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高温在第一半导体区生成氧化硅掩膜层代替传统的氮化硅掩膜层，使得硅片背面的工艺流程大幅度缩短，有利于提高生产效率，同时使得整个工艺和设备成本显著降低，同时氧化硅掩膜层厚度与激光器的功率需要满足特定公式，以保证第一半导体层处于最优的钝化水平的同时能够保护第一半导体层不受制绒清洗的破坏。

氮化硅层、采用电镀和化学法的双路线工艺，实现了对铜栅线的精准加工，同时考虑了对废水的环保处理。▶ 湖南红太阳光电科技有限公司赵志然博士二次硼扩设备作为TOPCon核心装备，面临耗材比例高、设备故障率
。激光优化烧结技术利用激光照射硅片，实现对烧结过程的精准控制，提高效率。▶ 江苏微导纳米科技有限公司副董事长兼CTO 黎微明ALD技术的基本特点包括成膜致密度好、保型性好、薄膜成膜均匀性好等，目前在

微米的侧切面进行钝化，通过沉积由氮化硅覆盖的氧化铝和氧化硅层来实现，侧切面损坏性蚀刻之后进行钝化工艺。然而，生产这种电池需要几个额外的预金属化工艺步骤或金属化后化学蚀刻工艺，这就使得实现工业化量产具有
pSPEERPET太阳能电池的工艺流程。硅片电阻率0.3Ω/cm≤ρB≤0.9Ω/cm，氮化硅(SiNx)钝化正面掺磷发射极，SiNx+AlOx双层薄膜钝化电池背面，硅片背面颜色浅黄色，如图Fig3(a)所示。本文

金字塔熔化明显VS紫外飞秒金字塔形貌基本不变图2 绿光皮秒(a)、绿光飞秒(b)、紫外飞秒(c)刻蚀绒面氮化硅膜层SEM图像从图中对比可以看出飞秒激光对金字塔的形貌保存有明显优势纳/皮秒刻蚀对硅基底表面
影响大VS飞秒刻蚀对硅基底表面影响小图3 绿光纳秒(a)、绿光皮秒(b)、绿光飞秒(c)、紫外飞秒(d)刻蚀抛光面氮化硅膜层SEM图像从图中对比可见飞秒激光刻蚀对硅基底表面的影响明显最小a 绿光皮秒大

的氮化硅膜沉积并在在正面钝化的应用中已经积累了巨大的装机量，相关基于PECVD的设备升级方案变成了光伏企业的首选。但这道选择题还远未结束。即便确认使用了PECVD设备，但在当时PECVD设备采用的是板式
PECVD技术，板式PECVD将钝化膜生长及氮化硅覆膜集成一体，设备及工艺相对稳定，在初期的PERC行业市场中短暂处于主导地位，尤以梅耶博格等海外公司优势突出。但板式PECVD工艺其也存在钝化效果差

非晶硅(n-a-Si:H)层，然后在900oC退火后将其转化为nPoly-Si层。制造P型衬底：使用氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)等材料制造P型衬底，作为下一步生长n-a-Si层的支撑。生长P
接触面。制造TopCon电池的背面：在电池背面使用水氧化物(H2O)或氢氧化物(OH)等材料，通过施加电压形成一层透明导电膜。钝化：使用湿化学法在TopCon电池背面形成一层钝态薄膜，以增加电池的循环寿命

TOPCon电池是一种新型的高效太阳能电池，其制备工艺包括清洗制绒、正面硼扩散、刻蚀去硼硅玻璃(BSG)和背结、氧化层钝化接触制备、正面氧化铝/氮化硅沉积、背面氮化硅沉积、丝网印刷、烧结和测试。在这
个制备过程中，TOPCon电池的核心工序是正面氧化铝/氮化硅沉积和背面氮化硅沉积。正面氧化铝/氮化硅沉积是通过丝网印刷和烧结来完成的，而背面氮化硅沉积是在水分蒸发之后自动进行的。最后，通过测试和筛选

为nPoly-Si层。4、制造P型衬底：使用氧化硅(SiOx)或氮化硅(SiNx)等材料制造P型衬底，作为下一步生长n-a-Si层的支撑。5、生长P型层：在P型衬底上使用氧化还原法生长一层高质量的
水氧化物(H2O)或氢氧化物(OH)等材料，通过施加电压形成一层透明导电膜。8、钝化：使用湿化学法在topcon电池背面形成一层钝态薄膜，以增加电池的循环寿命。9、分离：将topcon电池从衬底上分离

、疝气修复材料、新型透析膜材料、介入治疗用导管、高端功能型生物医用敷料等的生产和研发（五）纺织服装、服饰业47.高支棉纱的生产48.采用计算机集成制造系统的服装及服装半成品生产49.功能性特种服装生产
丙烯酸辛酯）生产70.高性能氟树脂、氟膜材料，医用含氟中间体，符合国际公约的零ODP和低GWP制冷剂、清洗剂、发泡剂等生产71.氢燃料绿色制备技术（化学副产品制氢、生物制氢、来自可再生能源的电解水制氢等

正面与后者的背面膜层及金属化方式一致，两面最外侧也都是氮化硅减反钝化层，前道的清洗制绒工艺也相同。组件端龙头引领，TOPCon进入规模化量产元年，溢价下经济性初现，国海证券列举了各大龙头布局情况
电池效率已可以达到25%。但掩膜等复杂工艺抬高制造成本，金属栅线也需要专门设计，单面连接方式有利组件降本增效值得一提的是，背接触电池与分布式场景契合度高，结合龙头公司引领，或有望从小众走向大众。国海证券在

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