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非晶硅薄层所吸收。龙头制造商推动HJT组件发展HJT概念最早由三洋电机在20世纪80年代开发(三洋于2009年被松下收购)。然而，这项技术在最近几年才获得推动。当下，一家值得关注的制造商是现已被信实
的特斯拉以及马来亚和日本的松下。根据国际光伏技术路线图(ITRPV)，2029-2030年的预期价格为0.19美元/W，HJT技术或会占据15%的市场，而2019年的占比约为5%。双面电池以更佳的性能
和非晶硅之间添加一层本征非晶 硅薄层来减小载流子的复合。发展历史：从上世纪 80 年代，实验室就开始研究晶体硅和非晶硅叠加的电 池，1990 年最先由日本的三洋公司提出异质结的基本结构，2015 年
(ISFH) 下属的检测实验室认证，同年，天合光能 i-TOPCon
双面电池大规模量产正面平 均转换效率突破 23%。2021 年，晶科能源 TOPcon 电池在权威第三方测试认证机 构日本 JET
太阳电池的最大理论光电转换效率可达到29.8%。2000 年，日本三洋公司开发了可应用于航天领域的 p 型薄硅片太阳电池，其采用的硅片厚度为 75 μm，该类太阳电池的光电转换效率可达到 16.7
又不新的技术，最早由日本三洋公司在1990年开发成功，并对其进行专利保护。起初受三洋专利保护和薄膜技术的限制，异质结的产业化进程推进缓慢。随着三洋基础专利保护在2011年到期，许多
晶体硅和非晶硅之间添加一层本征非晶 硅薄层来减小载流子的复合。
发展历史：从上世纪 80 年代，实验室就开始研究晶体硅和非晶硅叠加的电 池，1990 年最先由日本的三洋公司提出异质结的基本结构，2015
机 构日本 JET 检测实验室标定全面积电池最高转化效率达到 25.4%，成为商业化全 面积电池效率记录的保持者，为后续的 N 型 TOPCon 电池的扩产奠定基础。
HJT 电池：传统晶体硅
何在？ 甘胜泉：HJT电池自日本三洋松下公司发展至今已有20年以上的历史，但由于产业完善度低、设备价格高、辅料成本高等问题难以解决，长期制约着其产业化的步伐。 近年来，随着设备国产化进程和相关
TOPCon电池工艺发展成熟的新电池设备，目前仅应用在TOPCon和TBC工艺的非晶硅镀膜上。HWCVD是日本松下/三洋选择的方案，优点是沉积非晶硅质量较好，缺陷更少;缺点是镀膜均匀性较差，碎片率较高
(来源：普乐科技POPSOLAR)
2017年，Kaneka将HBC电池世界纪录，刷新到了26.63%。这也是迄今为止晶硅太阳能电池研发效率的最高水平。见下图及下表：
日本Kaneka
来自于海外企业，设备也不例外。 异质结电池技术早在1990年就被日本三洋公司成功开发，并申请专利，专利期长达25年。在三洋公司的不断改进下，异质结电池的转换效率在2015年就达到了25.6%，但还未
对称结构，双面率有望提升至 93-98%(PERC 和 TOPCon 均在 80%附近，但很难再提升)，可获得 10%以上的年发电量增益。
回顾历史：异质结(HJT)电池最早由日本的三洋
表面结构化，核心设备是湿式化 学清洗设备。
主要厂商：日本 YAC、德国 Singulus、德国 RENA。捷佳伟创的清洗设备已完成样 机并交付。
2) PECVD(非晶硅薄膜沉积)：该步骤取代了
金刚玻璃全新的异质结解决方案在保障增效降本的同时，也将会为行业树立量产技术新标杆。 期待早日解决制约因素 HJT技术30年前源自日本三洋公司，中国光伏企业将其引入国内。近些年来，国内不少电池生产商和
