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综合

西门子法主要包括三氯氢硅合成工艺，三氯氢硅精馏工艺，化学气相沉淀（还原）工艺和尾气回收再利用工艺。首先将冶金级工业硅粉（99％以上）、液氯为原料，采用电解水制氢气，氢气和氯气反应生成氯化氢，氯化氢与硅粉反应制得三氯氢硅，三氯氢硅再与氢气还原反应制得高纯度多晶硅。

进行HCI腐蚀处理。为制备多晶硅薄膜太阳龟池，在激活层表面进行腐蚀形成绒面织构，并在其上进行n-型杂质扩散形成p-n结，然后进行表面钝化处理和沉积减反射层，并制备上电极，进行背面腐蚀和氢
掺杂。用CW-Ar激光束溶化沉积的硅膜，在氮气氛中，400℃-500℃下再结晶。制备薄膜太阳电池时，用常规方法进行P扩散和沉积ITO膜，用氢等离子处理来钝化晶体缺陷。电池也可采用MgF2