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用量少，售价较低，重大缺点是光电转化率只有晶体硅的一半，占地面积也较多。主要品种有：1、非晶、纳米晶、微晶等硅薄膜。2、CIGS即铜铟镓硒组成的薄膜。3、TeCd碲化镉薄膜。为克服第一代
第一代光伏发电技术=晶体硅光伏发电，有单晶硅和多晶硅的差别。优点是光电转化率较高，缺点是售价较贵，生产多晶硅耗能较多，也容易污染环境。第二代光伏发电技术=花式品种繁多的薄膜电池，优点是材料

索比光伏网讯:硅材料在2015年前仍将是光伏产业领域里的领头羊，然而如何降低硅晶体成本成为众多光伏企业头痛的问题。美国PureSolar公司提出了一个全新的光伏生产工艺定制硅生产模式，能够迅速实现
太阳能发电成本与现有传统电网发电成本持平。据法国市场研究机构yoledeveloppment调查显示，大多数业内专家一致认为，硅材料在2015年前仍将是光伏产业领域里的领头羊，然而如何降低硅晶体成本成为

和多晶硅太阳电池，工作电压(Vmp)的温度系数约为-0.0045/℃(折合70℃时的系数为0.8);开路电压(Voc)的温度系数约为-0.0034/℃(折合-10℃时的系数为1.12)。对于非晶硅薄膜
电池，工作电压(Vmp)的温度系数约为-0.0028/℃(折合70℃时的系数为0.874);开路电压(Voc)的温度系数约为-0.0028/℃(折合-10℃时的系数为1.1)。3)针对目前常见的晶体

（非晶硅薄膜太阳能电池项目）。43.向日葵（300111）：公司已熟练掌握了光伏电池片生产的全部关键技术，包括自主开发的电池表面微结构处理、电池扩散吸杂、电池体钝化及抗反射等核心技术。晶体硅电池产品的平均
（太阳能辅助材料）：正打造国内最大的节能新材料基地。8.新华光（600184）：公司与西安北方光电等9家企业发起设立的云南天达光伏科技主要从事晶体硅太阳能电池研制和生产。9.安源股份（600397）：公司

科技股份有限公司(以下简称公司)成立于2002年8月8日，注册资本为42988.5136万元人民币，是一家以光伏设备制造业务为核心、光伏设备与晶体硅生长和晶片业务互补发展的高新技术企业，主导产品包括
董事长也是吴建龙。浙江向日葵光能科技股份有限公司(向日葵)位于国家级开发区浙江省绍兴袍江工业区，是一家集研发、生产、销售太阳能晶体硅电池片及组件的国家级高新技术企业。公司成立于2005年3月

工作人员和晶体硅资源的技术。此前，尚德是应用材料公司的SunFab交钥匙技术的客户和已经安装在2009年50兆瓦线。施正荣当时表示，我们将继续把重点放在提供业界最可靠和高性能的太阳能电池板。无锡尚德积极
此时市场每况愈下，此前极具成本优势和市场前景的晶体硅太阳能电池的市场售价已经低于成本价，各光伏巨头都在减产裁员，因此汉能投产生产出第一块薄膜太阳能电池之后即关闭生产线。　　豪赌薄膜，意欲何为2010年6月

降低成本方面比晶体硅(单晶或多晶)太阳电池具有更大的优势，一是实现薄膜化后，可极大地节省昂贵的半导体材料；二是薄膜电池的材料制备和电池同时形成，因此节省了许多工序；三是薄膜太阳电池采用低温工艺技术
太阳电池按衬底分为硬衬底和柔性衬底两大类。所谓柔性衬底太阳电池是指在柔性材料(如不锈钢、聚酯膜)上制作的电池，与平板式晶体硅、玻璃衬底的非晶硅等硬衬底电池相比，其最大的特点是重量轻、可折叠和不易破碎。以

发布《太阳能发电科技发展十二五专项规划》，在太阳能发电规划中，我国将把实现太阳能大规模利用、使其发电成本可以与常规能源竞争作为十二五规划的总体目标。《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大
，公用电网侧并网光伏系统上网电价低于0.8元/千瓦时。在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备

2020年有望降低到0.05欧元/千瓦时。我国将把实现太阳能大规模利用、使其发电成本可以常规能源竞争作为“十二五”规划的总体目标。　　《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大
电网侧并网光伏系统上网电价低于0.8元/千瓦时。　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备

1 .26G W，在建的太阳能热发电站超过2 .24G W，年平均效率超过12%。　　布局三大技术研发　　《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体
硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备

%。　　布局三大技术研发《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。在关键指标设计上，《规划》明确到2015
年，将实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权

材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成“交钥匙”工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜
　　《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅

%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10
晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶体硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上。　　在关键指标设计上，《规划》明确到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30

太阳能技术的保障措施。《专项规划》首先分析了国内外太阳能行业的形式，指出晶体硅太阳电池市场份额超过85%，未来10-20年内仍将是市场主流；薄膜太阳电池市场份额约占15%，技术向着高效率、稳定和长寿命的方向
，其中关键指标包括：多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有

最高技术水平，能够大规模量产具有完全自主知识产权的太阳能电池。以薄膜太阳能技术演进为例，目前汉能控股集团自主研发的环保无污染第二代、第三代非晶硅薄膜技术，具有自主知识产权，产品获得欧洲严格的认证，已经
达到了世界先进水平，光伏建筑一体化并网技术和弱光发电等技术也取得了重大突破。同时，与传统的晶体硅电池相比，薄膜太阳能电池由于具有原材料省、低能耗、无污染、低成本、便于大面积连续生产等显著的优势，在促成

汉能控股的带动下，预计到2013年，薄膜太阳能产业能够达到32%的年均增长率。与传统的晶体硅电池相比，薄膜太阳能电池具有原材料省、低能耗、无污染、低成本、便于大面积连续生产等显著的优势，在促成光电建筑
一体化、提升建筑美感方面也具有先天优势。另外，薄膜电池在早晚、阴天等弱光条件下，仍可产生电能，因此，在同样地理和气象条件下，全年发电量比晶体硅电池高出10%到15%。薄膜太阳能电池行业，未来将为我国

材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成"交钥匙"工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜
"规划的总体目标。　　《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上，碲化镉、铜铟镓硒薄膜电池实现商业化应用

50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。为保证《规划》顺利
。《规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上，碲化镉、铜铟镓硒薄膜电池实现商业化应用，装机成本1.2万-1.3