多接面太阳能电池中的变形外延可以使用多种III-V族化合物半导体,这个高效率的电池结构,由合适的材料组成,可以将太阳光区分为三个波段分别来吸收。 “这是一个很好的例子,告诉我们如何利用技术上的突破达到控制半导体的结晶缺陷”Fraunhofer ISE的院长艾克韦伯(Eicke R. Weber)博士提到。
多接面太阳能电池中的变形外延可以使用多种III-V族化合物半导体,这个高效率的电池结构,由合适的材料组成,可以将太阳光区分为三个波段分别来吸收。 “这是一个很好的例子,告诉我们如何利用技术上的突破达到控制半导体的结晶缺陷”Fraunhofer ISE的院长艾克韦伯(Eicke R. Weber)博士提到。
在12月9日召开的2009韩国绿色能源会议上,Strategy Analytics发表了有关陆基光伏市场以及新市场为化合物半导体带来机遇的报告。 SA GaAs业务部主管Asif Anwar指出:今年多晶硅太阳能技术仍占主导地位,大约是89%,然而随着时间的推移,它将会遭受基于薄膜和化合物半导体的竞争技术的蚕食。