目前多晶硅片平均厚度在180um,P型单晶硅片和TOPCon电池的N型单晶硅片厚度都在175um,用于异质结电池的硅片厚度可降到150um,用于MWT和IBC这两种背接触技术的电池最低可降到130um, 相比较常规技术,MWT电池无主栅线,减少了3%~4%的正面遮光损失;MWT电池封装成组件时,如图(2)所示,采用导电背板+柔性导电胶+低温固化的方案取代了常规的涂锡铜带+助焊剂+高温焊接的方案:
A
低温银浆是丝网印刷工艺所采用的关键材料,银浆用量大、成本高昂。传统晶硅电池通常采用高温银浆,导电性能较好。而 HIT 电池采用低温工艺,须使用低温导电银浆。 此外,高温银浆使用的 1-3m 球形银粉无法在低温工艺中使用,专用银粉的开发也是 HIT 低温银浆技术开发的重点。
低温银浆尚依赖进口,国产供应商处于起步阶段。