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外层砂份额约50%，中内层砂份额约8%。石英坩埚行业发展连续多次投料拉晶工艺提升带动长寿石英坩埚需求。近年来，为了提高直拉单晶硅的质量和产量，连续加料、多次加料等一炉多根直拉单晶硅生长技术被开发和应用
升级换代。石英坩埚广泛用于太阳能或半导体单晶拉制行业，是用来装放多晶硅原料(工作中原料处于熔化状态的硅液)的一次性石英器件，其高纯和高耐温耐久性(高强度和化学稳定性)为单晶拉制以及单晶品质提供保障，是

操作。由于硅烷比氯硅烷对于杂质更易分离，这种方法可以生产出世界最纯净的多晶硅，这在半导体领域发挥着重要作用。但是由于硅烷是一种化学活性很高的气体，用西门子炉子来生长多晶硅时，结晶过程很难控制，所以
用多晶硅显得很遥远，最主要的威胁是在2008年多晶硅的紧缺，这个时候REC硅和MEMC的优势在晶硅太阳能市场大展神威，当时由于多晶硅电池比单晶电池的市场更为火爆，颗粒硅可以为西门子法多晶硅填充缝隙，投炉的

节能环保四大产业综合发展的集团化企业，主导产品包括单晶硅生长炉、多晶硅铸锭炉、区熔炉等光伏及半导体设备，多晶硅锭及硅片、直拉单晶硅棒及硅片、区熔单晶硅棒及硅片等光伏产品，光伏和风力等新能源发电项目及蜂窝式中低温SCR烟气脱硝催化剂等。

一、铸造单晶的研发历程铸造单晶不是一个新鲜技术，早在二十年前GTsolar公司为了开发铸造单晶技术专门研发了GT炉，这炉子就是GT铸锭炉的前身。GT公司在研发中发现，通过定向生长的方法很难长出
性能和CZ单晶一样的单晶，但是长出来的多晶也可以做电池，虽然效率略低，但是成本也更低，整体而言多晶的性价比是优于单晶的。随后，GT公司放弃铸造单晶炉和铸造单晶技术的研发，直接将铸锭技术和铸锭炉投放市场

不同粒径的单晶籽晶铸锭高效多晶硅锭，得出粒径范围在1mm～4mm引晶效果最好，粒径大于4mm或粒径小于1mm时，晶体中位错密度都偏高导致少子寿命降低。权祥等研究硅粉、硅颗粒和碎硅片3种籽晶对引晶效果的影响
，得出采用硅粉籽晶生长硅晶体晶粒均匀性最好，并能提高整锭电池效率。朱笛笛等得出0.154mm粒径范围的多晶硅颗粒籽晶的引晶效果好，并能提高电池的光电转换效率。晶澳太阳能的黄新明等用Si3N4包覆

铸锭单晶(cast-mono wafer)，是指采用多晶铸锭炉，在常规多晶铸锭工艺的基础上加入单晶籽晶，定向凝固后形成方型硅锭，并通过开方、切片等环节，最终制成单晶的硅片。基于该技术路线，保利协鑫
炉装料量、晶体生长速度到成品率，从单位电耗到坩埚等耗材成本，乃至其自动化生产的便捷程度上，都比单晶制造的直拉法更有优势。此外，生产能耗较低带来了更高的碳足迹分值，这在注重产品生产过程碳足迹的法国等

铸锭单晶(cast-mono wafer)，是指采用多晶铸锭炉，在常规多晶铸锭工艺的基础上加入单晶籽晶，定向凝固后形成方型硅锭，并通过开方、切片等环节，最终制成单晶的硅片。基于该技术路线，保利协鑫
、低能耗、大尺寸优势和单晶的高效率、高质量优势结合到了一起。鑫单晶G3在实际生产中，从单炉装料量、晶体生长速度到成品率，从单位电耗到坩埚等耗材成本，乃至其自动化生产的便捷程度上，都比单晶制造的直拉法