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了填充因子;电注入退火后测试电池效率提升了0.98%，效率达到20% 以上。 2017 年12 月，协鑫集成、上海神舟新能源采用PECVD/ALD 技术制备PERC 多晶硅太阳电池，效率分别达到
1.1 实验准备 1) 物料：采用p 型多晶硅片，尺寸规格为156.750.25 mm，厚度为190 m，电阻率为1～3 cm。 2) 化学品：时创PS30 抛光剂，台湾长阳IP1257-L 型氧化铝

(2003)。Axel Herguth提出了再生态理论解释初始光衰后功率恢复并保持稳定的原理(2006)。 P型多晶硅电池的衰减则因氧含量相对少而恢复过程不明显，该衰减被认为不仅与B-O对相关
本文参考相关文件，分析认为： 1) P型PERC电池的光衰明显高于常规BSF电池，因此需要进行再生处理; 2)单晶PERC电池的光衰以B-O光衰为主，原理上可通过光注入、电注入及掺Ga来解决

了260MWp，大规模生产的平均电池效率为22.8%。技术开发从图1中可以看到，SHJ电池的结构非常简单，并且仅需要6道工艺制造步骤。通常，SHJ电池由n型c-Si硅片制成，该硅片在两侧涂覆有薄的本
一次低温退火。图一：(a)传统SHJ太阳能电池的剖面结构图。(b)SHJ电池的主要制造工艺步骤。用于SHJ电池的硅片与所有高性能c-Si太阳能电池的情况一样，硅片质量是实现高效SHJ电池

太阳能电池的吸收层就是单晶硅或者多晶硅;薄膜太阳能电池的吸收层一般是厚度几个微米的薄膜材料;而钙钛矿太阳能电池的吸收层就是钙钛矿。 1883年，美国发明家Charles Fritts成功制造了人类第一
, 开启了利用太阳能发电的新纪元。在最近的半个多世纪里，太阳能技术发展大致经历了三个阶段：第一代太阳能电池主要指单晶硅和多晶硅太阳能电池，其在实验室的光电转换效率已经分别达到25%和20.4

)fineline priting印刷小于80m的细栅。但要提高电池效率，印刷浆料必须(a)在低表面浓度下也能保证低接触电阻，或者(b)本身含磷掺杂源并在烧结时能扩散入Si形成重掺; (2)inkjet
较高，普通多晶硅可能满足不了要求; 三、氧化层厚度和均匀性需要控制得较好，因为这直接影响到n+层的扩散质量; 四、需解决丝网印制的精确对位，对位越精确，n++层的宽度就可越窄，效率提高越多

种子层。代替的方案有： (1)fineline priting印刷小于80m的细栅。但要提高电池效率，印刷浆料必须(a)在低表面浓度下也能保证低接触电阻，或者(b)本身含磷掺杂源并在烧结时能扩散入
常规片要大，对硅片质量要求较高，普通多晶硅可能满足不了要求; 三、氧化层厚度和均匀性需要控制得较好，因为这直接影响到n+层的扩散质量; 四、需解决丝网印制的精确对位，对位越精确，n++层的宽度就可

太阳能电池的吸收层就是单晶硅或者多晶硅;薄膜太阳能电池的吸收层一般是厚度几个微米的薄膜材料;而钙钛矿太阳能电池的吸收层就是钙钛矿。 1883年，美国发明家Charles Fritts成功制造了人类第一
, 开启了利用太阳能发电的新纪元。在最近的半个多世纪里，太阳能技术发展大致经历了三个阶段：第一代太阳能电池主要指单晶硅和多晶硅太阳能电池，其在实验室的光电转换效率已经分别达到25%和20.4

27.98%。表2总结了理想情况下单晶硅太阳电池的理论极限效率。 2高效单晶硅太阳电池结构及特点分析 MartinGreen分析了造成电池效率损失的原因，包括如图1所示的五个可能途径:(1
的复合损失。以上各种能量损失的途径可概括为光学损失(包括(1)、(2)和(3))和电学损失(包括(3)、(4)和(5))。为了提高太阳电池效率，需要同时降低光学损失和电学损失。降低光学损失的

