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保守态度，寻求更为可靠的出路。新疆作为中国太阳能资源最丰富的地区之一，水平表面年辐射总量5.3109-6.7109焦耳/平方米，年峰值日照时数在1600-2200小时之间。同时，新疆幅员辽阔，总面积达166
万平方公里，而其中大部分为荒漠、戈壁滩，地势平坦，适合大规模铺设太阳能光伏列阵。水平表面太阳能年辐射总量在5300至6700兆焦耳每平方米，年峰值日照时数达1600至2200小时，沿阿勒泰山、天山

索比光伏网讯:摘要高效率、低成本是晶体硅太阳电池发展的主流方向。背接触电池以其独特的器件结构、简单的制备工艺及较高的电池效率,备受光伏市场的关注。概括了目前国际上研究较多的几种背接触硅太阳电池,对其
,天津300130;2北京市太阳能研究所,北京100083)关键词背接触硅太阳电池少子寿命接触电极0引言已经商业化的常规硅太阳电池,发射区和发射区电极均位于电池正面。由于太阳能级硅材料少子扩散

到0.72000/2600=0.54元/千瓦时。4)单位面积发电量高。下面是各类清洁能源占地简表：太阳能光伏发电：4倍聚光+跟踪，50~60W/m2;平板式晶体硅，30~40W/m2;各类薄膜电池
索比光伏网讯:第一代光伏发电技术=晶体硅光伏发电，有单晶硅和多晶硅的差别。优点是光电转化率较高，缺点是售价较贵，生产多晶硅耗能较多，也容易污染环境。第二代光伏发电技术=花式品种繁多的薄膜电池，优点是

+跟踪， 50~60W/m2；平板式晶体硅， 30~40W/m2；各类薄膜电池， 15~20W/m2；太阳能槽式热发电；10W/m2。核能：10W/m2，（是否为清洁能源，现在有争论）风能：5W
第一代光伏发电技术=晶体硅光伏发电，有单晶硅和多晶硅的差别。优点是光电转化率较高，缺点是售价较贵，生产多晶硅耗能较多，也容易污染环境。第二代光伏发电技术=花式品种繁多的薄膜电池，优点是材料用量少

元/千瓦时。 4）单位面积发电量高。下面是各类清洁能源占地简表： 太阳能光伏发电： 4倍聚光+跟踪， 50~60W/m2；平板式晶体硅， 30~40W/m2；各类薄膜电池
第一代光伏发电技术=晶体硅光伏发电，有单晶硅和多晶硅的差别。优点是光电转化率较高，缺点是售价较贵，生产多晶硅耗能较多，也容易污染环境。第二代光伏发电技术=花式品种繁多的薄膜电池，优点是材料

2012年2月3日，美国对华晶体硅光伏电池作出反补贴紧急情况初裁：无锡尚德太阳能电力有限公司、常州天合光能有限公司以及所有其他中国出口商或生产商都存在紧急情况。根据该裁决，临时反倾销措施追溯至肯定性
税法》第733（e）（1）（A）条和第733（e）（1）（B）条为美国调查机关判断紧急情况提供法律依据。其中，第733（e）（1）（A）条规定，（i）被调查产品在美国或其他国家有倾销的历史，或（ii）进口商

作者：王祺、倪志春、任方星、赵建华、王艾华，中电电气南京光伏有限公司研发中心摘要晶体硅太阳电池封装成组件后，其实际功率通常会小于理论功率，称之为功率损失或封装损失（powerloss）。本文对
各种影响太阳能电池组件封装损失的因素进行了相应的研究，包括电池片分档方式、组件封装材料、封装工艺与电池片之间的匹配等，通过优化这些影响因素可以有效提高组件的输出功率，降低封装损失。　　前言为了获得所需的

