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批量生产的有单晶硅、多晶硅、非晶硅。其他尚处于开发阶段。　　目前致力于降低材料成本和提高转换效率，使太阳电池的电力价格与火力发电的电力价格竞争，从而为更广泛更大规模应用创造条件。　　各种
问题是光电转换效率偏低，目前国际先进水平为10%左右，且不够稳定，随着时间的延长，其转换效率衰减。　　(4)多元化合物太阳电池 多元化合物太阳电池指不是用单一元素半导体材料制成的太阳电池。现在各国研究的

多项国际专利和核心技术。曙海公司利用自身掌握的先进设备以及自主研发的核心技术，制造和研发新一代高性价比、高产能的薄膜光伏规模化生产线，对于提高硅薄膜太阳电池组件的光电转换效率、提高组件的成品率和质量
光电转换效率最高的薄膜太阳能电池，具有高效率、低成本、长寿命的多重优势，是光伏发电成本最可能媲美传统能源的英雄，是值得各国关注和培养的未来能源力量。　　22.上海曙海太阳能有限公司上海曙海太阳能

(a)。从图1(b)可以证实，在AAO膜底部的氧化铝阻挡层已彻底除去，这使膜能用作真空蒸发时的遮蔽掩膜。AAO的孔径及厚度可以分别用调节孔加宽处理和第二次阳极氧化的加工时间控制。本研究中用的AAO膜的
范围为1.04eV~1.72eV。CIGS系电池可以很方便地做成多结系统，在四个结的情况下，从光线入射方向按禁带宽度由大到小顺序排列，太阳能电池的理论转换效率极限可以超过50%。制备CIGS薄膜的方法

5项战略合作协议，相关协议也有助遏止乱杀价。据了解，台湾厂商已取得海南省金太阳工程项目50MW，未来并将扩大于海南省之新能源项目合作，以及与中国大陆标准认证机构建立两岸太阳电池片基准电池共通标准平台
中利腾晖光伏美国公司合作协议，双方2012年光伏电站建设目标为100MW，2013年与2014年分别为200MW和200MW。双方同意在第一个建设-移交（B-T）项目申请成功后，立即就项目启动资金的合作

了中国英利带来的低成本、高效率熊猫N型硅太阳电池及组件技术发展主题报告。英利集团首席技术官宋登元博士在报告中表示，英利熊猫电池技术是一种高效率低成本的技术路线，具有很强的市场竞争力和发展潜力。熊猫组件
状态。欧洲需求增速将放缓，但美国、日本、印度、南非、南美和中国等新兴市场的需求将增长。Kong-Hsin Liu表示，Solartech将着力提高太阳能电池转换效率。该公司计划采用中美晶生产的A4+

TCO层和背表面场结构。这种无本征非晶层的初始Si薄膜晶体太阳电池的转换效率在0.63cm2已达到6.8%。我们进一步用TEM测量研究界面质量，确认其界面结构减少了界面的缺陷密度。优化ECR-CVD系统
的生长条件后，制备了有光学抗反射TCO层的氢化微晶硅氧化物（c-SiOx:H）异质结太阳电池。其转换效率高达12%。这证明了这种简单加工方法的技术潜力。实验和结果实验中采用的ECR-CVD系统是单一

元件是太阳能电池。太阳能电池经过串联后进行封装保护可形成大面积的太阳电池组件，再配合上功率控制器等部件就形成了光伏发电装置。回顾历史有利于了解光伏技术的发展历程，按时间的发展顺序
，OFweek太阳能光伏网将与太阳电池发展有关的历史事件汇总如下：从1839年法国科学家E. Becquerel发现液体的光生伏特效应（简称光伏现象）算起，太阳能电池已经经过了160多年的漫长的发展历史。从

太阳电池的直流电压升压到逆变器输出控制所需的直流电压；逆变桥式回路则把升压后的直流电压等价地转换成常用频率的交流电压。逆变器主要由晶体管等开关元件构成，通过有规则地让开关元件重复开-关（ON-OFF
关元件按一定频率朝一方向动作，这样形成一个脉冲波列（拟正弦波）。然后让脉冲波通过简单的滤波器形成正弦波。光伏逆变器的功能逆变器不仅具有直交流变换功能，还具有最大限度地发挥太阳电池性能的功能和系统故障

光伏组件的输出功率（实际功率）小于所有电池片的功率值之和（理论功率），我们称之为封装损失（powerloss），计算方法为：封装损失=（理论功率-实际功率）/理论功率图1 太阳电池组件封装结构如果封装损失值
内量子效率曲线图5 白色TPT的反射率曲线封装损失的分析常规晶体硅太阳电池组件的封装结构如图1所示，自上而下的顺序分别是钢化玻璃-密封胶-晶体硅太阳电池-密封胶-背板；封装之前的单焊、串焊工艺将电池片通过涂锡

波长光的透射率为37.1%，而其他三种加入抗紫外剂的EVA对在360nm波长以下范围内的光是截止的。但现在电池厂家为提高太阳电池的转换效率，开始采用高方阻、密栅的工艺，高方阻电池和常规的P型电池的光谱
作者：王祺、倪志春、任方星、赵建华、王艾华，中电电气南京光伏有限公司研发中心摘要晶体硅太阳电池封装成组件后，其实际功率通常会小于理论功率，称之为功率损失或封装损失（powerloss）。本文对

