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为您找到 “<b>N<b>型<b>光伏组件”相关结果211 个
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综合
【技术】IBC电池技术及产业化
来源:索比光伏
发布时间:2016-04-12 14:11:18
厚度的
N
型
CZ硅片衬底,最高效率已达25%。SunPower目前拥有年产能为100MW的第三代(Gen3)电池生产线,并且还有年产能350MW的生产线在建。2014年该线生产的电池平均效率已高达
电池技术的研究进展 图1 天合光能最新产业化IBC电池效率分布图 2 IBC电池结构及工艺技术 IBC电池的常见结构如图2所示。在高寿命的
N
型
硅片衬底的背面形成相间的P+
太阳能电池
光伏技术
发电效率
探究:市场需要怎样的BIPV双玻
光伏组件
来源:索比光伏
发布时间:2016-01-27 00:06:59
,我们在传统的
光伏组件
的认证方面,应该说是在未来做得非常不错。也因为我们的常规光伏能源认证,带动了国内的很多厂家走出国门,走向世界。针对刚刚兴起的双玻组件其实是有些关联,或者说
N
型
的双面电池组件应用
光伏组件
双玻组件
光伏建筑
BIPV
光伏市场
光伏要闻
什么样的BIPV双玻
光伏组件
能在市场存活下来?
来源:索比光伏
发布时间:2016-01-26 23:59:59
,就是我们的一些BIPV在做一些隔音以及隔热上的一些应用。因为我本人来自上海,上海这么多的高架道路上,都用
N
型
的双面组件,一个是解决噪音扰人的问题,二是对于上海清洁能源贡献非常好。作为这一类产品它有它
,或者说
N
型
的双面电池组件应用,我们希望能够推出这样一个被大家广泛认可的认证服务。当然我们TUV莱茵一家在推进工作的时候,应该说是相对势单力薄,所以我想请我们的众多厂家包括同行,跟我们一起来建立这样
光伏要闻
高纪凡与全球CEO联署公开信 助力巴黎气候变化大会
来源:索比光伏
发布时间:2015-11-26 10:31:42
长期致力于降低光伏制造和发电成本,提升光伏产品和电站质量,增加这一绿色能源在全球能源供应中的比重,造福更多公众,降低人类生活的碳排放量。截至2015年第三季度,天合光能的
光伏组件
累计出货量已超过15吉瓦
国家,在世界经济论坛的协助下组成跨行业的气候CEO联盟。我们认为,私营部门有责任积极参与全球范围的温室气体减排行动,为实现环境友好型的低碳经济转型贡献力量。此外,本联盟愿意推动、整合各行业的行动与倡议
光伏企业
解析中国光伏产业竞争力评价及路径选择
来源:索比光伏
发布时间:2015-11-26 08:25:38
光伏产业新兴国家,光伏产业发展迅速;同时作为第一人口大国,劳动力资源丰富,在劳动力密集型的中游的太阳能电池生产、
光伏组件
生产上占据 较大优势。日本处于中游B类,相比中国,日本近几年光伏产业发展更为迅速
光伏产业
产业链
光伏行情
【解析】中国光伏产业竞争力评价及路径选择
来源:索比光伏
发布时间:2015-11-26 00:01:59
第一人口大国,劳动力资源丰富,在劳动力密集型的中游的太阳能电池生产、
光伏组件
生产上占据较大优势。日本处于中游B类,相比中国,日本近几年光伏产业发展更为迅速,日本已成为中国
光伏组件
最大出口国。处于中下游的是
光伏产业
光伏市场
光伏行业
深入浅出理解光伏直流系统(二)
来源:索比光伏
发布时间:2015-11-17 11:50:20
n串为例): Imax=(Isc1+ Isc2+ Isc3++ Iscn)*1.25 STEP2. 判定名义上的熔断器安培等级 NEC690.8(B)(1)(a)规定考虑过电流保护装置保险系数时
防线。熔断器对直流电气系统的线路保护可以追溯到1879年,汤伯生(S.P. Thampson)教授在当年生产了一种改进型的熔断器,它是由两根铁丝连接到一个金属球上。这个球是用铅、锡合金或其它低熔点的
光伏直流系统
熔断器
光伏系统
深入浅出理解光伏直流系统(一)
来源:索比光伏
发布时间:2015-10-20 09:07:26
片多晶组件(310W)为例 3.光伏直流侧系统电路是电流限制型电路:基于目前的市场上
光伏组件
的厂家样本,我们可以得知串联在一起的某一路光伏电池组串,当发生短路故障时其短路电流的大小与单个电池发生
篇文章将从国内目前广泛采用的集中式并网发电系统的短路分析入手,对比欧美国家的系统设计,帮业主和EPC客户及设计院重新审视自己的光伏电站的设计和低压电器的选用。 第一部分
光伏组件
篇 要想
集中式
组串式
光伏熔断器
光伏
【干货】保利协鑫游达:如何通过铸锭技术提升
光伏组件
效率
来源:索比光伏
发布时间:2015-09-21 14:52:05
大幅度降低PERC结构电池的光衰,其光衰值由2.7%降低至0.6%左右,掺镓鑫单晶硅片在PERC电池中应用更具优势。 当然,在
N
型
电池片中,由于没有B-O复合体的存在,理论上不会产生
保利协鑫
游达
铸锭
光伏人物
冯志强:降低光伏LCOE的电池与组件技术方向探讨
来源:索比光伏
发布时间:2015-09-18 08:38:26
一个点,普遍由于可以把这个分解,所以就是退货处理还是能够部分解决LID一个衰减的问题。
N
型
硅组件性能测试:PID和LID这种是介质膜在那个96小时的话,衰减那么都在就是说,LLD这个张图我讲多次,把
我的产品做一个初始测试,
N
型
硅稍微有一点,从这点来说,对于7型硅材料来说,还是一种抗BPID方面都是有好的特性,这种电池和组件成大家一个都有兴趣的一个发展方向。谢谢大家。 portant
组件技术
光伏组件
光伏人物
浅析光伏电站中
光伏组件
衰减问题
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-31 11:16:06
硅棒制作中要避免使用低质量的多晶硅料;控制掺人过多低电阻
n
型
硅料,避免生产高补偿的p性单晶棒,因为硼氧含量极高,将导致
光伏组件
出现大幅度光致衰减;提高拉棒工艺水平,降低硼氧含量,降低缺陷密度,改进电阻率
光伏行情
光伏电池板的光衰减现象是怎么产生的?
