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激光);一次硼扩+激光掺杂;二次硼扩+激光掺杂;激光开膜+二次硼扩;激光开槽+硼浆印刷;湿法刻蚀+二次硼扩(无激光)其中，离子注入定域掺杂法，需要昂贵的离子注入机，且硼离子注入技术困难，同时硼离子注入
印刷区域的轻掺杂，提高了光线短波响应，从而提升转换效率。b. 从设备端来看，不涉及二次扩散，工艺相对简单，对应设备为扩散炉、激光开槽设备、丝网印刷设备6.5 湿法刻蚀+二次硼扩a. 利用印刷含有

产业化项目各一项，进一步奠定了我们公司在钙钛矿等泛半导体行业高端装备的行业影响力。公司目前已经完成平米级大面积产业化2项，3个平米级产业化项目正在交付中，已与国内大型央国企/民营企业和知名高校科研机构累计完成近200个单体工艺设备交付，包括涂布机、刮涂机、激光刻蚀机、PVD和ALD等。

方向集成电路：布局第三代半导体生产线，重点引进8/12英寸硅衬底生产线，谋划引进6英寸SiC衬底和8英寸Si基GaN外延片生产线，引进光掩膜、高纯溅射靶材、湿电子化学品、特种气体及封测材料与设备、刻蚀设备
、光子计算等设备制造2 重卡产业链上游：冲压、焊装、涂装、总装等整车制造中游：动力系统、车身、附件等总成、系统制造下游：配套及零部件制造3 半导体及集成电路产业链上游：芯片设计中游：通过氧化、刻蚀

兼容性。电池制备的基础工艺包括清洗制绒，扩散，清洗刻蚀，镀膜，激光开槽，丝印烧结等步骤。(1) 清洗制绒由于硅片在切割过程中表面会产生大量的油污，金属污染和机械损伤，因此要对硅片进行酸洗(多晶)或者
时间达到 240min。因此 N 型电池所需成本更高，制备难度更大。(3) 刻蚀扩散过程中磷(硼)会与硅形成磷硅玻璃层 PSG(或硼硅玻璃层 BSG),为富含磷元素的二氧化硅层，对后续工艺产生不良影响

近日，由晶洲装备自主研发生产的国内首台量产型单槽6花篮大产能碱抛刻蚀清洗设备在晶洲智能装备生产基地成功下线，该设备适用于TOPCon和PERC太阳能电池的湿法碱抛工艺，顺利发往客户端。据了解，本次
晶洲下线的碱抛刻蚀清洗设备采用单槽6花篮设计，每小时产能14400片，极大改善了链式去BSG或PSG+碱抛设备工序的产能瓶颈;该设备采用多项晶洲自主研发的独创设计，在提升设备产能的同时，降低设备单耗

) 溶液相结合的刻蚀液，并增加了硅片的插片间距，适度降低了制绒过程中的鼓泡速率，以便得到反射率一致的均匀结构的绒面。2) 低压扩散：太阳电池发射极常规的方阻平均值为 70～80 Ω/□，为有效提高此类
了脉冲频率、扫描速率和激光器输出功率之间的匹配性，利用激光热效应使栅线掺杂区方阻值达到 40～60 Ω/□。4) 背面刻蚀：用浓度为 20%、温度为 55～65 ℃的四甲基氢氧化铵 (TMAH) 溶液对

基础性材料。高纯石英砂作为生产单晶硅所使用的石英坩埚的主要原材料，将受益于光伏市场的增长以及N型单晶电池片的技术进步，有市场需求空间。据悉，石英材料在半导体产业的应用主要是在晶圆生产中的扩散和刻蚀工艺
，应用于刻蚀工艺的石英部件主要有石英环、石英保护罩等，应用于扩散工艺的石英部件主要有石英舟、石英炉管、石英挡板、套管等。高端石英材料是能够满足其高温、洁净、抗污染和耐蚀等工艺环境要求的先进材料。石英股份

导电氧化物(TCO)导电玻璃镀膜设备、多靶位磁控溅射系统、多线切割机、自动分选机等硅片生产设备;多槽制绒清洗设备、激光刻蚀机、全自动大面积等离子增强化学气相沉积装备(PECVD)、干法刻蚀机
制造企业带动作用，吸引高端装备龙头企业落户，支持本土优秀装备企业发展，研发生产硅基光电器件制造工艺和第三代半导体制造工艺用的沉积设备、刻蚀设备、离子注入、清洗设备、薄膜制备、检测量测等高端装备。(七

主要变化在于背电极的构型上，即形成叉指状的p+区和n+区，其也是影响电池性能的关键。在经典IBC的生产过程中，背电极的构型主要有丝网印刷、激光刻蚀、离子注入三种方法，由此也产生了三种不同的子路线，每种
工艺，因而增加了工艺难度以及生产成本。激光刻蚀具有复合低、掺杂类型可控等优点，但工艺过程复杂，工艺难度大。离子注入具有控制精度高、扩散均匀性好等特点，但其设备昂贵，且容易造成晶格损伤。参考爱旭股份的