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BIPV。模式2中，光资源分析得出，对喜阳农作物的生长会有不利影响。普通多晶硅光伏组件和塑料薄膜一起封闭的典型光伏农业大棚，在大棚内光资源分布上与模式2一样。为了增加光伏阵列透光率，可将普通多晶硅
同样的农业生长环境，不同光伏组件下方的西红柿生长情形。　　（a）普通多晶硅组件下方的西红柿　　（b）双玻组件下方的西红柿　　图14不同组件下的西红柿生长情形通过两张照片对比，图13（a）中，由于普通

进行了现场检测。云南属于亚湿热气候带，根据年太阳总辐射量区划分布，为很丰富（B）等级太阳辐射类地区。通过携带的傅立叶红外光谱设备检测发现，这些组件均使用基于杜邦特能 PVF薄膜的背板，历经近20
年风雨洗礼，背板外观依然完好，无任何发黄、开裂或脱层现象。经便携式分光密度计和光泽度仪检测，这些背板空气面的PVF薄膜与新的特能PVF薄膜相比，颜色黄度b*值变化仅为1.6-1.8，光泽度变化小于

结合方式即是在模式1中建设了薄膜大棚。这种大棚模式类似于光伏建筑中的BAPV。图11 附加式光伏农业大棚该类型光伏大棚选用260Wp多晶硅光伏组件，组件尺寸1650990X40mm，采用竖向3排布
农作物的生长会有不利影响。普通多晶硅光伏组件和塑料薄膜一起封闭的典型光伏农业大棚，在大棚内光资源分布上与模式2一样。为了增加光伏阵列透光率，可将普通多晶硅光伏组件改为双玻光伏组件或薄膜组件，或者

PVF薄膜与新的特能PVF薄膜相比，颜色黄度b*值变化仅为1.6-1.8，光泽度变化小于1.6，证明其优异的耐候性。随行技术人员还通过户外功率测试仪分析了老组件功率输出情况，20年功率衰减共计约为
：在户外近20年后，支架已见锈迹斑斑，但基于杜邦特能PVF薄膜的背板外观无明显变化。经检测，黄度b*值变化仅为1.6-1.8，证明其优异的耐候性。结果云南石屏县牛达林场光伏系统的组件通过长期时间和气候的

硅纳米线（如图六C所示），而且增加了太阳光光谱的吸收（如图六b所示）。根据选择的电位和输入的原料（二氧化碳），他们获得了氢气、甲烷、甲醇产物。　　图六Prof.Peidong Yang组的硅纳米
直接电解水。　　（a）　　（b）图三（a）单极半导体光催化电解水示意图16and（b）光电解太阳能电池Z型（z-scheme）反应原理示意图池

国内外光伏主流企业和投资商开始注意到单晶硅片相比多晶硅片具有更高的性价比，单晶代表着未来的趋势，这种认可度2015年以来开始呈现爆发之势。典型的风向标是领先的薄膜和光伏项目开发商First
逐步在低端市场扩大应用，特别是随着单晶产能的提升和硅片价格的持续下降，来自发电端投资回报意识的提升降低了盲目抢装，单晶组件最近几年在国内开始持续扩大装机量，并以发电端实实在在的对比优势逐步呈现，使得

光电国家实验室陈炜副教授在访问日本国立物质与材料研究院（NIMS）期间，在钙钛矿薄膜太阳能电池研究领域取得重要进展。基于P-i-N反式平面结构、通过优化界面工程，全面解决了钙钛矿太阳能电池高效率、迟滞
Letter。太阳能取之不尽、用之不绝，规模化利用清洁、可再生的太阳能对于优化能源消费结构、减少环境污染和全球温室效应的意义十分重大。现在已经市场化的光伏技术包括第一代晶体硅太阳能电池、第二代CIGS

日本理化学研究所于2015年9月24日宣布，开发出了耐热性大幅提高的有机薄膜太阳能电池（OPV）。相关论文已刊登在学术杂志《Nature》的在线版Scientific Reports上
。　　　　OPV比硅类太阳能电池等耐用性差，这是其迟迟得不到实用化的原因之一。虽然降低耐用性的紫外线、水及氧气等因素可通过封装材料等解决，但对于耐热性却没有很好的处理方法。此次开发的技术大幅提高了耐热性，有

索比光伏网讯:日本理化学研究所于2015年9月24日宣布，开发出了耐热性大幅提高的有机薄膜太阳能电池（OPV）。相关论文已刊登在学术杂志《Nature》的在线版ScientificReports上
。OPV比硅类太阳能电池等耐用性差，这是其迟迟得不到实用化的原因之一。虽然降低耐用性的紫外线、水及氧气等因素可通过封装材料等解决，但对于耐热性却没有很好的处理方法。此次开发的技术大幅提高了耐热性，有可能

日本理化学研究所于2015年9月24日宣布，开发出了耐热性大幅提高的有机薄膜太阳能电池(OPV)。相关论文已刊登在学术杂志《Nature》的在线版Scientific Reports上。 OPV
比硅类太阳能电池等耐用性差，这是其迟迟得不到实用化的原因之一。虽然降低耐用性的紫外线、水及氧气等因素可通过封装材料等解决，但对于耐热性却没有很好的处理方法。此次开发的技术大幅提高了耐热性，有可能

日本理化学研究所于2015年9月24日宣布，开发出了耐热性大幅提高的有机薄膜太阳能电池（OPV）。相关论文已刊登在学术杂志《Nature》的在线版Scientific Reports上。 OPV比硅
，蓝色折线为HTL采用MoOx的元件，黑色折线是原来的采用p型半导体材料的元件。（b）是元件构造的概要。左为原来的p型半导体材料，右为此次新开发的p型半导体材料开发出这项技术的是日本理化学研究所创发特性