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高温在第一半导体区生成氧化硅掩膜层代替传统的氮化硅掩膜层，使得硅片背面的工艺流程大幅度缩短，有利于提高生产效率，同时使得整个工艺和设备成本显著降低，同时氧化硅掩膜层厚度与激光器的功率需要满足特定公式，以保证第一半导体层处于最优的钝化水平的同时能够保护第一半导体层不受制绒清洗的破坏。

微米的侧切面进行钝化，通过沉积由氮化硅覆盖的氧化铝和氧化硅层来实现，侧切面损坏性蚀刻之后进行钝化工艺。然而，生产这种电池需要几个额外的预金属化工艺步骤或金属化后化学蚀刻工艺，这就使得实现工业化量产具有
pSPEERPET太阳能电池的工艺流程。硅片电阻率0.3Ω/cm≤ρB≤0.9Ω/cm，氮化硅(SiNx)钝化正面掺磷发射极，SiNx+AlOx双层薄膜钝化电池背面，硅片背面颜色浅黄色，如图Fig3(a)所示。本文

金字塔熔化明显VS紫外飞秒金字塔形貌基本不变图2 绿光皮秒(a)、绿光飞秒(b)、紫外飞秒(c)刻蚀绒面氮化硅膜层SEM图像从图中对比可以看出飞秒激光对金字塔的形貌保存有明显优势纳/皮秒刻蚀对硅基底表面
影响大VS飞秒刻蚀对硅基底表面影响小图3 绿光纳秒(a)、绿光皮秒(b)、绿光飞秒(c)、紫外飞秒(d)刻蚀抛光面氮化硅膜层SEM图像从图中对比可见飞秒激光刻蚀对硅基底表面的影响明显最小a 绿光皮秒大

的氮化硅膜沉积并在在正面钝化的应用中已经积累了巨大的装机量，相关基于PECVD的设备升级方案变成了光伏企业的首选。但这道选择题还远未结束。即便确认使用了PECVD设备，但在当时PECVD设备采用的是板式
PECVD技术，板式PECVD将钝化膜生长及氮化硅覆膜集成一体，设备及工艺相对稳定，在初期的PERC行业市场中短暂处于主导地位，尤以梅耶博格等海外公司优势突出。但板式PECVD工艺其也存在钝化效果差

TOPCon电池是一种新型的高效太阳能电池，其制备工艺包括清洗制绒、正面硼扩散、刻蚀去硼硅玻璃(BSG)和背结、氧化层钝化接触制备、正面氧化铝/氮化硅沉积、背面氮化硅沉积、丝网印刷、烧结和测试。在这
个制备过程中，TOPCon电池的核心工序是正面氧化铝/氮化硅沉积和背面氮化硅沉积。正面氧化铝/氮化硅沉积是通过丝网印刷和烧结来完成的，而背面氮化硅沉积是在水分蒸发之后自动进行的。最后，通过测试和筛选