近年来，钙钛矿太阳能电池产业开始崛起，因为单晶硅与多晶硅的太阳能电池在提炼过程中需要消耗大量的电力，制造成本较高，而钙钛矿太阳能具有与单晶硅接近的光电转换效率、但其制备工艺相对简单，成本也较为低廉
了提升钙钛矿太阳能电池效率的方法。该论文的通讯作者是加州大学洛杉矶分校的杨阳教授，他领导的研究小组观察到咖啡因中氧原子与钙钛矿材料中铅离子的相互作用，能显著提升钙钛矿太阳能电池的热稳定性、将太阳能电池的

达到27.98%。表2总结了理想情况下单晶硅太阳电池的理论极限效率。 2 高效单晶硅太阳电池结构及特点分析 Martin Green分析了造成电池效率损失的原因，包括如图1所示的五个可能
材料缺陷等导致的复合损失。以上各种能量损失的途径可概括为光学损失(包括(1)、(2)和(3))和电学损失(包括(3)、(4)和(5))。为了提高太阳电池效率，需要同时降低光学损失和电学损失

了该缺陷的结构(2003)。Axel Herguth提出了再生态理论解释初始光衰后功率恢复并保持稳定的原理(2006)。P型多晶硅电池的衰减则因氧含量相对少而恢复过程不明显，该衰减被认为不仅与B-O对
1.晶硅组件的光衰硼(B)掺杂的P型单晶硅(Cz-直拉法)电池的光衰现象早在1973年已发现，该光衰之后被发现可一定程度恢复的。Jan Schmidt发现了该光衰主要是B-O对引起的并给出

电池进行一道电流引入再生(CIR) 工艺，最后在进行测试和分档。图二展示了CSI多晶硅PERC电池的效率分布情况;其中，平均电池效率超过了 20%，比同样基于金刚石线锯(DWS)硅片技术的
传统多晶硅电池技术高出0.9%。图二：(a)多晶硅PERC电池的效率分布。(b)60 片和120片多晶硅PERC组件的功率分配。表一比较了多晶硅PERC和传统黑硅多晶硅电池的I-V特性

填充因子。目前，英利在Panda电池基础上引入TOPCon技术，电池效率可以达到21.6%，开路电压达到676mV，填充因子达到80%。开路电压和填充因子仍存在很大的提升空间，Panda-TOPCon
技术已经成为研究热点，该技术是在电池表面生长一层超薄的可隧穿的氧化层和一层高掺杂的多晶硅层，氧化层的钝化作用和高掺杂多晶硅层的场钝化作用可以极大地降低少子复合速率，同时高掺杂的多晶硅层对于多子来说具有

1、PERC电池技术的转化效率光电转换效率是晶体硅太阳电池最重要的参数。 2017年，我国产业化生产的常规多晶硅电池转换效率达到18.8%，单晶硅电池转换效率达到20.2%。与常规电池
更高。目前，PERC技术成为P型电池效率继续提升的主要方法，但PERC技术应用在多晶及单晶电池片上的效率表现有所差异。单晶电池产线在导入PERC技术后，可使转换效率绝对值提升1%以上，即单晶

一条线3.3GW、12月投产合肥通威投产一条电池线2.4GW;隆基保山产能三季度完全投产合计新增6GW;大全新能源3B的1.3万吨硅料产能10月点火投产;中环股份的四期项目炉子也在7~8月大批量到位。由于
低品质硅料价格75元(触碰到国内高成本企业的现金成本)，高品质硅料价格95元(触碰到韩国OCI的现金成本)，考虑已经大批量退出的产能，我认为当前硅料价格已经见底。 多晶硅片的开工率更加惨不忍睹，由于

2.5万吨硅料产能9月投产、乐山2.5万吨硅料产能10月投产;通威电池产能10月投产一条线3.3GW、12月投产合肥通威投产一条电池线2.4GW;隆基保山产能三季度完全投产合计新增6GW;大全新能源3B的
大批量退出的产能，我认为当前硅料价格已经见底。 多晶硅片的开工率更加惨不忍睹，由于多晶硅片企业众多，难以一一跟踪，所以我们以低品质硅料的出货情况来判断多晶硅片行业的整体开工率，据此判断多晶硅片目前全行

18.6%。所以18.6%的电池效率是很多电池产能的一道坎，效率高于18.6%就可以卖到正常价格，但是当效率低于18.6%(例如18.55%的电池效率)就非常尴尬了。虽然只是效率略低，封装后的实际功率
甚至可以做到274瓦的水平，但是根据规则274瓦的组件只能标定为270组件，不符合诸多电站业主的设计要求。结果就是这样的组件没人要，甚至只能按照B级电池片出售，价格仅为正常电池的8折。由于行业内大量的