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问题就是设备，最早期，最难的就是离子注入和清洗工艺的压力，也是前几年大家克服的困难。第三，双面的银浆，尤其从硅片本身和银浆两点来说是不可和PERC很好的比，再降银耗量都是高的，现在我们找到方法就是厚度
减薄，N型有独到的优势，结合转换效率的提升，再结合组件，功率至少高20瓦，量产功率可以做到575，下半年可以做到585，PERC今年能够提到555就很了不起了，至少高20-20瓦的比例。对杂质的容忍度

等方向发展，预计来料硅片半片成为新建异质结电池厂线的标配。在减薄方面，东方日升在今年上半年就实现了120um的量产能力，近期更是实现到100um的量产能力，未来还将往90和80um前进。同时，还要
技术推动发电成本继续下降的下一代主流电池技术。东方日升在产品设计方面更多是双轮方向驱动产品设计，考虑到产业链低成本，最终要站在发电收益侧看度电成本。HJT伏曦组件主要朝更大电池尺寸、更科学分片、更薄硅片

率来降低生产成本，这无疑对全产业链信息协同和智能化制造提出了更高的要求。对于上述趋势，高测股份技术总工邢旭指出，在各种技术路线中，异质结的薄片化进程最快。当P型硅片还在使用155μm、150μm厚度时
，异质结已经实现120μm硅片规模化量产，更薄硅片方案也已进入研发阶段。作为全球硅片领域创新者，公司始终坚持以研发创新为公司核心竞争力，通过持续研发创新，公司已建立形成包括3项核心支撑技术及16项核心

在于利用光在不同界面处的反射进行干涉相消。当膜层的光学厚度为某一波长的 1/4 时，则利用光波 180°的相位差可以进行叠加相消，氮化硅的折射率为 1.9，是最佳的电池减反膜材料。此外，氮化硅膜
%，24.80%，良率分别为 98.5%，96.5%，97.5%，95.0%。硅片端：硅片端成本差异主要来源于基地材料的选择和硅片的厚度。硅片材料方面 TOPcon 和 HJT 使用 N 型硅片

利用光在不同界面处的反射进行干涉相消。当膜层的光学厚度为某一波长的 1/4 时，则利用光波 180的相位差可以进行叠加相消，氮化硅的折射率为 1.9，是最佳的电池减反膜材料。此外，氮化硅膜在制备的
%，24.95%，24.80%，良率分别为 98.5%，96.5%，97.5%，95.0%。硅片端：硅片端成本差异主要来源于基地材料的选择和硅片的厚度。硅片材料方面 TOPcon 和 HJT 使用 N 型