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范围：　　●太阳能光伏生产设备：　　a) 硅棒硅锭生产设备：单晶炉，铸锭炉，坩埚，热场及其他相关设备；　　b) 硅片生产设备：切割设备，清洗设备，检测设备及其他相关设备；　　c
薄膜电池；　　● 光伏相关零部件：蓄电池，充电控制器，逆变器，监视器，转换器，记录仪，支架系统跟踪系统接线盒，电缆等；　　● 光伏材料：硅料，硅锭/硅块，硅片，漿料，封装玻璃，封装薄膜及其他原料

及其他相关设备；b) 硅片生产设备：切割设备，清洗设备，检测设备及其他相关设备；c) 电池生产设备：全套生产线，腐蚀清洗设备，扩散炉，减反射膜/沉积设备，丝网印刷机，测试仪和分选机，其他相关设备
块，硅片，漿料，封装玻璃，封装薄膜及其他原料；光伏产品：灯具类产品，移动充电器，光伏水泵，家用太阳能及其他太阳能应用产品；光伏工程及系统：并网发电系统，独立发电系统，太阳能空气调节系统，农村光伏

。我们这次抑制所谓的风电设备和多晶硅产能过剩,有没有考虑到国际上的需求？谢谢。　　熊必琳:我们多晶硅产业,具体的数字我记不太清了,去年的数大概有2000万兆瓦的太阳能硅片,其中有98%直接或间接出口
　　国家发展改革委等部门定于2009年10月19日（星期一）上午10:00,在国宏宾馆B103会议室,联合召开新闻发布会,介绍抑制部分行业产能过剩和重复建设,引导产业健康发展的有关情况。以下

该公司的举措进行了介绍：（a）改进形成电极的丝网印刷，把单晶硅太阳能电池的转换效率提高到接近18％；（b）借助利用激光形成微细布线的“Pluto技术”使单晶型的转换效率提高到18.8％，并且在2年内达到
Parity需要的低发电成本有了实现的希望。从结果来看，这可以看作是有益于太阳能发电产业持续发展的方向。麦健陆顾问有限公司刘文平的数据。　　硅价格的下跌直接关系到发电成本，为太阳能发电今后的发展送来

。最后两种技术是辉光放电质谱（GDMS）和二次离子质谱（SIMS）,两者都是直接取样技术，不需要改变原料的形态，并且各种形式的样品都可以分析——块材、颗粒、粉末或硅片。样品可能不需要特殊制备，而只是
材料中的化学键信息。某种程度上，评判原材料的这些特定的杂质元素取决于太阳能硅片和电池片的设计和制造过程。然而，这些杂质总是包含如下几种：掺杂物（主要是硼和磷）、气体元素（主要是氧和碳）、和过渡金属

伴随一大批国内企业共同成长，在良好的展贸成果促动下。尚德、阿特斯、国飞、浚鑫、博硕、奥瑞特、精工、中电等一大批知名企业连续参展AsiaSolar亚洲光伏展。即使在2009年严峻经济形势下，海外直接采购
年4月1日14:30-18：30 〖展示内容〗太阳能光伏产品：晶体硅电池及组件、薄膜电池及组件；光伏生产设备：硅棒/硅锭生产设备、硅片/晶圆生产设备、电池片/组件生产设备、薄膜组件生产设备

不是电极的一部分。直接法又分成两种：　　（1）管式PECVD系统：即使用像扩散炉管一样的石英管作为沉积腔室，使用电阻炉作为加热体，将一个可以放置多片硅片的石墨舟插进石英管中进行沉积。这种设备的
硅片 100~500 0.1 - 0.3 0.3~1 2~8 430\2300(x6) 板式直接法（低频）（岛津）直接石墨背板

维护的成本。降低硅片的消耗量也就是直接降低了太阳能电力的每瓦成本。图 4. 双切割线可以在不牺牲切割速度的情况下，提高荷载并减少切割线直径 MaxEdge 系统结合了更细的切割线和
更薄的硅片，提升了线锯技术，有望于2011年以前使太阳能电力的每瓦成本降低0.18美元。 (图 5). 图5. 应用材料公司优化的线锯技术直接降低了太阳能电力的成本注意：该图表的前提是

万元，以2008年8月的硅片和电池片的价格来计算，每条生产线产值约6.5亿元。进入2008年11月硅片价格掉到原来价格的一半，随着国际市场光伏组件价格的下跌，电池价格跌到原来的60
%。每条生产线的电池片年产值只剩3.9亿元左右。扣除刚性生产成本，电池生产过程的边际利润进一步被压缩。随着我国高纯多晶硅生产的技术和产能瓶颈被打破，供求平衡关系发生逆转，硅片和组件价格

至背面，使得上表面完全没有金属。通过钻微型通孔，将上表面与下表面接触连接起来，就可以实现这一点。利用WMT，每块硅片需要钻约200个通孔。而EWT要求每块硅片上有高达2万个这种通孔。激光钻孔是唯一可能
满足商业规模速度的工艺。同时激光器还可用于形成新型结构，如激光烧制接触（LFC），这种结构对于支持某些先进的薄硅片产品是必须的。　　为完全满足这些不同工艺，设备供应商们应集成平均功率大（高达

　　信息产业的快速发展，特别是光伏产业的迅速发展，将进一步刺激多晶硅、单晶硅等基础材料需求量的不断增长。预计未来几年小尺寸硅单晶的年产量仍在2500吨左右，同时8英寸、12英寸硅片产量也将有
技术创新的内容包括产品创新、工艺创新、开辟新市场、利用和开发新资源等。从新产品或新工艺的最初设想到研制、开发，再到规模化的生产，直至通过市场推广应用而产生经济效益，在这种科研与生产直接结合的技术创新

）带硅技术该技术的工艺过程如下：采用适当的石墨模具从熔硅中直接拉出正八角硅筒，正八角的边长比10cm略长，总管径约30cm，管壁厚度（硅片厚）与石墨模具毛细形状、拉制温度和速度有关，约200一
1985年问世，1986年V型槽技术又被应用到该电池上，效率突破20％。V型槽对电他的贡献是：减少电池表面反射；垂直光线在V型槽表面折射后以41”角进入硅片，使光生载流子更接近发射结，提高了收集效率，对低