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或电阻。通过XPS和接触角测试探究了DMF冲洗对ALD ITO表面羟基密度的影响。在DMF冲洗后，相对OH含量从160.1%变为160.0%(图3，A和B，以及表S6)，而ALD ITO的
室温保持在25°C时，设备的温度为55 ± 5°C。使用DC-TMPS和MeO-2PACz锚定的ALD ITO的PSCs在操作2000小时后分别保留了初始PCE的98.5%和93.6%，而仅使用

阳离子，B是金属离子，X则是卤素离子。这种结构赋予了钙钛矿优异的光吸收能力和电荷传输特性。具体来说，钙钛矿太阳能电池由多个功能层叠加而成。最底层是导电基底，它负责收集并传输电流。紧接着是电子传输层，它的
金属氧化物作为电子传输层。这一步骤通常通过旋涂、喷雾热解或原子层沉积(ALD)等方法实现。介孔层沉积：在致密层上沉积一层介孔TiO2或其他氧化物，以增加电子传输层与钙钛矿活性层的接触面积。介孔层可以

优化热原子层沉积(ALD) Al2O3钝化层边缘钝化工艺。实验C在实验A和B中比较LSMC和TLS切割技术。实验中，所有的TOPCon电池同一批次同一效率，使用GridTouch接触的自动测试仪进行
TOPCon太阳能电池。(A-III) 通过(A-I)和(A-II)的TLS优化工艺，对从正面或背面切割的叠瓦电池进行I-V测试。2.2.2实验B：优化ALD沉积Al2O3钝化层为了优化叠瓦电池上热ALD沉积

)没有可见的电极从而减少了遮光损失，3)降低了汇流的电阻损失。叠瓦最初仅应用于小众市场，如卫星设备、电子设备和电动汽车。叠瓦太阳能电池的潜力不仅在出版物和专利中发表和发布，也在商业叠瓦组件中暂露头角
，通过在电池侧切面边缘镀一层钝化层来降低边缘处的有效边缘复合速度。“pSPEERPET”是PET工艺边缘钝化后的太阳能电池，如图1(b)。在本文中，PET工艺由两个步骤组成：太阳能电池激光切割后沉积

欧洲转移至中国，早期的技术积累叠加光伏设备成本大幅降低，为异质结的量产化发展铺平道路，汉能，中智，通威，阿特斯，迈为，东方日升，华晟，隆基等成为国内 HJT领先企业。2021年 6月初
设备投资成本，生产良率，产线兼容性以及量产难易程度。光伏电池的生产工艺主要包括清洗制绒，由于不同电池技术的结构存在差异，生产工艺也不尽相同。从生产步骤上来看工艺步骤由少到多分别为 HJT

欧洲转移至中国，早期的技术积累叠加光伏设备成本大幅降低，为异质结的量产化发展铺平道路，汉能，中智，通威，阿特斯，迈为，东方日升，华晟，隆基等成为国内 HJT领先企业。 2021年 6月初，隆基绿能
的同时完成了单晶硅的表面钝化，大大降低了表面、界面漏电流，电池效率较传统晶硅电池有较大幅度的提升。 3 工艺步骤：生产工艺决定量产难度电池结构的复杂程度决定了电池量产的工艺步骤，同时也决定了设备

该激光消融设备中，532nm激光从激光器输出后，先经过两路全反射镜反射，再经过扩束镜、手动光阑后输入激光扫描振镜、聚焦透镜，最后输出经过聚焦后的激光。 2. 激光经过1号反射镜，让其传输方向改变90
可以保证激光传输过程中功率损耗降到最小)通过2号反射镜后的激光，经过扩束镜中心输出，直至扫描振镜输入端中心输入。 4. 设备运行一段时间后，需要打开防护盖板，确认反射镜、扩束镜、光阑固定螺丝是否松动

浆料。 3) 检测设备：膜厚测试设备SE400 椭偏仪、D8-4 积分反射仪、少子寿命测试仪WT-2000、JJ224BC 电子天平、蔡司Axio Scope A1 显微镜、Gemini
Sigma 300 SEM 场发射扫描电镜、I-V 测试设备Berger PSS10。 1.2 制备流程采用氧化铝浆料制备黑硅PERC 多晶太阳电池的工艺流程为：①黑硅制绒②扩散③刻蚀去PSG ④背面

22.8%的高转换效率，其基本结构如图2a所示。1999年，UNSW的该团队再次宣布其PERL太阳电池(如图2b所示)转化效率达到24.7%。与传统的单晶硅太阳电池相比，PERL太阳电池的主要特点和优势包括
提供更高的势垒阻挡其隧穿，因而该层具有载流子选择性。TOPCon太阳电池的隧穿氧化层钝化接触结构的能带图和其结构示意图如图6a、b所示。 Fraunhofer研究所采用N型FZ硅片，正面采用普通

