光伏咨询搜索-索比光伏网

核心部件就是IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor的缩写，中文名称为绝缘栅双极型晶体管）， IGBT号称电动汽车的"CPU"！因为IGBT约占汽车电机驱动系统成本的
播放器等，其工作电压可以低到1V左右，电流低至毫安级别，这类电子设备也需要高速开关例如很多逻辑判断都是需要晶体管导通或者关断的，不过MOSFET虽然开关频率高但不能工作在高压大电流状态，在高电压领域

，推挽式逆变器、半桥式逆变器和全桥式逆变器。 5.按逆变器主开关器件的类型分可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(IGBT)逆变器等。又可将其归纳为半控型逆变器和全
控制逆变器两大类。前者，不具备自关断能力，元器件在导通后即失去控制作用，故称之为半控型普通晶闸管即属于这一类;后者，则具有自关断能力，即无器件的导通和关断均可由控制极加以控制，故称之为全控型，电力场效应晶体管

，可分为晶闸管逆变器、晶体管逆变器、场效应逆变器和绝缘栅双极晶体管(IGBT)逆变器等。又可将其归纳为半控型逆变器和全控制逆变器两大类。前者，不具备自关断能力，元器件在导通后即失去控制作用，故称之为半控型
普通晶闸管即属于这一类;后者，则具有自关断能力，即无器件的导通和关断均可由控制极加以控制，故称之为全控型，电力场效应晶体管和绝缘栅双权晶体管(IGBT)等均属于这一类。 6、按直流电源分，可分为电压

IGBT模块 IGBT非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区
( Subchannel region )。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区( Drain injector )，它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的

航空材料，轻便耐用。采用专利的晶体压接技术，确保晶体管的压接牢靠和散热效果。整机采用高效自然冷散热设计方案，灌胶电感与主腔体分离设计，内部环境温度更低，确保元器件寿命更长和整机稳定可靠。全面的防护

。逆变器的两大散热源，一个是IGBT，一个是电感。古瑞瓦特已取得晶体单管压接工艺专利，这种压接工艺确保晶体管能够在长期的工作过程中紧密均匀贴合散热器，确保晶体管长期的散热可靠性，间接地保护逆变器的稳定性和
产品设计到符合并超用户需求，高于品质指标，是古瑞瓦特整个研发团队的使命。电感专利技术(专利号：201520371560.8) 晶体管压接技术与常规压接技术对比 2 器件