索比光伏网讯:作者：王祺、倪志春、任方星、赵建华、王艾华，中电电气南京光伏有限公司研发中心　　摘要:　　晶体硅太阳电池封装成组件后，其实际功率通常会小于理论功率，称之为功率损失或封装损失
（powerloss）。本文对各种影响太阳能电池组件封装损失的因素进行了相应的研究，包括电池片分档方式、组件封装材料、封装工艺与电池片之间的匹配等，通过优化这些影响因素可以有效提高组件的输出功率，降低封装损失

（UNSW）的钝化发射区电池（PESC，PERC，PERL以及德国Fraumhofer太阳能研究所的局域化背表面场（LBSF）电池等。　　我国在八五和九五期间也进行了高效电池研究，并取得了可喜结果。近年来
因子和20．8％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高

索比光伏网讯:晶硅光伏电池在过去20年里有了很大发展，许多新技术的采用和引入使太阳能光伏电池效率有了很大提高。在早期的硅电池研究中，人们探索各种各样的光伏电池结构和技术来改进电池性能，如背表面场，浅
南威尔士大学（UNSW）的钝化发射区电池（PESC，PERC，PERL以及德国Fraumhofer太阳能研究所的局域化背表面场（LBSF）电池等。我国在八五和九五期间也进行了高效电池研究，并取得了可喜

。太阳能电池在无光照射时的饱和电流;q一一电子电荷;K/B--理尔兹曼常数:A一一常数因子(正偏压大时A=1，正偏压小时A=2)。当IL=0时，电压U即为Uco可用下式表示:根据以上两式作图""就可
得到太阳能电池的电流一电压关系曲线。这个曲线简称为I-U曲线或伏安曲线，如图3所示。图3太阳能电池的I-U关系图a：未受光照;b：受光照Imp为最大负载电流，Ump为最大负载电压。在此负载条件下，太阳能

索比光伏网讯:单晶硅由于其本身内部完整的晶体结构，其光伏电池效率明显高于多晶硅电池。然而，单晶硅内部杂质和晶体缺陷的存在会严重影响太阳能光伏电池的效率，比如：(a)光照条件下B-O复合体的产生会导致
单晶电池的早期光致衰减；(b)内部金属杂质和晶体缺陷（位错等）的存在会成为少数载流子的复合中心，影响其少子寿命，导致电池性能的下降。一、少子寿命对光伏电池性能的影响少子寿命是指半导体材料在外界注入（光

技术研发中心最新进展、充分发挥B5线锯系统的技术优势，在产业低谷期降低运营成本、离子注入技术在制造高效电池中的效益以及先进的钝化技术及其整合等。所有来宾还一起参观和体验了应用材料公司西安太阳能
技术研发中心。该中心是全球最大的私营太阳能研发机构，实验室和办公区域面积超过40,000平方米，包含了一套完整的晶体硅太阳能电池工艺实验生产线，可以完全模拟光伏电池制造工厂的实际生产环境，包括市场领先的

短期订单，有月和季的短期订单，算是业界首创的经营模式。河北晶龙集团晶龙集团始建于1996年，主要生产太阳能光伏系列产品。是中国企业500强、世界最大的晶体硅生产基地、世界最大的单晶硅太阳能
年由特变电工联合清华大学、中国节能投资公司，共同出资成立，是我国最早从事清洁能源太阳能产业开发的高新技术企业之一。南玻集团南玻集团成立于一九八四年，为中外合资企业。一九九二年二月，公司A、B股同时在

薄膜电池所用的硅烷气的成本。由于晶体硅电池的光电转换效率高，因此，在后续的电池成本、组件成本和安装成本的较量中，晶体硅还会占些上风。因此，只要多晶硅的成本下来，在成本方面是不必惧怕薄膜太阳能电池的
。只有那些需要柔性薄膜，实现光伏建筑一体化等特殊用途，是晶体硅没有办法做到的。但是，在那种情形，薄膜硅的衬底也不能采用玻璃了，用什么材料，需要多高的成本，可能也要重新计算过再说。其实，说到薄膜太阳能