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值得一提的是，该电池采用了基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制备的新型多晶硅化物薄膜，可显著增强表面钝化、降低中长波段寄生吸收，同时兼顾载流子选择性收集，能够全面提升填充因子、短路电流及开路电压
杨阵海博士等科研人员及历届研究生的共同努力下，在电池结构设计与器件仿真模拟(正结、背结、双面钝化接触、IBC、选择性发射极、电荷隧穿传输和孔洞传输等)、关键材料与工艺开发(纳米氧化物薄膜材料及多种制备技术、掺杂多晶硅化物薄膜材料及制备

甚至我也怀疑杜邦那个17刚推出来时那个附着力差，是否也就可反推这个是活性金属代替了玻璃实现对氮化硅腐蚀的同时还生成了高导电的硅化物。
对于这些活性金属硅化物的思路在实际操作中困难重重，也比较难以实现。而这个第三种也就是杜邦在各个专利里及论文资料里所提到的银胶体的隧道导电机理的。

借用ARPES，科学家们发现，这种石墨烯覆盖的硅化物不会被氧化，所以，其可以用于很多电子材料和设备中。最重要的是，石墨烯层几乎不同其覆盖的硅化物发生反应，这就让其属性得以保存完好。
但石墨烯征服硅谷之路面临的主要障碍是成功地将石墨烯整合到成熟的金属硅化物技术内。现在，来自维也纳大学、德国和俄罗斯的研究人员成功地构建出一种新奇且高质量的处于一层石墨烯保护和覆盖下的金属硅化物结构。

技术在自对准多晶硅化物形成后去除了未反应的金属薄膜。通过实现这一新的工艺，IC制造商可以在钴、镍和镍铂硅化物集成过程中，大幅度减少化学品的使用和降低对资金的要求。新订购的FSI ZETA?
镍铂硅化物最早应用于65nm逻辑器件，因为它的阻抗更低，从而可实现器件性能的大幅改善。但在早期应用中，业界发现在不损害镍铂硅化物区域的情况下，去除未反应的镍和铂是非常有挑战性的。

利用金属如镍等在非晶硅薄膜表面形成诱导层，金属Ni与a-Si在界面处形成NiSi2的硅化物，利用硅化物释放的潜热及界面处因晶格失错而提供的晶格位置，a-Si原子在界面处重结晶，形成多晶硅晶粒，NiSi2
层破坏，Ni原子逐渐向a-Si层的底层迁移，再形成NiSi2硅化物，如此反复直a-Si层基本上全部晶化，其诱导温度一般在500℃，持续时间在10小时左右，退火时间与薄膜厚度有关。