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建设成本在5-7千元，三五年内可望降到3-5千元。我国已连续两年成为全球光伏发电装机第一大国。从制造过程来看，我国光伏产业已建立起从核心原材料到主要设备、主要产品、系统集成的完整体系，规模全球第一
发达国家的利率水平来测算，东部地区只有34毛、西部地区只有2-3毛;如果同时给予税收优惠，东部地区度电成本约3毛左右，西部地区只有大约2毛。技术的进步、规模效应的进一步提升，三五年内上述成本还将下降30

的建设成本在5-7千元，三五年内可望降到3-5千元。我国已连续两年成为全球光伏发电装机第一大国。从制造过程来看，我国光伏产业已建立起从核心原材料到主要设备、主要产品、系统集成的完整体系，规模全球
的利率水平来测算，东部地区只有34毛、西部地区只有2-3毛;如果同时给予税收优惠，东部地区度电成本约3毛左右，西部地区只有大约2毛。技术的进步、规模效应的进一步提升，三五年内上述成本还将下降30%以上

国际竞争力的战略新兴产业之一。从90%以上产品出口欧盟，到国内安装应用占到接近一半。技术的不断进步、规模的不断扩大使单位发电装机成本持续降低，目前每千瓦的建设成本在5-7千元，三五年内可望降到3-5
;如果同时给予税收优惠，东部地区度电成本约3毛左右，西部地区只有大约2毛。技术的进步、规模效应的进一步提升，三五年内上述成本还将下降30%以上，成为发电成本最低的能源生产方式，将很快推动光伏发电平价时期

5-7千元，三五年内可望降到3-5千元。我国已连续两年成为全球光伏发电装机第一大国。从制造过程来看，我国光伏产业已建立起从核心原材料到主要设备、主要产品、系统集成的完整体系，规模全球第一、成本全球领先;从
只有34毛、西部地区只有2-3毛;如果同时给予税收优惠，东部地区度电成本约3毛左右，西部地区只有大约2毛。技术的进步、规模效应的进一步提升，三五年内上述成本还将下降30%以上，成为发电成本最低的能源生产

(direct wafer bounding)工艺将微米级的三五族半导体材料转换为硅材;经电浆活化后，外延片表面的次电池(subcell)将呈现真空状接合，使三五族次电池表面的原子与硅原子紧密
。Fraunhofer ISE和EVG成功使4平方公分面积的三五族半导体/硅材多接合电池之转换效率提高到30.2%，突破了硅晶太阳能电池的理论效率天花板29.4%，并由Fraunhofer实验室检证完成。编辑

，Fraunhofer ISE和EVG的研究员透过直接外延片接合（direct wafer bounding）工艺将微米级的三五族半导体材料转换为硅材；经电浆活化后，外延片表面的次电池（subcell）将呈现
真空状接合，使三五族次电池表面的原子与硅原子紧密接合，形成以硅材为基础的次电池。而透过堆叠磷化铟镓（GaInP）、砷化镓（GaAs）、硅（Si）等三种次电池所构成的多接合电池，能吸收更广光谱的太阳光

一举冲高到30.2%。 Fraunhofer ISE和EVG的研究员透过直接外延片接合(direct wafer bounding)工艺将微米级的三五族半导体材料转换为硅材;经电浆活化后，外延片
表面的次电池(subcell)将呈现真空状接合，使三五族次电池表面的原子与硅原子紧密接合，形成以硅材为基础的次电池。透过堆叠磷化铟镓(GaInP)、砷化镓(GaAs)、硅(Si)等

转换效率一举冲高到30.2%。Fraunhofer ISE和EVG的研究员透过直接外延片接合(direct wafer bounding)工艺将微米级的三五族半导体材料转换为硅材;经电浆活化后，外延片
表面的次电池(subcell)将呈现真空状接合，使三五族次电池表面的原子与硅原子紧密接合，形成以硅材为基础的次电池。透过堆叠磷化铟镓(GaInP)、砷化镓(GaAs)、硅(Si)等三种次电池所构成的