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平台型技术，提效潜力巨大，有望成为下一代主流技术：HJT 电池本征非晶硅层将 N 型衬底与两侧的掺杂非晶硅层完全隔开，实现了晶硅/非晶硅界面态的有效钝化，带来了相比 PERC 更高的开路电压，从而
，放置硅片的载板按照设定的速度移动，成膜厚度由载板在腔室内的移动时间决定，所用节拍时间大幅缩短，提高了真空系统使用效率，产能更高，设备成本相对更低。但由于非晶硅薄膜沉积过程对各种环境因素的变化

数量、组件功率以及容配比等等。需要特别指出的是单串功率，组件串联数量一方面取决于组件开路电压，另一方面还要考虑当地的极低温度。655组件单串功率约为18.9kW，而445系统单串为12kW，单串功率提升
，CSAR等技术，从核心发电单元出发，提升组件产品的可靠性，降低组件衰减。以及其它一些技术细节上，这些细节使得阿特斯的组件更安全、可靠，衰减更低。回到应用端，阿特斯的7系列大尺寸高功率组件使单位支架可安装

产业持续的资本投入。HJT技术作为下一代电池片技术，具备开路电压高，温度系数低等多项优点，长期发展趋势具备强确定性。从投产节奏来看，随着HJT部分设备及材料开始国产化，HJT的性价比正不断提升，后续随着
更低的单瓦成本和度电成本。相比于PERC电池，HIT电池在制备过程对清洁度要求更高，需要对设备和车间做到更高程度的洁净度，因此不能与传统电池的生产车间兼容。整体而言HJT电池生产设备与单晶PERC

能够实现填充因子和开路电压的显著提升。纳米异质外延这个团队使用了名为纳米异质外延(NHE)的工艺，在图形衬底上生长半导体层。团队使用了一个两步生长工艺，首先生长一个GaAs缓冲层弥合硅的孔隙
加拿大的科学家发现了一项具有前景的砷化镓太阳能电池生产技术。让电池直接生长在硅衬底上是一项有前途的策略，能够削减某些技术过高的生产成本。通过使用多孔硅，科学家能够朝着以更低成本生产高性能III-V

的相同器件。两种设备最初都记录了1.14 V的开路电压，但在黑暗中老化20天后，3分钟的设备增加到1.20 V，而20分钟的设备略微下降到1.13 V。通过对两个装置的检测，研究小组发现，在经过
的性能。研究小组将此归因于钙钛矿内部一种之前未知的反掺杂过程，这最终导致了更低的重组损失和更好的效率。该小组利用叶片涂层工艺制备了钙钛矿(甲基铵碘化铅)器件，并比较了分别退火了3分钟和20分钟

升级，在接触性能提升的同时也能有效减少激光在掺杂工艺中对选择性发射极的损伤，降低复合从而使开路电压得以提升。图5. SOL9671B 展现出更低的金属接触复合 SOL6700B 助力
SOL6700B对氮化硅的刻蚀更为微弱，从而有效提升开路电压。图7. SOL6700B 非接触型设计带来显著的效率增益随着客户端对主栅单耗的降低越来越明显，单耗的降低意味着对拉力的挑战

IBC单晶硅电池的研发，2017年5月自主研发的大面积6英寸(243.2cm2)N型单晶硅IBC电池效率达到24.13%;2018年2月，该电池的效率进一步提高到25.04%，开路电压达到715.6mV
其他金属丰富，虽然目前还不至于成为太阳电池产业发展的瓶颈，但寻找更低廉、性能更优异的金属化手段也是太阳电池的一大研究热点。 IBC电池的核心技术之一是其背面电极的设计，因为它不仅影响电池性能，还直接

非晶硅的良好对缺陷的钝化以及更大的禁带宽度，电池的开路电压高。 ◇ 温度和光照稳定性好 HJT电池温度系数小，在弱光和光照升温条件下输出特性衰减较少，无Staebler-Wronski效应，几乎
更低电阻，更低银含量的低温银浆。在开发低阻浆料基础上，通过细栅细线化配合图形优化可以带来直接的银耗降低。另外，提效和降本的双重压力下，各大厂商多种融合工艺技术的探索，如SmartWire，分步印刷

电池背表面光反射，减少光损失，进而提高电池转换效率和电池性能。PERC 电池内部反射增强，有效降低了长波的光学损失，背面钝化提升了开路电压和短路电流，使得电池转化效率相比传统 BSF 电池更高
性重掺 N++层，可降低硅片与电极之间的接触电阻，降低表面复合，提高少子寿命，同时还能改善光线短波光谱响应，提高短路电流与开路电压，进一步提升电池效率。相比 PERC，SE 技术可带来 0.2

Tiger组件与1500V兼容性 Tiger组件优化了组件制作工艺，在保证组件功率和效率优势的同时，降低了开路电压，确保在单个组串中可以连接更多的组件，节省BOS成本。在不同的项目地，单个组串可以
接入的组件数和当地的辐照以及电池温度有直接关系，因此，我们对460w的Tiger单面组件进行了不同辐照和电池温度下的开路电压模拟与测试，综合结果如下表所示。上表中绿色标记出来的部分是可以至少安装

接触电阻;优化的烧结曲线，保持填充因子(FF)的同时最大限度提升电池开路电压(Voc);采用双层金属电极结构，下层采用点接触式烧穿型浆料，保证接触电阻的同时有效降低金属-半导体复合，上层浆料采用线式非
得益于新技术的研发和产业化生产，提高效率的同时减少辅材的用量。其中转换效率的提升是制造业降本的核心，也是主要竞争力。 N 型硅片少子寿命更高，光衰率更低，有望接替 P 型成为

种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜，采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。相比于传统的太阳能电池， HIT电池的在效率
化，减少硅的使用量，降低硅原料成本。另外，HIT工艺流程相对简化，成本较低。此外，HIT电池的低温度系数和更低的光致衰减，使得稳定性高，可有效降低热损失。在2018年国内布局HIT的企业仅6家

问题一：HJT好在哪，是否能解决当前产业瓶颈问题?HJT产品结构&优势核心在于：凭借开路电压高、双面率高等天然特性，可以实现相对最低的LCOE，解决了产业痛点(与面积相关的BOS成本下降空间较小
：推荐哪些标的?强烈建议关注迈为股份(电新联合)、捷佳伟创(电新联合)。最后关于现阶段HJT技术最该关注的问题，我们认为应集中于哪家设备技术成熟、运行稳定而非哪家设备价格更低、宣传的更好。回顾PERC