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。为适应高效PERC多晶电池的要求，协鑫发展了共掺杂技术以降低光衰，在硅片端直接湿法制绒生产黑硅硅片。目前黑硅多晶硅片的PERC电池平均转换效率达到20.6%，60片标准组件效率超过300W。技术
进入大规模量产阶段。技术亮点第三章：薄膜太阳电池研究进展 2018 年各类薄膜太阳电池都取得了较大进展。单结c-Si:H 太阳电池的效率2018 年提高到了11.9%，研究方向仍然以光管理、电学和结构

光衰确实很严重，电池不封装的话一两个月就完蛋了。这个问题后来在材料上得到解决，从2016年开始我们就随时能做到连续工作1000小时而衰减在1%以内，下一步则是在组件上验证这个结果。他说，他们正在通过
，按照这位博士的测算，如果量产的钙钛矿组件效率达到18%，其制造成本将只有单晶的一半甚至更低，而由于无光衰等优势，其单瓦实际发电量很可能会多出20%左右，竞争优势十分明显。　商业化的最大障碍

技术路线的高效电池百花齐放。近两年，由于工艺成本的下降及工艺技术的成熟，P-PERC电池逐渐成为国内市场高效太阳电池的主流，包括单/双面的单晶PERC，黑硅多晶PERTC等，但P型电池的效率瓶颈及光衰
问题【1】也是p-PERC电池发展无法避免的障碍，因此国内光伏行业对各种更高效率前景以及无光衰的高效N型电池的关注程度，研发投入不断增加，N型电池的市场份额也有一定的增长。 N型硅片内部没有B-O

光能则会更多。 (2)无光致衰减。常规P型电池由于使用硼掺杂的硅基底，初始光照后易形成硼氧对，在基底中捕获电子形成复合中心，从而导致3～4%的功率衰减，即使采用氢钝化等技术也无法完全消除光衰;而N型
对比 N型双面由于硅基底的不同，相较P型PERC双面具有一定材料上的天然优势，包括少子寿命高、无光衰、弱光性能好、温度系数良好、对金属杂质容忍度高等等。 (1)少子寿命高。金属杂质是半导体中常见的

PERC组件的高效率&低光衰及Hi-MO2双面双玻组件的高双面率，应用了半片技术后，组件功率与产品可靠性得到了进一步提升。应用于光资源丰富地区的大型地面电站配合固定支架或平单轴跟踪支架可实现最低
，2018.5，双面率82.1%)，量产电池的正面效率也已达22%以上。隆基高效PERC电池使组件具有优秀的弱光性能与低功率温度系数值，在2017、2018年连续获得TV莱茵质胜中国光伏组件仿真第一名;低光衰

、光衰以及三类片的分布等问题已经逐步解决，尾部低效的分布大量减少，高效分布比例可达70%以上。成功的关键在于采用了新的籽晶铺设方式以及独创的铺设晶向。近期杨德仁院士在报告中对技术进步给予了肯定
，同时Fz单晶的氧含量比直拉硅单晶(见半导体硅材料)的氧含量低2～3个数量级，很好解决光衰问题。但区熔单晶的工艺比直拉单晶困难得多，目前国内走在最前面的是中环股份。目前中环股份区熔硅单晶抛光片产量

优势，首先目前的鑫单晶组件采用158.75尺寸大硅片，直角电池结构非常美观，叠加半片和MBB组件技术，可以实现超高组件功率;其次，协鑫对该组件的光衰性能做了测试，结果比直拉单晶低三分之一左右;另外，在
700兆瓦，12月将达到900兆瓦，今年全年鑫单晶硅片产能甚至可达8吉瓦~10吉瓦。此外，现在常用的抗光衰工艺应用在单、多晶和鑫单晶上面都有少许的损失，应用到多晶上面，会造成0.2%的损失，用在

上与直拉单晶组件比功率差小于5Wp。铸锭单晶PERC电池与组件的光衰( LID，LeTID )都低于同产线的直拉单晶产品。铸锭单晶硅片的氧含量低于6ppma，显著低于直拉单晶
，效率达到21.95%;第三个客户不一样的地方，是用黑硅制绒技术来做鑫单晶，效率达到了21.7%。鑫单晶还有个特点，氧含量是非常低的，仅为直拉单晶的一半，光衰低。LeTID数据，大家可以

帝尔激光联合研发，可解决单晶PERC组件的初始光衰(LID)问题。借助LIR技术，单晶PERC组件的首年衰减可以低于2%，这一数据已经低于目前单晶组件3%与多晶组件2.5%的首年衰减行业标准
改造，使156MM的太阳能级硅片的晶片厚度减薄了20微米，产能提升25%以上。隆基于2017年3月份对外公开单晶低衰减技术成果。应用LIR技术即光致再生技术，由隆基股份与澳大利亚新南威尔士大学、武汉