FZ硅片上实现了22.8%的高转换效率，其基本结构如图2a所示。1999年，UNSW的该团队再次宣布其PERL太阳电池(如图2b所示)转化效率达到24.7%。与传统的单晶硅太阳电池相比，PERL
隧穿氧化层，而电子则能够轻易达到。相比于电子，超薄氧化层也会为空穴提供更高的势垒阻挡其隧穿，因而该层具有载流子选择性。TOPCon太阳电池的隧穿氧化层钝化接触结构的能带图和其结构示意图如图6a、b所示

(ALD)技术形成的Al2O3层被用于进行背面钝化。沉积形成的Al2O3层还要进行一次后沉积退火，这一步被集成在随后的背面SiNx减反射膜(ARC)沉积工艺上，采用的是管式等离子增强化学气相沉积
传统多晶硅电池技术高出0.9%。图二：(a)多晶硅PERC电池的效率分布。(b)60 片和120片多晶硅PERC组件的功率分配。表一比较了多晶硅PERC和传统黑硅多晶硅电池的I-V特性

重要方向。图：基于AlOX的背钝化技术的市场份额预测(来源：ITRPV 2018) 表：PECVD与ALD Al2O3钝化膜制备工艺比较量产设备的出现也是PERC实现产业化不可或缺
技术。背面抛光并不需要添加专门的工艺和设备。只需在清洗时改变用于蚀刻的化学试剂。在这个步骤中，可以加强化学试剂以达到理想的表面粗糙度。蚀刻成都也取决于介质膜沉积的工艺。如ALD沉积膜的质量非常好

金属接触，有效降低背表面的电子复合速度，同时提升了背表面的光反射。 PERC电池实验室制备采用了光刻、蒸镀、热氧钝化、电镀等技术，而产业化PERC工艺采用了PECVD(或ALD)法钝化、激光开孔
，单晶PERC的光衰主要与电池中B-O对有关，此类衰减可通过降低硅片中氧含量、掺Ga、光照+退火等工艺消除。图二单晶PERC电池的LID衰减和恢复机理图三国产PERC电池的光照恢复

，PERC) 电池是一种发射极与背面双面钝化的太阳电池。通过ALD技术，在电池片背表面沉积一层Al2O3，然后再使用等离子化学气相沉积法(Plasma Enhanced Chemical
制作流程一般为：制绒- 扩散-刻蚀-ALD- 正面PECVD- 背面PECVD- 激光开槽- 丝网印刷。随着PERC 电池的量产，在EL测试中，EL 测试仪总能测出正面发暗的电池片，如图2 所示

硅片、控制硅片内的氧含量;其二是对电池片通过在一定温度下进行光、电注入，使B-O对中性化不会吸附产生的少数载流子，从而减少光衰，设备厂家有Centrotherm、科隆威、Schmid、时创等。随着
国内某司)控制在20-25nm，ALD模式(主要厂家有Solay Tec、Levitech、NCD、Ideal Energy、Lead Micro等)控制在3-9nm。厚度的不同导致使用关键化学品

受限于正面导电银浆技术的发展，各类型镀膜工艺并未取得一致性的效率和量产性，这阻碍了PERC技术的大规模快速量产和产线设计的灵活性。特别是基于加工时间式ALD双面氧化铝钝化工艺，由于设备自身特点，除了在
展览会（PV Taiwan 2017）期间宣布推出全新一代DK92正银技术平台，率先兼容包括双面氧化铝钝化在内的各类PERC背钝化镀膜技术与工艺，包括原子层沉积ALD（包括空间区隔式ALD、基于加工

晶硅电池由于p+发射结均匀性差导致填充因子较低，并且长期使用或存放时，由于发射结表面钝化不理想等原因电池性能会发生衰退。另外，B2O3的沸点很高，扩散过程中始终处于液态状态，扩散均匀性难以控制，且与磷
单晶硅，正面通过离子注入形成硼掺杂p+发射结，正面采用ALD工艺沉积Al2O3钝化层钝化发射结降低表面复合速率，再用PECVD沉积SiNx形成减反膜。正面光刻工艺开槽后用蒸镀方法形成Ti/Pb/Ag

。但受限于正面导电银浆技术的发展，各类型镀膜工艺并未取得一致性的效率和量产性，这阻碍了PERC技术的大规模快速量产和产线设计的灵活性。特别是基于加工时间式ALD双面氧化铝钝化工艺，由于设备自身特点
Taiwan 2017)期间宣布推出全新一代DK92正银技术平台，率先兼容包括双面氧化铝钝化在内的各类PERC背钝化镀膜技术与工艺，包括原子层沉积ALD(包括空间区隔式ALD、基于加工时间式 ALD即