
金刚石切割线
天合光能企业社会责任实践
来源:索比光伏
发布时间:2018-02-02 14:13:29
索比光伏网讯:天合光能有限公司(TSL) 是一家专业从事晶体硅太阳能组件生产的制造商和系统集成商。公司于1997年创立,2006年12月19日在美国纽交所上市。
他在发言中表示:今天我们修建了一条常州人与乌恰人的连心路,今后我们将继续秉承社会责任,发挥全球光伏行业领军企业的优势,为新疆的能源及电力供应做出更多贡献,与各方一起共同合作,在新疆这
片中
国光照最好的土地上
天合光能企业社会责任实践
大功率半导体,“湖南智造”领先世界——南车株所实现IGBT产业化
来源:索比光伏
发布时间:2018-02-02 14:09:46
该公司还将与国内其他单位及 相关科研院所一道,开展碳化硅电力电子器件集成制造技术研发与 产业化、6英寸碳化硅单晶材料研发与产业化及其在大功率IGBT等 器件中的应用研究。
一块光碟大小的硅片上,整齐排列着128个指甲大小的芯片,这就是具有世界领先水平的IGBT芯 片。
大功率半导体,“湖南智造”领先世界——南车株所实现IGBT产业化
Solarbuzz预计2013年太阳能硅片产量增长19%
来源:索比光伏
发布时间:2018-02-02 14:09:04
预计多晶
硅
片中
短期内将继续主导硅片市场,但基于单晶硅片的高效太阳能电池组件仍然受到安装空间有限的下游项目青睐,并因其高效而售价高于标准的多晶组件。
然而,对比多晶硅片,要增加单晶硅片的市场份额还需要改进单晶硅棒的生产,并进一步提高组件效率。Charles Annis 补充道:多晶硅片厂商不断的改善铸锭工艺并且研发新的高效多晶硅片。
Solarbuzz预计2013年太阳能硅片产量增长19%
凤凰光伏推出量产的单晶硅片
来源:索比光伏
发布时间:2018-02-02 14:06:52
凤凰光伏准单晶硅片的基本参数是:在P型
硅
片中
,尺寸为156156mm,电阻为0.53.cm,少子寿命2s,厚度为200m20和180m20两种,TTV30m,弯曲度15m,大晶粒晶向1005。
石坚先生表示,凤凰光伏并不满足于提供硅片,而是希望成为硅片材料解决方案供应商,满足不同高效电池对硅片的需求。
凤凰光伏推出量产的单晶硅片
PERC电池,用发电能力征服世界
来源:索比光伏
发布时间:2018-02-01 09:52:29
晶硅组件都存在光致衰减(LID)问题,从组件厂家的质保承诺来看,首年功率衰减一般不高于2.5%或3%,主要原因是p型
硅
片中
的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。
在大同领跑者基地里,单晶占63%,多晶占37%,涉及到技术的路线有:单晶常规,单晶+perc,单晶+双玻,单晶+N型+双玻双面,多晶常规,多晶+黑硅,多晶+无栅,多晶+黑硅+双玻等。
PERC电池
导致组件功率衰减的罪魁祸首是谁?
来源:索比光伏
发布时间:2018-01-26 14:22:54
普遍认为的衰减机理为硼氧复合导致,即由p型(掺硼)晶体硅片制作而成的光伏组件经过光照,其
硅
片中
的硼、氧产生复合体,从而降低了其少子寿命。
在光照或注入电流条件下,
硅
片中
掺入的硼、氧越多,则生成复合体越多,少子寿命越低,组件功率衰减幅度就越大。
光伏组件
中环股份沈浩平:光伏三十年(附中环发展规划解密)
来源:索比光伏
发布时间:2018-01-06 16:58:03
硅片降成本主要是三个趋势:硅片减薄、尺寸做大和采用N型硅片,中环在这些方面的技术与规模优势都很明显。
1984年,沈浩平对区熔法硅单晶技术进行创新,开始研制3英寸及以上区熔硅单晶、CFZ硅单晶、变径区熔硅单晶、无旋涡缺陷区熔硅单晶,为后来公司成为该领域的国内排名第一、国际排名第三的领军企业并承担国家极大规模集成电路制造装备及成套工艺
中环股份
干货 | 组件常见EL缺陷
来源:索比光伏
发布时间:2017-12-28 18:25:02
此类现象是由于硅材料中硅的平衡少数载流子浓度偏低,从而降低了该区域的EL发光强度。
给晶体硅电池组件通入1-1.5倍Isc的正向电流,硅片会发出1000-1100nm的红外光,同时摄像头可以捕捉到这个波长范围内的光并在电脑上成像。
光伏组件
光伏电池为什么会衰减?
来源:索比光伏
发布时间:2017-12-25 13:51:57
光致衰减机理 P型(掺硼)晶体硅光伏电池的早期光致衰减现象是在30多年前观察到的,科学研究发现它与
硅
片中
的硼氧浓度有关,大家基本一致的看法是光照或电流注人导致
硅
片中
的硼和氧形成硼氧复合体,从而使少子寿命降低
光伏电池为什么衰减
什么是PERC光伏电池?