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-17 11:50:28
这一现象发生的主要原因是P型(掺硼)晶体硅片中的硼氧复合体降低了少子寿命。通过改变P型掺杂剂,用稼代替硼能有效的减小光致衰减;或者对电池片进行预光照处理,是电池的初始光致衰减发生在组件制造之前,
光伏组件
光致衰减
PID
光伏技术
产业
中国光伏产业 在全球价值链下竞争力及路径
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-12 09:12:57
劳动力密集型的中游的太阳能电池生产、
光伏组件
生产上占据较大优势。日本处于中游B类,相比中国,日本近几年光伏产业发展更为迅速,日本已成为中国
光伏组件
最大出口国。处于中下游的是韩国、法国、意大利,中下游也划分
中国光伏产业
竞争力
光伏行业
全球价值链下中国光伏产业竞争力评价及路径选择
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-12 08:57:59
密集型的中游的太阳能电池生产、
光伏组件
生产上占据较大优势。日本处于中游B类,相比中国,日本近几年光伏产业发展更为迅速,日本已成为中国
光伏组件
最大出口国。处于中下游的是韩国、法国、意大利,中下游也划分
光伏产业
光伏评论
解析光伏电池板为何产生光衰减现象
来源:索比光伏
发布时间:2015-08-04 08:39:24
程度。因此要解决
光伏组件
的早期光致衰减问题。就必须从解决硅片问题人手。下面就几个方案进行讨论。 A、改进掺硼P型直拉单晶硅棒的质量 一些单晶棒的质量确实令人担忧,如果不能有效的改变这一状况将
不但效率低,而且早期光致衰减幅度非常大。我们强烈要求不使用低质量的硅料。 2)在高纯多晶硅料中掺人过多低电阻率
N
型
硅料苰IC的废
N
型
硅片等。所制造出的掺硼CZ硅棒是一种高补偿的P型单晶材料。尽管电阻率
光伏组件
太阳能电池
光伏科技
2015年SNEC光伏新品大盘点
来源:索比光伏
发布时间:2015-06-02 11:03:45
。在软件方面拥有高达11种的图像处理,包括亮度调整、局部放大、裁切、伪彩、旋转等等。保证了图片的质量。 贺利氏推出SOL205B与SOL9621升级版系列 贺利氏SOL205B是一款
适用于单晶和多晶太阳能电池的背银浆料。SOL205B浆料的最新构成使得浆料中的银和玻璃化学物质在经过高温前后都具备更高且持久的附着力。不仅如此,SOL205B浆料还有助电池制造商优化主栅线附着力,从而
SNEC
光伏展会
快速识别
光伏组件
产品优劣
来源:索比光伏
发布时间:2015-05-25 09:41:35
为25px,然后用拉力计拉开TPT与eval,拉力大于35N为合格。b.EVA与玻璃的剥离强度:方法同上,用拉力计一端夹住EVA,另一端固定住玻璃,拉力大于20N为合格。6)交联度测试:见交联度测试
光伏要闻
光伏技术路线讨论——为何火的是二代薄膜电池不是三代聚光光伏?
来源:索比光伏
发布时间:2015-03-09 09:25:36
,中国科学院理论物理研究所陈应天研究员独立自主开发的4倍聚光+跟踪+
n
型
光伏电池转盘式发电技术。已做到的指标是: 1)峰值功率售价低。当前在内蒙古多伦地区,包括聚光漏斗在内的
光伏组件
、跟踪装置、逆变器
薄膜电池
聚光
光伏科技
【光伏技路线术讨论】为何火的是二代薄膜电池不是三代聚光光伏?
来源:索比光伏
发布时间:2015-03-08 23:59:59
。我能提供的情况是,中国科学院理论物理研究所陈应天研究员独立自主开发的4倍聚光+跟踪+
n
型
光伏电池转盘式发电技术。已做到的指标是:1)峰值功率售价低。当前在内蒙古多伦地区,包括聚光漏斗在内的
光伏组件
光伏要闻
高效硅基异质结太阳能电池量产的关键因素
来源:索比光伏
发布时间:2015-02-25 11:10:48
(PECVD)沉积多层非晶硅层以钝化硅片的表面,这在元器件的性能表现方面起到至关重要的作用。使用精曜科技的PECVD设备在160um厚的绒面常规
n
型
CZ硅片表面沉积5nm厚的非晶硅钝化层,我们得到了非常低的
了25.6%的记录,这在硅基太阳能电池技术中是最高的。 与传统的P型单晶/多晶太阳能电池相比,
n
型
单晶衬底的HJT太阳能电池可以得到更高的转换效率,而且只需要很少的工艺步骤。同时,HJT具有独特
异质结
太阳能电池
光伏科技
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