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本征及掺杂的a-Si:H膜，同时热丝化学气相沉积法（HWCVD）制备a-Si:H法也被认为很有前景。PECVD法制备a-Si:H薄膜利用等离子里中丰富的活性粒子来进行低温沉积一直是a-Si:H制备的
改变活性粒子的种类和数量，并且等离子体的均匀性也难以控制，这样都会改变衬底的状态。等离子体中的离子轰击和光子辐照，除了会影响沉积膜的质量，还会影响下面的硅衬底。光谱响应的研究结果表明对于蓝光区，HIT

索比光伏网讯:世纪新能源网 www.ne21.com （记者张松现场报道）Solarcon 2012展会现场，日氟荣高分子材料研发（上海）有限公司展出最新研发的膜系列产品---ETFE薄膜及PVDF
共聚物，是一种含氟高分子热塑型材料，是人工高强度氟聚合物，ETFE 膜材直接由材料成膜。ETFE膜材具有良好的耐久性、易洁性和稳定性，是一种典型的非织物类膜材，为目前国际上最先进的薄膜材料。ETFE薄膜的

事业部第一炉多晶硅锭正式出炉。该锭净重420KG，由其自产的DRZF-450型多晶硅浇铸炉浇铸而成，这标志着天龙光电多晶事业正式迈向市场。苏州中来推出FFC 双面四氟背膜目前，太阳电池组件的有效使用寿命
强度的机理关系，成功开发出太阳电池封装背膜的颠覆性创新成果━━四氟型太阳电池背膜。采用四氟材料和等离子体改性处理工艺开发高性能太阳电池背膜在国内尚属首创。先进的技术才能创造出高品质的产品，颠覆性创新

，光伏电池的厚度也很重要。薄的硅片(wafer)意味着较少的硅材料消耗，从而可降低成本。在查阅了大量国内外相关文献，并结合我国对晶体硅太阳电池技术开发的迫切需要，在制备太阳电池减反射膜(氮化硅薄膜)的工艺中
光束发生相消干涉。如图1所示膜有2个界面就有2个矢量，每个矢量表示一个界面上的振幅反射系数。如果膜层的折射率低于基片的折射率，则每个界面上的反射系数都为负值，这表明相位变化为180°。当膜层的相位厚度为

，在航空航天等对负载重量特别敏感的领域，塑料衬底具有不可替代的优势。同时采用透明聚合物薄膜作为衬底，在衬底薄膜表面形成ITO透明导电膜、非晶硅、铝电极可以使光线高效率照射在非晶硅层，从而获得高光电转换
效率。本发明采用2,2’-双三氟甲基-4,4’-联苯二胺（TFDB）作为核心二胺单体，由于TFDB分子结构中2,2’-位置引入两个三氟甲基，其空阻效应使联苯的两个苯环间产生扭转角，造成非平面结构

表面附着一层包括In、Sb、Zn和Cd的氧化物及其多元复合氧化物薄膜材料而构成的。透明导电薄膜以掺锡氧化铟（In2O3:Sn，简称ITO）和掺氟的氧化锡（SnO2:F，简称FTO）为代表。导电膜的研究
提高明显。 2.3.1纳米晶TiO2薄膜厚度对光利用的影响　　提高膜厚可以增加对光的吸收，但研究表明，薄膜厚度太大会影响电解液中的离子在薄膜中传输。为解决这一问题，可以通过在光阳极上增加一层约几百

（PV）产业正期待着一些处于研究开发中的选择方案。其中最显然的一种就是转向更薄的硅衬底。现在，用于太阳能电池生产的硅衬底厚度略大于200mm，而衬底厚度略小于100mm的技术正在开发中。为使硅有源层薄至
太阳能电池，即将一层厚度只有几微米的晶体硅淀积在便宜的异质衬底上，比如陶瓷（图2）或高温玻璃等。晶粒尺寸在1-100mm之间的多晶硅薄膜是一种很好的选择。我们已经证实，利用非晶硅的铝诱导晶化可以获得

,增强光的有效吸收,对电池表面进行钝化和通过改进电极的结构。在增强对太阳光的有效吸收方面采用了多种方法:如多层减反射膜,倒金字塔结构,机械和化学刻槽等。而随
样品采用未经抛光的p型(100)面硅单晶,厚度约400Lm,电阻率0.5-1.58·cm,未经磨、抛的单晶硅片分别用酸性和碱性腐蚀液除去表面

正面有20一40μm的SiO2膜，在膜上真空蒸发金属栅线，整个表面再沉积SiN薄膜。SiN薄膜的作用是：①保护电池，增加耐候性；②作为减反射层（ARC）；降低薄膜复合速度：①在p-型半导体一侧产生一个n
受到重视。比较典型的聚光电池是斯但福大学的点接触聚电池，其结构与非聚光点接触电池结构相同，不同处是采用200 Ωcm高阻n型材料并使电池厚度降低到100一160tLm，使体内复合进一步降低。这种电池在