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材料国产化率达到50%；（2）晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力；（3）单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均
、西班牙等国为主要应用市场。晶体硅太阳电池市场份额超过85%，其商业化最高效率已经达到22%，技术向着高效率和薄片化发展，未来10-20年内仍将是市场主流；薄膜太阳电池市场份额约占15%，铜铟镓硒薄膜电池

50%;晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备自主知识产权的晶硅整线集成交钥匙工程能力;单晶硅电池产业化平均效率突破20%，拥有自主知识产权的非晶硅薄膜电池产业化平均效率突破10%。　　为保证
作为十二五规划的总体目标。　　《太阳能发电科技发展十二五专项规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上，初步

品种繁多的薄膜电池，优点是材料用量少，售价较低，重大缺点是光电转化率只有晶体硅的一半，占地面积也较多。主要品种有：1、非晶、纳米晶、微晶等硅薄膜。2、CIGS即铜铟镓硒组成的薄膜。3、TeCd碲化镉薄膜
发电的技术又有什么差别? 第一代光伏发电技术=晶体硅光伏发电，有单晶硅和多晶硅的差别。优点是光电转化率较高，缺点是售价较贵，生产多晶硅耗能较多，也容易污染环境。第二代光伏发电技术=花式

。《太阳能发电科技发展十二五专项规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上，初步实现用户侧并环保网光伏系统
平价上网，公用电网侧并网光伏系统上网电价低于0.8元/千瓦时。在关键指标设计上，《规划》明确，到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%;晶体硅太阳电池整线

，2012年7月1日，公司全资子公司漳州旗滨玻璃有限公司800t/d超白光伏基片生产线建设工程已基本完成，并于当日举行点火烤窑仪式。　　五、绿能科技计划扩大2012年Q4晶体硅产能台湾地区太阳能硅片制造商
增长至3GW，是业内巨头保利协鑫产能的一半。GET总经理Lin Hur-Lon表示，额外的产能将销往国际市场。GET表示，目前，在台湾地区，GET的晶体出货量为2GW，晶硅切片出货量为1.5GW。该

。《太阳能发电科技发展十二五专项规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上，初步实现用户侧并网光伏系统平价上网，公用
电网侧并网光伏系统上网电价低于0.8元/千瓦时。在关键指标设计上，《规划》明确，到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%;晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备

科技发展十二五专项规划》提出将重点布局晶体硅电池、薄膜电池及新型电池三大技术研发。到2015年，力争晶硅电池效率20%以上，硅基薄膜电池效率10%以上，初步实现用户侧并网光伏系统平价上网，公用
电网侧并网光伏系统上网电价低于0.8元/千瓦时。在关键指标设计上，《规划》明确，到2015年，将实现多晶硅材料生产成本降低30%，配套材料国产化率达到50%；晶体硅太阳电池整线成套装备国产化，具备

天生就有一种渴望支配和获取更多能源的本能，这就是人性的贪婪或者说是进取精神。当你有能力支配更多的能源时，你就能够吃上更精美的食物，住上更豪华的房子，体验到更完美的旅行。晶体硅电池发展的趋势是低成本发电，这是
光伏技术的发展方向。低成本的实现途径包括效率提高、成本下降及组件寿命提升三方面。效率的提高依赖工艺的改进、材料的改进及电池结构的改进。目前的电池光电转化效率，多晶硅约16%，非晶硅薄膜约9%。成本的

索比光伏网讯:摘要：本文采用PECVD技术沉积本征非晶硅薄膜，研究少子寿命随本征层厚度、沉积气压、射频功率、氢稀释度以及硅片清洗工艺的变化规律。结果表明：本征层厚度要适中。随着沉积气压、射频功率和氢
稀释度的增加，少子寿命均呈现先增大而后减小的趋势。同时，采用HF/O3清洗技术能使少子寿命得到很大的改善。1前言晶体硅电池具有转换效率高、技术成熟等优点。但传统的高温扩散工艺又限制了转换效率的提高和

的薄膜电池，优点是材料用量少，售价较低，重大缺点是光电转化率只有晶体硅的一半，占地面积也较多。主要品种有：1、非晶、纳米晶、微晶等硅薄膜。2、CIGS即铜铟镓硒组成的薄膜。3、TeCd碲化镉薄膜。1
与第二代、第一代发电的技术又有什么差别?第一代光伏发电技术=晶体硅光伏发电，有单晶硅和多晶硅的差别。优点是光电转化率较高，缺点是售价较贵，生产多晶硅耗能较多，也容易污染环境。第二代光伏发电技术=花式品种繁多