来源:索比光伏
发布时间:2017-12-21 17:38:34
单晶PERC电池的衰减主要与B-O缺陷对有关,通过降低
硅
片中
的氧含量,采用掺Ga代替掺B可有效控制光致衰减。而多晶PERC的光致衰减还未研究清楚。
无论单晶硅还是多晶硅,未来不断改善拉晶/铸锭工艺,提高硅片质量,制造出高质量单晶硅片及高质量多晶硅片,将是PERC及其他高效电池的发展方向。
什么是PERC光伏电池
光伏电池组件最大输出功率受哪些因素影响?
来源:索比光伏
发布时间:2017-12-20 10:09:16
不同种类电池的光致衰减程度不同: P型(硼掺杂)晶硅(单晶/多晶)
硅
片中
,光照或电流注入导致
硅
片中
形成硼氧复合体,降低了少子寿命,从而使得部分光生载流子复合,降低了电池效率,造成光致衰减。
光伏电池组件最大输出功率
【科普】什么是光伏电池光衰?
来源:索比光伏
发布时间:2017-12-19 17:05:12
导致这一现象发生的主要原因是P型(掺硼)晶体
硅
片中
的硼氧复合体降低了少子寿命。
特别是最近几年,科学研究发现它与
硅
片中
的硼氧浓度有关,大家基本一致的看法是光照或电流注人导致
硅
片中
的硼和氧形成硼氧复合体,从而使少子寿命降低,但经过退火处理,少子寿命又可被恢复,其可能的反应为: 据文献报道
光伏电池光衰
防患于未然!光伏组件这22个质量问题如何预防
来源:索比光伏
发布时间:2017-12-12 09:25:28
2.多晶硅组件 多晶硅组件的制作工艺与单晶硅差不多,但是多晶硅的光电转换效率则要降低一些。
3.非晶硅组件 非晶硅组件也就是我们所说的薄膜组件,它的制作工艺过程大大简化,硅材料消耗很少,电耗更低,它的主要优点是在弱光条件也能发电。但非晶硅太阳电池存在的主要问题是光电转换效率偏低。
光伏组件
光伏行业2017年总结(一):金刚线本质上是有利于单晶的产业革命
来源:索比光伏
发布时间:2017-12-11 00:00:00
48=0.583;而应用金刚线切割以后,由于其细、锋等特点,使得单晶准方锭出片量提升至65片/kg的水平,多晶小方锭的出片量提升至59片,此时一张单晶
硅
片中
包含长晶成本75?
,多晶片的酸制绒工艺并不有利于降低硅片反射度,所以对于金刚线切割生产的多晶硅片需要额外叠加黑硅或者添加剂技术。
金刚线
光伏行业2017年总结(一):金刚线本质上是有利于单晶的产业革命
来源:索比光伏
发布时间:2017-12-10 09:48:58
;而应用金刚线切割以后,由于其细、锋等特点,使得单晶准方锭出片量提升至65片/kg的水平,多晶小方锭的出片量提升至59片,此时一张单晶
硅
片中
包含长晶成本7565=1.15,一张多晶硅片包含铸锭成本2859
单晶硅片
【干货】光伏组件的三大类问题检测方法
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-30 15:26:33
该仪器利用晶体硅的电致发光原理,利用高分辨率的CCD相机拍摄组件的近红外图像,获取并判定组件的缺陷。EL检测仪能够检测光伏电池组件有无隐裂、碎片、虚焊、断栅及不同转换效率单片电池异常现象。
隐裂形成原因及光伏组件检测方法 隐裂是指电池
片中
出现细小裂纹,电池片的隐裂会加速电池片功率衰减,影响组件的正常使用寿命,同时电池片的隐裂会在机械载荷下扩大,有可能导致开路性破坏,隐裂还可能会导致热斑效应
光伏组件检测
太阳能电池片科普系列——烧结篇
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-29 17:10:21
2、烧结时会有一定量的H从
硅
片中
逸出,必然减弱H对硅片的钝化作用。所以要有激冷的步骤以避免过多H的逸出。3、高温前,一定要保证浆料中的有机物已经经过烘干并挥发干净。
,形成合金系统,当温度下降到一定范围时,合金系统中硅原子会重新结晶,在硅片和金属电极之间形成外延层,形成良好的欧姆接触。
太阳能电池
太阳能电池片科普系列——(镀膜)PECVD篇
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-27 12:15:34
所用的活性气体为硅烷SiH4和氨NH3。这些气体作用于存储在硅片上的氮化硅。可以根据改变硅烷对氨气的比率,来得到不同的折射指数。
由于光伏级硅材料中不可避免的含有大量的杂质和缺陷,导致硅中少子寿命及扩散长度降低,从而导致电池的转换效率下降,H能与硅中的缺陷或杂质进行反应,从而将禁带中的能带转入价带或者导带。
太阳能电池
见仁见智 双玻组件真的没有隐裂吗?
来源:索比光伏
发布时间:2017-11-16 00:00:00
硅片受力不均产生隐裂 导电胶、背接触技术降低隐裂几率 晶硅光伏组件中的电池片为什么会产生隐裂呢?某组件厂资深业内人士表示,当硅片受力不均匀时,就会在
硅
片中
产生应力。
随着受力不均匀的增加,
硅
片中
的应力也会相应增大,当应力增大到一定程度时,硅片内部结构承受不住所产生的应力,隐裂就出现了。
见仁见智
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