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500强 2017第七届中国好伯乐最佳人力资源管理团队奖 2017中国机械工业科学技术一等奖 2017年度最具成长性企业大学奖 2017年度最具成长性企业大学奖位列全球新能源企业五百强中企前三

PERC、PERT、PERL还是HJT、IBC电池技术，都越来越重视电池表面的钝化。随着钝化质量的不断改进，硅片体内的复合缺陷的影响将愈加明显，硅片质量对电池效率的影响也就愈大。无论单晶硅还是多晶硅
，采用了光刻、蒸镀、热氧钝化、电镀等技术。PERC电池与常规电池最大的区别在背表面介质膜钝化，采用局域金属接触，大大降低被表面复合速度，同时提升了背表面的光反射。双面PERC光伏电池 PERC电池的

熟悉的，为什么现在P型占到90%，实际上就是一种惯性。但是随着品质的提高，效率的提升，发现P型它是便宜，但是往高效走，比较麻烦，所以现在又开始实验室就是说有几种高效电池，比较公认的，异质结加IBC
缺陷。磷的分凝系数小。下面看N-PERT技术。N型它的电池有很多种类，我们刚才说第一个效率图，高效率的有异质结，还有未接触电池，对简单的一种所谓的N-PERT，这主要是使用规划生产，它比较便宜，所以应

电池产业化效率接近，但具有更好的成本优势。2）PERC电池的单晶多晶之分，更大程度上是高质量硅片和低质量硅片之争。为提高电池转换效率，无论是PERC、PERT、PERL还是HJT、IBC电池技术，都
了光刻、蒸镀、热氧钝化、电镀等技术。PERC电池与常规电池最大的区别在背表面介质膜钝化，采用局域金属接触，大大降低被表面复合速度，同时提升了背表面的光反射。2006年用于对P型PERC电池的背面的钝化的

，更大程度上是高质量硅片和低质量硅片之争。为提高电池转换效率，无论是PERC、PERT、PERL还是HJT、IBC电池技术，都越来越重视电池表面的钝化。随着钝化质量的不断改进，硅片体内的复合缺陷的影响将
实验室制备，采用了光刻、蒸镀、热氧钝化、电镀等技术。PERC电池与常规电池最大的区别在背表面介质膜钝化，采用局域金属接触，大大降低被表面复合速度，同时提升了背表面的光反射。2006年用于对P型PERC电池

存在光致衰减(LID)问题(从组件厂家的质保承诺来看，首年功率衰减一般不高于2.5%或3%)，主要原因是p型硅片中的硼与氧在室外光照后产生的B-O对导致组件功率降低。采用了PERC技术后，光生空穴
、IBC、HIT)、组件(单晶、多晶、智能)、系统(1500V、跟踪支架、农光、渔光)的降本增效技术都可以叠加在双玻技术平台上面。也就是说，结合高可靠性高发电量的特征来看，双玻是领跑者先进技术的可扩展承载

%，目前，三洋公司结合IBC结构，制备出了实验室转换效率为25.7%的HIT电池。HIT电池特点有：1、结构对称，相比传统晶体硅电池，HIT电池的工艺步骤更少；2、低温工艺，其最高工艺温度不超过200
℃；3、高开路电压，其Voc达到了750mV；4、温度特性好；5、光照稳定性好，HIT电池中没有发现Staebler-Wronski效应，转换效率无因光照而衰退的现象，也不存在B-O对导致的光之衰减现象

”自主研发的IBC高效电池等最新科技创新成果。在今年4月26日，天合光能研发的这项电池技术的光电转换效率创造了世界纪录。2016年6月，天合光能披露2016年第一季度业绩报告，并将其2016年全球的
1000万元人民币，用于抢险救灾和灾后重建。7月，协鑫集团与蓝城集团就共同打造绿色智慧小镇正式签订战略合作框架。朱共山认为，凭借协鑫集团在绿色能源方面的先进技术，以及蓝城集团在房地产行业中的丰富经验，绿色

索比光伏网讯:自2015年国家能源局下发关于发挥市场作用促进光伏技术进步和产业升级的意见开启光伏领跑者计划，到630前首个领跑者基地山西大同采煤沉陷区光伏电站如期并网，再到2016年18.1GW
光伏建设规模中新晋8个领跑者基地，光伏产业的主旋律逐渐被领跑者接手。回归光伏领跑者计划始源，顶层设计旨在细分市场刺激企业加快技术和应用创新，引导国内光伏制造业从追求规模扩张向注重质量效益转变。在张家口举行

电极遮光减小到极致的是IBC电池，如图4所示。该技术在电池背面分别进行磷、硼局部扩散，形成有指状交叉排列的P+区和N+区，以及相对应的P区金属电极和N区金属电极。所有的金属电极都排列在电池背面，因此正面
窗口，背面的光生电流通过该窗口被背面铝层收集。目前PERC电池技术已经成为热门的高效量产技术，其转换效率提升在0.5~0.8个百分点之间。图6A. PEC电池图6B. LFC电池 3

，而且也减少FF损失和提高Jsc(分别大约2.5%和1.6%)。图3.MWT电池及其横截面示意图把正面电极遮光减小到极致的是IBC电池，如图4所示。该技术在电池背面分别进行磷、硼局部扩散
已经有反应离子刻蚀(RIE)或者湿法纳米黑硅技术应用到规模化生产中。RIE通常使用SF6/O2混合工艺气体，在蚀刻过程中，F自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的SiF，O自由基形成SixOyFz对侧墙进行