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综合
比亚迪王传福的大梦想:全球新能源之王
来源:索比光伏
发布时间:2009-12-27 01:18:40
核心技术的产业化以及电动车相关配套设施的建设和普及。 王传福试图复制曾两度助其大获成功的全产业链整合模式。去年,他花1.71亿元人民币收购了宁波中纬半导体公司,并准备将其改造成电动车用
IGBT
发电,并通过提高
光伏
电池的转换效率,深度整合太阳能电池产业链。 而在王传福脑中勾勒的新能源版图中,太阳能电站、储能电站和新能源汽车是三个核心板块,他准备大规模应用全球储量最大的金属“铁”和全球
全球新能源
光伏
企业
总投资12亿元的聚焦砷化镓太阳能电池项目落户锦州
来源:索比光伏
发布时间:2009-10-23 11:41:59
十一前夕,深圳中洋田电子技术有限公司负责人来辽宁锦州洽谈在
光伏
产业园区投资建厂事宜。经协商,最后签订了在锦建设聚焦砷化镓太阳能电池及
IGBT
项目合作协议。锦州
光伏
产业园迎来又一重大项目:总投资12
亿元的深圳中洋田电子技术有限公司聚焦砷化镓太阳能电池及
IGBT
(绝缘栅双极型晶体管)项目,目前该公司正在办理核名注册等手续。 (编辑:xiaoyao)
砷化镓
太阳能电池
光伏
要闻
深圳中洋12亿砷化镓电池项目落户锦州
光伏
园
来源:索比光伏
发布时间:2009-10-20 00:06:36
锦州
光伏
产业园迎来又一重大项目:总投资12亿元的深圳中洋田电子技术有限公司聚焦砷化镓太阳能电池及
IGBT
(绝缘栅双极型晶体管)项目,目前该公司正在办理核名注册等手续。 “十一”前夕,深圳中
洋田电子技术有限公司负责人来锦洽谈在
光伏
产业园区投资建厂事宜。经协商,最后签订了在锦建设聚焦砷化镓太阳能电池及
IGBT
项目合作协议。协议签订后,市
光伏
产业发展局工作人员带领中洋田公司及中国电子工程设计
财经
太阳能
光伏
多晶硅
产业
日晶公司单晶硅生长炉项目通过验收
来源:索比光伏
发布时间:2009-10-13 09:13:18
标准。 据悉,该项目产品开发了具有自主知识产权的
IGBT
新型节能直流电源和高精密的谐波传动装置,控制系统采用200万像素CCD、UPS供电、PLC与PC双重自动控制,实现了全程自动控制和网络控制
,扩大单晶炉容量至135KG,成功生产出了8英寸单晶硅棒,用户反映良好,取得了明显的经济效益和社会效益。该项目产品属于光机电一体化高新技术产品,填补了宁夏
光伏
产业设备制造的空白,为推进宁夏
光伏
产业发展起到了积极作用。
太阳能
光伏
要闻
IXYS的副总裁:太阳能发电站的机遇和技术挑战
来源:索比光伏
发布时间:2009-07-15 09:35:59
帮助读者了解这一特殊应用领域的独特技术挑战和把握这方面的商机,本刊特别采访了目前在
IGBT
和MOSFET等大功率器件领域全球领先的供应商IXYS的副总裁Bradley Green。当前随著中国政府加大对
风电装机容量有望突破2000万千瓦,提前实现2020年的规划目标。太阳能发电(亦称
光伏
发电)是近年来投资者关注的另一块热门淘金之地。近几年,全球
光伏
发电市场已得到快速发展,2007年全球太阳能发电
太阳能发电站
风力发电
IXYS
光伏
要闻
实现更高效可靠的太阳能逆变器设计
来源:索比光伏
发布时间:2009-05-07 18:20:03
由于能源需求不断增长,有报告称中国到2010年将成为头号二氧化碳排放国;而化石能源的稀缺,使可再生能源成为全球性话题。因此发展太阳能
光伏
技术成为中国节能减排战略中的关键。《电子工程专辑》市场分析
报告指出,2008年中国大陆
光伏
电池产量已居全球第一,拥有诸如尚德、晶澳、中电
光伏
和天合等一批
光伏
电池精英生产商。而金融危机同时也给了中国太阳能
光伏
产业一个整合与升级的良机。 当前,太阳能
光伏
太阳能
光伏
技术
逆变器技术
英飞凌扩大面向可再生能源和传统电机驱动应用的功率模块生产
来源:索比光伏
发布时间:2009-02-13 10:51:59
目融资140万欧元。 Cegléd工厂主要生产标准功率模块,这种功率模块是风轮机和
光伏
系统太阳能逆变器以及机车驱动装置、有轨电车、制造工厂、扶梯和电梯使用的关键元件。Cegléd位于匈牙利首都
布达佩斯东南约80公里处。 到2012年,英飞凌计划使Cegléd工厂的模块(基于
IGBT
半导体器件)产量翻番,达到年产近600万块。目前,该厂拥有约470名员工,其中大约290人从事于
英飞凌
光伏
要闻
飞兆发布光电耦合器解决方案
来源:索比光伏
发布时间:2008-12-29 09:43:49
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 为
光伏
逆变器、电机驱动和感应加热应用的设计人员带来同级最佳共模抑制 (common mode rejection, CMR
驱动1200V/20A
IGBT
和MOSFET,而这种抗噪性能(高抗干扰性能)有助于(能够)防止可能导致击穿电流(短路电流)和
IGBT
损坏的不必要的开关(误动作)。此外,这些器件还具有严格(优秀
太阳能
光伏
要闻
(一)新型太阳能充电器的研究与设计
来源:索比光伏
发布时间:2007-06-14 22:56:20
1引言 目前,在各种
光伏
电站中,普遍采用太阳电池来收集太阳能并将它储存于蓄电池中以便在需要时再逆变成220V/50Hz交流电供给用户使用。然而,在利用太阳电池对蓄电池充电的过程中
。 由图1可知,主电路拓扑结构为Buck型变换器,利用脉冲宽度控制芯片TL494的输出脉冲来控制主电路功率器件(
IGBT
)的占空比,以改变对蓄电池的充电电流,由此实现太阳电池的恒压跟踪,使太阳电池的
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