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： a)进一步将低倍广角聚光技术，发展为在水上跟踪的中低倍（如8~20倍）广角聚光技术，（注：制约中低倍聚光技术的最大难题，散热问题，可在水中获得完全解决！）进一步大幅度降低光伏组件每瓦售价。 b)大力研发高效硅基多结聚光电池和廉价高效的砷化镓薄膜电池，进一步大幅度提高光伏电池的单位面积发电量。

上的，光刻胶与欲刻蚀材料两者会同时被刻蚀，因而刻蚀选择性偏低。而且被击出的物质并非挥发性物质，这些物质容易沉积在被刻蚀薄膜表面及侧壁上，因此采用完全物理方式的刻蚀方法在半导体器件制程制造过程中很少
被使用。而化学性刻蚀是利用等离子将刻蚀气体解离产生带电离子、分子、电子及反应性很强的原子团。此原子团扩散到被刻蚀薄膜表面，与被刻蚀薄膜表面原子反应形成具有挥发性的产物，并被真空设备抽离反应腔。由于此反应

因子和20．8％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高
层上沉积SiN为A只乙后面用RF-PECVD掺硼的c一Si薄膜作为背场，用SiN薄膜作为后表面的钝化层，Al层通过SiN上的孔与cSi薄膜接触。5cmX5cm电池在AM1．5条件下效率达到21.4

％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高的主要因素。PERC和PERL
Si／c-Si异质pp+结高效电池SHARP公司能源转换实验室的高效光伏电池，前面采用绒面织构化，在SiO2钝化层上沉积SiN为A只乙后面用RF-PECVD掺硼的c一Si薄膜作为背场，用SiN薄膜作为

寻找其替代品。功率达12万太瓦的太阳便进入了人们的视线。理论上，只要收集1小时的太阳能，就可满足人类全年的能源需求。为了有效地收集太阳能，人们尝试了各种方法，比如开发大面积、高效、低成本的太阳能电池
。目前已有产业化的晶体硅(单晶硅、多晶硅)太阳能电池，部分投产的薄膜电池(非晶/微晶硅硅基薄膜、碲化镉和铜铟镓硒)，以及主要处于研究中的染料敏化电池、有机薄膜电池等。一种叶绿素太阳能电池，因为尽可能模仿了

领域中继风力发电之后产业化发展最快、最大的产业。目前，光伏发电中的太阳能电池仍然是以晶体硅太阳电池为主，一枝独秀、市场份额达90%，大面积商品化太阳电池效率可达到18-19%。其次是非晶硅薄膜太阳电池
层次，即从硅材料到硅片，再到太阳电池片，然后到太阳电池组件，最后到光伏发电系统应用（如下图所示）。硅元素在地球上的储量非常丰富，硅材料的来源—石英石在全球的分布也十分广泛。中国是硅矿的主要产地，优质石英

太阳电池、染料敏化电池、热光伏电池及有机薄膜太阳电池等多种新兴电池的物理化学机理研究已经是当前光伏理论及科学研究的前沿。晶体硅太阳电池继续向高效化、薄型化和大面积方向前进。效率为19%的单晶硅电池和效率
：#l.G9y8TcmI0il 到2020年全球光伏发电量将占总发电量的1.1%。到2040年占21-26%，而在2050年以后，光伏发电量将达到50%以上。8_@(]7Yr:r6b