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生产成本只有多晶硅的三分之一。非晶硅薄膜只需将气体沉淀转化成等离子附在玻璃上即可，生产过程只需200度低温，消耗电能少，无污染，可以低成本大面积连续生产。夏普在欧洲的能源解决部门的执行副总裁彼得蒂勒说：如果
存留多少个世纪，并声称CCS是未经证实、有风险且昂贵的。CCS的反对者提到1986年在喀麦隆发生的著名的自然灾害（1986年8月25日，喀麦隆至少有1200人被喀麦隆东北部的尼斯火山湖所喷出的有毒气体毒死

有害气体的产生，一直是困扰整个汽车行业的难题。为了减少VOC排放，广汽丰田采用了“全过程控制”的方式，放弃油性涂料而大量采用VOC排放更低的水性涂料，同时采取措施降低有机溶剂的使用量，进一步减少VOC
了96161件。其中，不少提案创造了巨大的经济效益，为公司降低了大量的能源消耗与排放。如2009年5月，企划室设施科员工黄钱顺提出一项“关于沉淀反应池、气浮池搅拌方式的改善”的提案，实施后，每个月共降低成本约

过程中已经充分考虑到这一点，特别是泵的可靠性方面。这种泵在苛刻要求的进片室应用中有着完美的表现，耐粉尘、蒸汽及颗粒。它不仅可以高效应对轻质气体，同时可处理有毒和腐蚀性气体，比如太阳能行业镀膜室冲洗用的
，此时系统的安装高度最小。高效的水冷理念采用优化的冷却通路设计，实现泵和电机的低温运行，有效延长使用寿命。根据需要，电机可在现场更换。冷却通路的检查和清洁很简单，因为沉淀物很难积累

带来的污染问题亦十分严重。非晶硅薄膜只需将气体沉淀转化成等离子附在玻璃上即可，生产过程只需200度低温，消耗电能少，无污染，因此可以低成本大面积连续生产。可再生能源的转换效能一直引人诟病，铂阳太阳能
沉淀不同化学特性的物质于不同段层，將转换效能由6%提升至12%或更高，理论上最高更可达17.8%。其次，薄膜吸收较广的阳光波长，在阴天或微弱阳光下运作亦较佳;相反，多晶硅的效能在较暗的情况下就会急速

由黑龙江省科学院石油化学研究院完成的 “太阳能光解硫化氢制氢催化剂设计与工艺研究”项目，近日通过了由黑龙江省科技厅组织的专家验收。硫化氢是一种恶臭、剧毒、具有腐蚀性的酸性气体，是石油炼制、天然气
的支持下，针对炼油厂和天然气工业生产过程中存在的环境污染和氢资源浪费等问题，就光催化和光化学分解硫化氢制氢催化剂设计与工艺进行了深入系统的研究。课题组采用共沉淀法，制备出可控能级的系列

材料中的化学键信息。某种程度上，评判原材料的这些特定的杂质元素取决于太阳能硅片和电池片的设计和制造过程。然而，这些杂质总是包含如下几种：掺杂物（主要是硼和磷）、气体元素（主要是氧和碳）、和过渡金属
FTIR和PL也有如上所述同样的局限性。我们可以遵循一种类似的样品制备方法，像直接凝固这样的多晶生长工艺。这种情况下，可能引入氧、碳、氮和铁，氧和碳可能形成沉淀物而不能用FTIR去测量。如果存在多种主要

产业销售额二次飞跃的拐点，产业已经积蓄了一定的变革势能，那就是技术创新！经过10年的积累沉淀和市场的洗礼，太阳能产业在企业实力、技术水平和企业从业人员素质方面均获得了很大提高，客观上为二次飞跃准备了人员
集热管水腔内，在真空集热管水腔内同心、有间隙、支撑安装固定具有导流和调节水、冰转化引起的体积变化弹缩变形体。当冬季结冰时，真空集热管首先从管口处结冰封死，管内的水温度逐步降低膨胀，防冻导流器内的气体温度降低

开发者更可能生产较廉价、可制造、易使用的太阳能电池。这种技术不仅能够大大降低燃烧产物——二氧化碳这一导致全球变暖的温室气体，还可以在很大程度上减少我们对化石燃料发电的依赖。研究小组成员来自各个大学和研究院
。　　西北的研究人员用一种激光沉淀技术，将正极镀上一层很薄很光滑的氧化镍层。这种原料是极佳的导体，能够从照射的电池上获得电子，同样重要的是，这种原料也能够有效防止电子受到误导，流向错误电极，如果流向

开发者更可能生产较廉价、可制造、易使用的太阳能电池。这种技术不仅能够大大降低燃烧产物——二氧化碳这一导致全球变暖的温室气体，还可以在很大程度上减少我们对化石燃料发电的依赖。研究小组成员来自各个大学和
挑战。西北的研究人员用一种激光沉淀技术，将正极镀上一层很薄很光滑的氧化镍层。这种原料是极佳的导体，能够从照射的电池上获得电子，同样重要的是，这种原料也能够有效防止电子受到误导，流向错误电极，如果

1.02eV，而且单晶的光学吸收系数比多晶薄膜的吸收系数要大。引起这一差别的原因是由于单晶材料较多晶薄膜有更完善的化学计量比，组份均匀性和结晶好。在惰性气体中进行热处理后，多晶薄膜的吸收特性向单晶的情况靠近
）用元素合成法制备近似满足化学计量比的p型CulnSe2多晶晶块作为输运源料，用碘或碘化氢气体作为输运剂，以铝片、石墨片、w／A12O2或MO／玻璃作衬底，在封闭系统中进行蒸发

硅在硫化床反应器中与HCI气体混合并反应生成三氯氢硅和氢气，Si＋3HCI→SiHC13＋H2。由于SiHC13在30℃以下是液体，因此很容易与氢气分离。接着，通过精馏使SiHC13与其它氯化物分离
一定量的氧，对大多数半导体器件来说影响不大，但对高效太阳电池，氧沉淀物是复合中心，从而降低材料少子寿命。区熔法可以获得高纯无缺陷单晶。常规采用内圆切割（ID）法将硅锭切成硅片，该过程有50％的硅材料损耗