是材料用量少，售价较低，重大缺点是光电转化率只有晶体硅的一半，占地面积也较多。主要品种有：1、非晶、纳米晶、微晶等硅薄膜。2、CIGS即铜铟镓硒组成的薄膜。3、TeCd碲化镉薄膜。　　1、为克服
技术又有什么差别？第一代光伏发电技术=晶体硅光伏发电，有单晶硅和多晶硅的差别。优点是光电转化率较高，缺点是售价较贵，生产多晶硅耗能较多，也容易污染环境。第二代光伏发电技术=花式品种繁多的薄膜电池，优点

问题。供应过剩与欧美市场下调补贴已迫使晶体硅制造企业以低于其制造成本的价格或者甘冒失去所有市场份额的风险出售光伏组件。数周以来，大型光伏制造企业相继破产或宣布大幅缩减运营规模。而薄膜光伏
挣扎中，但他们对未来仍有宏图大略。　　薄膜技术较晶体硅略胜一筹　　目前晶体硅光伏更具成本优势且组件销售价格低于每瓦1美元。但薄膜产品在弱光及炎热环境下表现更为出色，这表明在某些

与欧美市场下调补贴已迫使晶体硅制造企业以低于其制造成本的价格或者甘冒失去所有市场份额的风险出售光伏组件。数周以来，大型光伏制造企业相继破产或宣布大幅缩减运营规模。而薄膜光伏组件制造企业也无法避免卷入
。　　薄膜技术较晶体硅略胜一筹目前晶体硅光伏更具成本优势且组件销售价格低于每瓦1美元。但薄膜产品在弱光及炎热环境下表现更为出色，这表明在某些热带地区，薄膜产品具有更低的平准化发电成本（LCOE）。因此，虽然

瓦计划，比全球最大的晶体硅电池制造商日本夏普公司提前一年。百世德的技术支持为与合作伙伴联合研制的高达5.7平方米的硅薄膜太阳能电池技术，电池稳定效率达8.5 %-9%，计划在2010年，将电池效率提高至
总投资120亿人民币的1.6万吨多晶体硅项目将全部建设完成。赛维希望由此进一步降低硅片成本，使得光伏组件降价，把光伏发电成本降到风电之下。同样在2009年，按照百世德太阳能的计划，公司将实现1000兆瓦

索比光伏网讯:摘要高效率、低成本是晶体硅太阳电池发展的主流方向。背接触电池以其独特的器件结构、简单的制备工艺及较高的电池效率,备受光伏市场的关注。概括了目前国际上研究较多的几种背接触硅太阳电池,对其
)电池是把EWT概念运用到硅薄膜上而开发出的一种薄膜硅太阳电池(图9)。其主要特点是采用一种新颖的方法来剥离硅薄膜与生长衬底。硅薄膜的生长基于SOI(Silicononinsula2tor)技术。首先对

初步裁定，中国晶体硅光伏电池及组件生产商或出口商在美国销售过程中存在倾销行为，倾销幅度达31.14%至249.96%。国内领军企业均将被征高额关税。其中，尚德电力税率31.22%，天合光能税率31.14
江西赛维，还是无锡尚德，都在光伏产业中，扮演着生产中上游产品的角色。江西赛维是一家太阳能多晶硅片生产企业。专注于太阳能多晶硅铸锭及多晶硅片研发、生产、销售。而无锡尚德则是专业从事晶体硅太阳电池、组件

晶体硅片上沉积一层非掺杂(本征)氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜，采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。HIT太阳能电池是一种利用晶体硅基板和非晶硅薄膜制成的混合型太阳能电池。

材料用量少，售价较低，重大缺点是光电转化率只有晶体硅的一半，占地面积也较多。主要品种有：1、非晶、纳米晶、微晶等硅薄膜。2、CIGS即铜铟镓硒组成的薄膜。3、TeCd碲化镉薄膜。(1)为克服第一代
索比光伏网讯:第一代光伏发电技术=晶体硅光伏发电，有单晶硅和多晶硅的差别。优点是光电转化率较高，缺点是售价较贵，生产多晶硅耗能较多，也容易污染环境。第二代光伏发电技术=花式品种繁多的薄膜电池，优点是

，售价较低，重大缺点是光电转化率只有晶体硅的一半，占地面积也较多。主要品种有：1、非晶、纳米晶、微晶等硅薄膜。2、CIGS即铜铟镓硒组成的薄膜。3、TeCd碲化镉薄膜。（1）为克服第一代，第二代光伏发电
第一代光伏发电技术=晶体硅光伏发电，有单晶硅和多晶硅的差别。优点是光电转化率较高，缺点是售价较贵，生产多晶硅耗能较多，也容易污染环境。第二代光伏发电技术=花式品种繁多的薄膜电池，优点是材料用量少