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称，公司及全资子公司与银川经济技术开发区管委会签订项目投资协议，就在银川投资建设年产15GW单晶硅棒和硅片项目及年产3GW单晶电池项目达成合作意向，项目合计投资58.5亿元。根据公告，年产15GW
单晶硅棒和硅片项目投资约43亿元，计划于2020年下半年开始逐步投产;年产3GW单晶电池项目投资约15.5亿元，计划于2020年上半年开始逐步投产。中环股份：4月26日上午，张家口市首个太阳能组件

《未来三年(2019-2021)产品产能规划》显示：隆基单晶硅棒/硅片产能2019年底预计达到36GW，2020年底达到50GW，2021年底达到65GW;单晶电池片产能2019年底达到10GW，2020
隆基股份研发投入达到12.3亿，在多项技术上取得突破，累计获得专利526项。拉晶、切片、电池和组件均取得了重要的研发成果，高效产品不断推陈出新。电池组件方面，不断提升电池量产效率和组件功率，屡次刷新

年产6GW单晶硅棒二期项目、丽江年产6GW单晶硅棒二期项目、楚雄年产10GW单晶硅片二期项目,投资额分别约为17.49、19.37、14.86亿元。一季度淡季不淡,单晶硅片价格上涨。受海外需求以及
5GW高效单晶电池、滁州乐叶年产5GW高效单晶组件的顺利实施。与此同时,古晋年产1GW单晶电池项目、保山年产6GW单晶硅棒二期项目、丽江年产6GW单晶硅棒二期项目、楚雄年产10GW单晶硅片二期项目开始

，2018年PERC电池产线投资成本降至42万元/兆瓦，已经低于2017年常规产线的投资额。零部件国产化率的提升不是最重要，关键装备中国产化部件的利用率、采用率的提升才是最重要。理想晶延半导体设备
理的标准能够在高效电池领域建立，共同推动行业的发展。在王世江看来，随着多次拉棒技术的导入、金刚线切割的全面应用以及PERC电池的大规模量产推动高效电池产品性能的快速提升和成本的快速下降，预计

金黄色，钢线的密度为7.8kg/L，钢线的主要参数为钢线直径、钢线长度、拉伸强度、破断力、伸缩率等。在多线切割加工过程中，钢线作为实现对晶棒切割磨削的载体，通过高速运动，保证SIC磨料达到切削
去除硅材料的基本能量，SIC磨料在研磨去除中受到钢线压力，此压力来源于不断的进给运动，由于钢线的高速运动，带动磨料在钢丝和晶棒之间运动，实现对硅晶材料的切除，在此运动过程中，钢丝和被去除的硅材料相互都具有

。我们再看来单晶硅片方面，除了在拉晶、切片等环节取得很多技术突破(如多次拉晶技术、金刚线切割技术等)之外，另一个值得关注的现象就是单晶硅片的尺寸存在着变大的趋势。在2010年之前，单晶硅片主要
以对边距125mm(硅棒直径f164mm)的小尺寸硅片为主，并有少量对边距156mm(f200mm)的硅片，2010年后，156mm硅片的比例越来越大，并成为行业主流，125mm的P型硅片在2014年前

，转换成每瓦少耗电0.06度。设备方面，目前市场上买不到直接可以用的铸锭单晶设备，需要自行改造;对铸造单晶晶棒少子寿命和缺陷检测需要投入少量新的设备，主要是增加端面少子寿命检测和位错检测以及晶花
市场放弃也势必有其不合时宜的原因。万跃鹏认为当年铸造单晶没有规模化应用的原因主要有四点，一是当时的产品碱制绒后有较大比例的晶花，组件外观成为市场接受的主要障碍;二是由于铸锭技术中位错问题没有解决

明显的降价的空间。硅片:金刚线切割渗透接近尾声硅片的工艺分为两个方面: 一是长晶工艺，包括单晶硅的直拉法和多晶硅的铸锭法，对应设备分别为单晶硅生长炉和多晶硅铸锭炉。二是切片环节，目前
主要采取金刚线切割的方式，对应的设备和耗材分别为切片机和金刚石线。从成本端来看，扣除硅料的影响外，对单晶硅片成本影响最大的是拉棒设备和金刚线，对多晶硅片成本影响最大的是铸锭设备和金

。光伏产业链包括硅料、铸锭(拉棒)、切片、电池片、电池组件、应用系统等6个环节。上游为硅料、硅片环节;中游为电池片、电池组件环节;下游为应用系统环节。从全球范围来看，产业链上、中、下游环节所涉及企业数量
依次大幅增加，光伏市场产业链呈金字塔形结构。在2018年中国光伏企业排行榜中，前十名的光伏企业分别为保利协鑫能源、晶科能源、隆基股份、阿特斯太阳能、天合光能、晶澳太阳能、亿晶光电、无锡尚德

(Continuous Czocharlski)是下一代高效单晶技术，采用特殊直拉单晶炉，一边进行单晶拉制，一边加料熔化，在坩埚所允许的寿命周期内可完成8-10根的晶棒拉制。当前，业界主流应用的全部为RCz多次
拉晶技术(Recharged Czochralski)，与之相比，CCz产出的晶棒品质更佳，电阻率更加均匀、分布更窄，更加适用于P型PERC电池工艺及更加高效的N型电池工艺，从而更有利于高功率组件产出

协鑫进一步注资，以发展新疆项目保利协鑫将投资于中环光伏四期单晶硅棒项目，并将持有项目公司部分股权;此外，视乎天津中环加工单晶硅芯片的产能需求，天津中环可能自保利协鑫收购目标硅片切割工厂的部分股权。在
单晶产品也有两年多的时间。保利协鑫正在推进CCZ技术的产业化应用，将借助先进的单晶拉晶技术和差异化单晶产品，领军单晶硅片市场。据管理层透露，目前保利协鑫已经掌握了FBR和CCZ技术所有的关键工艺

。据了解，2010年，保利协鑫能源在河南投产了单晶拉棒项目，2015年在宁夏又投产了1GW单晶项目，此后更有一系列的单晶项目落地。其中，最为业界所关注的是，2017年8月，保利协鑫能源与单晶巨头
中环股份达成初步合作意向，拟在单晶用多晶硅料生产、单晶硅棒生产、单晶硅片加工、光伏电站开发等环节开展全面合作。根据当时协议，保利协鑫将投资中环光伏四期单晶硅棒项目，并将持有项目公司部分股权。在此之前的

。 1.引言在晶棒脱胶完毕后，或在分选硅片时，常会发现硅片胶面呈现边沿发亮，硅层呈线式脱落崩边的情况，其分布位置多为胶面倒角附近，有时也会产生在倒角中间位置。胶面崩边是一种较常见的硅片缺陷，其影响
因素有多种，本文主要从晶棒粘接、硅片切割和预清洗三方面进行了分析。 2.晶棒粘接影响硅片切割前需要将托盘、玻璃、硅块、导向条等按照一定的流程粘接成晶棒，晶棒的粘接过程和原材料的使用都会对胶面崩边

，粘接工序在配块时存在很大困难。因此这部分长度较短的短块会单独粘接，进行切割。 2.小块切割现状在硅块切割前，首先要将硅块、玻璃、托盘等粘接成晶棒。小块的粘接方式和步骤为： (1)准备好托盘和
为环氧树脂胶，A胶与B胶比例为1：1)，混合均匀后，将胶水涂抹在托盘上，使用刮胶铲将胶水刮均匀，然后将玻璃粘接在托盘上。 (3)选择要粘接的小块晶体硅块，对硅块进行分组，保证四条晶棒的小块总长度偏差