EVA在交联后透射率曲线图，其中D样品未添加紫外吸收剂，300nm波长光的透射率为37.1%，而其他三种加入抗紫外剂的EVA对在360nm波长以下范围内的光是截止的。但现在电池厂家为提高太阳电池的转换效率
索比光伏网讯:作者：王祺、倪志春、任方星、赵建华、王艾华，中电电气南京光伏有限公司研发中心　　摘要:　　晶体硅太阳电池封装成组件后，其实际功率通常会小于理论功率，称之为功率损失或封装损失

越来越多的晶硅太阳能电池生产设备产量不足，不断上涨的晶硅价格也限制了晶硅太阳能电池的发展。仅以硅原材料的消耗计算，生产1兆瓦晶体硅太阳电池，需要10～12吨高纯硅，但是如果消耗同样的硅材料用以生产
非晶硅薄膜太阳能电池，则产出可以超过200兆瓦。尽管非晶硅薄膜太阳能电池的转换效率（6％左右）不如晶硅太阳能电池的转换效率（15％～16％）高，但是其厚度（700nm）却要比晶硅太阳能电池（厚度为180m

晶硅电池在过去20年里有了很大发展，许多新技术的采用和引入使太阳电池效率有了很大提高。在早期的硅电池研究中，人们探索各种各样的电池结构和技术来改进电池性能，如背表面场，浅结，绒面，氧化膜钝化，Ti
硅电池的一个重要进展来自于表面钝化技术的提高。从钝化发射区太阳电池（PESC）的薄氧化层（＜10nm）发展到PCC／PERC／PER1。电池的厚氧化层（110nm）。此外，表面V型槽和倒金字塔技术

结果。近年来硅电池的一个重要进展来自于表面钝化技术的提高。从钝化发射区太阳电池（PESC）的薄氧化层（＜10nm）发展到PCC／PERC／PER1。电池的厚氧化层（110nm）。此外，表面V型槽和倒
％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高的主要因素。PERC和PERL

索比光伏网讯:单晶硅由于其本身内部完整的晶体结构，其光伏电池效率明显高于多晶硅电池。然而，单晶硅内部杂质和晶体缺陷的存在会严重影响太阳能光伏电池的效率，比如：(a)光照条件下B-O复合体的产生会导致
单晶电池的早期光致衰减；(b)内部金属杂质和晶体缺陷（位错等）的存在会成为少数载流子的复合中心，影响其少子寿命，导致电池性能的下降。一、少子寿命对光伏电池性能的影响少子寿命是指半导体材料在外界注入（光

：（a）含空穴阻挡层的横断面；（b）含电子阻挡层的横断面4有机薄膜太阳电池的大型化与柔性化OTFSC光电转换率超过4%的事例始见报导，这些报导中电池的受光面积局限在极小的面积上，现状是在0.25㎝以下
索比光伏网讯:1前言作为典型可再生能源的太阳能光伏发电，近年来，面向各个产业及至人民的生活、住宅，正急速的推广应用。但目前的单晶硅太阳电池，难于大幅度降低成本。单晶硅太阳电池的原料硅占到制造成本的

对晶体硅太阳电池表面和体内的钝化作用，因为其数值对于膜的折射率、消光系数、致密性都有直接的影响，本文的目的就是研究工艺气体流量对膜性能的影响。一、机理分析1.1气体的输运在CVD系统中，气体的流动处于
分子被直接排出系统之外。（7）到达衬底表面的各种化学基团发生各种沉积反应并释放出反应产物。假设一个极端的情况：假设在衬底表面处，反应进行得很彻底，没有残余的反应物存在；假设在装置的上界面Y=B处，物质

光谱响应。一、调整方向1、提高少子寿命2、提高短波吸收此图为载流子收集几率和产生几率与电池片位置的关系，结深越钱，短波光电转换效率越高。3、减少死层此图为光吸收71%时，最大的死层厚度与截止波长的关系
=I2dR；(1)dR=psdy/B；(2)式中ps为薄层电阻率；均匀光照下两条细栅线的正中间电流为零，向两侧线性增加，到达栅线处为最大值，因此：I=Jby，J为电流密度。横向功率损耗：通过减小栅线间距离可以

说。直到2010年11月19日，这家公司再度更名，由宁波太阳能电源有限公司变更为日地太阳能。其实，公司此举是想借知名的产品抓取外界眼光公司当年曾经占据全国80%市场份额的产品就是日地牌硅太阳电池组件
的熊猫计划、尚德的冥王星计划，郑飞说他们有个提高电池转换效率的火星计划。他做了一个形象的比喻：为了提高太阳能转换效率，日地太阳能在电池板的绒面上做了个栅线，栅线就像军队里的指挥，把因日照产生位移的电子

，5N的多晶硅，13.3% 的光电转换效率。物理法的目标是做到6N，也就是杂质要做到1个ppm以下，但那一个ppm的杂质，是硼，是磷，还是铁，或者是哪几种杂质混合的，每种杂质的比例又是多少，这种种不同的
气体纯度是6N，因此必须经过精馏提纯气体方可使用。精馏提纯工艺中，使用的精馏塔一般有两种，一种是筛板式，一种是填料式。选用精馏塔的原则，在下认为应该遵循质量和效率两方面。关于B杂质，一般认为，光纤用