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四氯化硅不能自然降解，如果将四氯化硅倾倒或掩埋，水体将会受到严重污染，土地会变成不毛之地)。这还不包括大量氯气等其它易燃易爆有毒气体。每生产1KW太阳能电池板需耗费10Kg多晶硅，产生80Kg以上
生产厂家的四氯化硅少部分以低价卖给下游厂家，一部分存储，一部分则偷偷掩埋。这还不包括硅片后期处理的其它辅料。如制绒过程中用到的各种强酸强碱溶液、扩散使用的三氯氧磷、PECVD中使用的硅烷等，这些辅材

反应器西门子反应器一直是生产半导体级硅的主要工具。工艺采用含有纯硅棒的钟罩反应器，硅棒通过电加热到约1100℃（图3）。TCS和氢气的混合物引入钟罩反应器内，气体反应在棒上形成Si。可以用硅烷替代
。更先进的多尺度详细模型及流程和辐射的详细仿真给出了对工艺的进一步深入了解，减低生产总成本。淀积：流化床反应器流化床反应器包含直径100m的粒状硅籽晶微粒。用硅前驱气体（通常是TCS或硅烷）与氢气一道

反应的气体增加，到达基片表面的反应产物增多，同时压强适当提高，反应室内的等离子体密度增大，反应气体中活性粒子增多，从而得到高沉积速率、高质量的非晶硅薄膜。但当工作压强进一步上升到较高值时，等离子体密度
增加不大，使反应气体活性变弱，电子或离子的平均自由程比较短，将会发生大量电子或离子与原子团(包括SiH4、SiH3、SiH2、SiH、H2、H)之间的碰撞，这种大量的碰撞导致它们之间的聚合，形成(SH2

，等离子产生的高硅烷（HOS簇）会进入膜中，引起光劣化。因此，日本产综研将等离子CVD反应器内用网状金属隔开，使等离子区远离基板。这样扩散速度较慢的簇状高硅烷就会被排出去，不会到达基板。另外，此次方法的
最大课题是成膜速度变慢。普通的成膜速度在0.3nm/sec左右，而此次方法则降至0.03nm/sec，仅为前者的1/10。据介绍，这点可通过增加气体流量等改进措施加以改善。

CVD进行成膜时，等离子产生的高硅烷(HOS簇)会进入膜中，引起光劣化。因此，日本产综研将等离子CVD反应器内用网状金属隔开，使等离子区远离基板。这样扩散速度较慢的簇状高硅烷就会被排出去，不会到达基板
。另外，此次方法的最大课题是成膜速度变慢。普通的成膜速度在0.3nm/sec左右，而此次方法则降至0.03nm/sec，仅为前者的1/10。据介绍，这点可通过增加气体流量等改进措施加以改善。

生产成本，提高企业竞争力。而美国LXE技术公司正是太阳能产业里冷氢化、TCS合成、电子级TCS制备和硅烷等多晶硅行业的多项技术提供商之一。LXE公司总部位于新泽西，在休斯敦和拉斯维加斯设有办公室。目前的
)1948年，联合碳素UCC的分公司林德气体为了找到一种合成TCS的方法而最先开发了冷氢化技术，但在当时生产TCS是为了制备有机硅而非高纯硅。(2)1950~1960，林德公司在西维吉尼亚建了一个用冷

Silicon为太阳能产业领先垂直整合公司REC可再生能源公司的分公司。REC Silicon是世界上规模最大的硅材料生产商之一，其生产的太阳能和电子级多晶硅及硅烷气体，是光伏、电子等行业重要的原料。其
在美国的两个工厂多晶硅产量每年2.05万吨，而硅烷年总产能超过2.9万吨。晶盛机电自成立以来，一直致力于光伏产业链上游产品硅材料晶体生长设备的自主研发、制造及销售，公司主要产品包括全自动单晶硅生长炉

200兆瓦。全国人大代表，共创集团、共创光伏董事长谢辉说，项目首期50兆瓦产能达产后，预计每年可实现集成销售10亿元，年利税1.5亿元。每年可节省标煤约2.4万吨，减少近6万吨二氧化碳的排放。项目投产将带动主要生产原料超白玻璃、氮气、硅烷气体等相关产业的发展，并直接提供200多个就业岗位。

多晶硅企业在能耗和环保方面都不能达标。除了多晶硅环节，在下游的200多家光伏组件企业中，也只有少数几家上市企业发布了企业社会责任报告，披露了其能耗水平和三废（气体废物、固体废物、液体废物）排放情况。这
多晶硅高污染的质疑，其实是不了解现代光伏设备的生产工艺所致。目前关于光伏设备的污染，最突出的是多晶硅生产过程中产生的四氯化硅是有毒气体，遇水反应生成盐酸，接触地面土壤酸化板结，导致寸草不生。但实际上，若