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一. 硅片的化学清洗工艺原理　　硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：　　A. 有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。　　B
杂质沾污有两大类：　　a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。　　b. 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般

：#l.G9y8TcmI0il 到2020年全球光伏发电量将占总发电量的1.1%。到2040年占21-26%，而在2050年以后，光伏发电量将达到50%以上。8_@(]7Yr:r6b
2005.1. Semi晶圆制造分会指出2005年全球晶圆出货63.85in2，比上年仅增长2%。尽管电子级硅（EG）的消耗每隔几年就会有波动，甚至硅片消耗量出现下降，但总体是稳步上升的，照此估计