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多晶硅薄膜太阳电池，结构为背电极/衬底/制有P-N结的多晶硅薄膜/栅状上电极，在电池入射光表面有氮化硅减反射膜，其特征在于：在衬底和制有P-N结的多晶硅薄膜之间还有重掺P
申请专利号 200610117155.9 专利申请日 2006.10.13 名称廉价多晶硅薄膜太阳电池 公开（公告）号 CN1933185 公开（公告

。（6）1／N界面缓变以减少界面缺陷。（7）采用pc一n一S1可以减少电池的串联电阻，同时减少长波长光的损失。（8）采用ZnO/AI复合背电极增强对长波长光的反射，增加在电池中的光程，从而增加太阳电池
1．非晶硅太阳电池技术完善与提高由于发展势头遭到挫折，八十年代未九十年代初，非晶硅太阳电池的发展经历了一个调整、完善和提高的时期。人们一方面加强了探索和研究，一方面准备在更高