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，由超日太阳参与并承担中试及产业化的MW级薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池产业化关键技术课题项目目前中试顺利，计划今年6-8月进入安装调试阶段。在该项目中承担技术牵头人角色的中国国际科技促进会理事、上海超日
战略发展研究员彭德香告诉记者，目前中试阶段已经实现电池片转换率超20%，并且按照当前进度，薄膜硅/晶体硅异质结太阳电池项目明年将有望实现产业化。中试线计划6-8月安装调试据2011年3月23日

整个光伏系统技术，项目目的是为了使得欧洲能够在2020年完成气候与环境目标。项目领导人Francesco博士强调，ERG是为参与者提供高效电池板技术，包括25%的光伏电池，超薄硅片
（ultra-thin Si wafters）、Si异质结电池（Si hetero-junction cells）、以及激光背板印刷技术。同时也将探讨染料敏化太阳能电池技术。下一步，ERG将研究前沿的储能、电流

生产中应用了各种光伏转换技术，包括背场技术、异质结、钝化层、选择性发射极技术、新光捕获技术、正面金属化以及双面电池。　同样，在研究和发展阶段也取得了各种成果，包括在稀土材料和硅纳米粒子的基础上产生
杜邦以及其扩大投资组合的Silicon Ink技术的推广。　在2011年初期，领先的高效电池生产商包括加州SunPower公司以及日本三洋公司。然而，其他一些竞争对手也有望在今年推出自己的新产品。

地方在于，可以最大限度的减少对组件正面的金属接触。这种接触在太阳能电池生产过程中是至关重要的，同时可以阻止太阳光的反射。目前，光伏电池生产中应用了各种光伏转换技术，包括背场技术、异质结、钝化
技术的推广。在2011年初期，领先的高效电池生产商包括加州SunPower公司以及日本三洋公司。然而，其他一些竞争对手也有望在今年推出自己的新产品。

高效率太阳能电池板、带内部薄层(HIT)以及埋入触点技术的异质结，从而走在竞争队伍的前列。Lux分析师兼报告的主要作者Pallavi Madakasira表示：传统上，SunPower和三洋等x-Si电池
和组件生产商为高效电池板制定了较高的价格。但是来自低成本中国生产商的威胁迫使这些公司不断的提高电池板效率，只是为了缩减成本，但却没有在价格上争取到任何优势。报告还指出，光伏设备主要由玻璃、铝和铜组成

光伏电池。其中与中科院上海微系统所的合作内容为共同开发世界领先的薄膜硅/晶体硅异质结构高效电池，将量产电池效率从目前的18%左右提高到21%，该项目将由刘正新博士领衔。天合还与新加坡太阳能
研究所（SERIS）签订协议，共同开发效率达21.5%的高效电池，SERIS将向天合提供研发服务，将电极制备在电池的背面以提高电池正面与阳光接触面积，并计划在3年内将效率提升到23.5

光伏实验室的资格，实验大楼预计今年年底投入使用。天合还与麻省理工、中科院等著名大学和科研机构合作开发高效光伏电池。其中与中科院上海微系统所的合作内容为共同开发世界领先的薄膜硅/晶体硅异质结构高效电池，将
量产电池效率从目前的18%左右提高到21%，该项目将由刘正新博士领衔。天合还与新加坡太阳能研究所（SERIS）签订协议，共同开发效率达21.5%的高效电池，SERIS将向天合提供研发服务，将电极制备

%，多晶硅电池效率提高到16.8%。阿特斯研发项目的长远目标还包括异质结本征薄层（hetero-junction intrinsic thin-layer ）电池和多结电池的研发。这些工作将在几年内完成，并能
将电池的转换效率提升到20%以上，甚至达到25%。阿特斯董事长兼CEO Shawn Qu表示，“阿特斯很高兴能够与ECN进行技术合作。ECN是高效电池和组件技术如MWT领先的研发机构。合作将

16.8%。阿特斯研发项目的长远目标还包括异质结本征薄层（hetero-junction intrinsic thin-layer ）电池和多结电池的研发。这些工作将在几年内完成，并能将电池的转换效率
提升到20%以上，甚至达到25%。　　阿特斯董事长兼CEO Shawn Qu表示，“阿特斯很高兴能够与ECN进行技术合作。ECN是高效电池和组件技术如MWT领先的研发机构。合作将帮助CSI获得更高

效的目的。许多行业内的大公司都在开发象征自己品牌的高效电池。 1.sunpower电池：由sunpower公司开发的高效电池，特点是正面无栅状电极，背面采用指交叉金属化，工艺比较复杂，对硅片的
质量有很高要求，量产效率可达19%～20%。 2.HIT(非晶硅锗混合型异质结)电池：由日本三洋公司研发，以高质量超薄非晶硅层包裹在单晶硅外表面来降低表面复合而形成的异质结电池，研发

第三个时期。这个时期的主要特征是把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电他的制造工艺中。以各种高效电池为代表，电池效率大幅度提高，商业化生产成本进一步降低，应用
不断扩大。在太阳电他的整个发展历程中，先后出现过各种不同结构的电池，如肖特基（Ms）电池，M1S电池，MINP电他；异质结电池（如ITO（n）／Si（p），a-Si／c-Si，Ge／Si）等，其中

亲和势为4.58eV，与CdS的电子亲和势（4.50eV）相差很小（0.08eV），这使得它们形成的异质结没有导带尖峰，降低了光生载流子的势垒。 2.2 CulnSe2材料的光学性质
。若Se／（Cu＋In）＜1，则薄膜为p型，具有高的电阻率，或薄膜为n型，具有低的电阻率。其中当Cu／In＜1且Se／（Cu＋In）＜1时的高阻p型薄膜已在实验中获得了高效电池（10

时期的主要特征是把表面钝化技术、降低接触复合效应、后处理提高载流子寿命、改进陷光效应引入到电他的制造工艺中。以各种高效电池为代表，电池效率大幅度提高，商业化生产成本进一步降低，应用不断扩大。在
太阳电他的整个发展历程中，先后出现过各种不同结构的电池，如肖特基（Ms）电池，M1S电池，MINP电他；异质结电池（如ITO（n）／Si（p），a-Si／c-Si，Ge／Si）等，其中同质p-n结电池