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毕业于河北大学微电子学专业，后留校任教做到了教授和系主任，研究方向主要是光伏材料。2000年，他赴澳大利亚新南威尔士大学，师从有“太阳能电池之父”之称的马丁·格林教授。学成归国后，入职老牌光伏企业
英利集团担任CTO，主导建立了我国第一个“光伏材料与技术国家重点实验室”和“国家能源光伏技术重点实验室”。在光伏电池技术轰轰烈烈的迭代大潮中，宋登元是N型技术的科研“领军者”之一。在任职英利集团CTO期间

，尽管硅太阳能电池是一种成熟的太阳能技术，并且可以很好地用于陆地应用，但由于硅的带隙很窄，它们远不适合为水下系统供电。具有较宽带隙的材料，如CdTe、非晶硅(a-Si)和GaInP，已经被探索用于水下应用
令人兴奋的半导体材料，因其溶液和真空加工能力以及在太阳能电池、LED、光电探测器和激光器方面的出色性能而受到光电子学界的广泛关注。这些材料具有多种不同的带隙值，取决于A(MA+、FA+、Cs+等)、B

利用 PN 结的原理产生光生电流，不同的是 HJT 电池的发射级是一层非常薄的非晶硅层，然而由于非晶硅本身的特性以及晶格失配产生的缺陷，使得产生的载流子在接触表面附近很容易复合，因此要在晶体硅
包括氮化硅膜，氧化铝膜，二氧化硅膜，非晶硅膜，透明导电膜等。PERC，TOPcon，HJT，P-IBC 等电池技术通过使用不同的膜层来达到提效目的。氮化硅膜：减反作用和钝化作用。减反射膜原理

，都是利用 PN 结的原理产生光生电流，不同的是 HJT 电池的发射级是一层非常薄的非晶硅层，然而由于非晶硅本身的特性以及晶格失配产生的缺陷，使得产生的载流子在接触表面附近很容易复合，因此要在
包括氮化硅膜，氧化铝膜，二氧化硅膜，非晶硅膜，透明导电膜等。PERC，TOPcon，HJT，P-IBC 等电池技术通过使用不同的膜层来达到提效目的。氮化硅膜：减反作用和钝化作用。减反射膜原理在于

近日，上海微系统所微系统技术重点实验室新能源技术中心刘正新团队在非晶硅/晶体硅异质结(SHJ)太阳电池的掺杂非晶硅(a-Si:H)薄膜中发现到反常Staebler-Wronski效应，并证明该反常
器件的可靠性造成了巨大的困扰，也影响了非晶硅薄膜太阳电池的开发利用。 非晶硅领域认为薄膜中H原子的主要存在形式是Si-H共价键。2020年，刘文柱等人基于大量实验数据，发现上述结构模型并非永恒成立

辅助涂布法示意图;(B-E)不同Cs含量钙钛矿薄膜和电池性能的表征。在串联型钙钛矿光伏组件中，每两个子电池的连接区存在复杂的互连结构，在该互连区内由于钙钛矿吸光层与背面金属电极间直接接触，存在
光伏材料与器件的研究工作，包括钙钛矿太阳能电池、硅基太阳能电池及新型高效低成本叠层太阳能电池，实现了全钙钛矿叠层太阳能电池、平面型钙钛矿太阳能电池、非晶硅/微晶硅叠层太阳能电池光电转换效率的世界记录，钙钛矿叠层电池的世界纪录3次被业界权威的Solar cell efficiency tables收录。

P型硅相比，N型硅少子寿命更长，对Fe等金属有更高的容忍度，以N型硅为基底的电池片理论转换效率更高，且不会发生由于B-O复合体导致的LID(Light Induced Degradation)光致
电池结构 N型Poly passivated电池以N型硅片为基板，使用一层超薄的氧化层来钝化电池的背面，其中背面氧化层厚度1~2 nm，随后在氧化层之上沉积50~200 nm非晶硅并掺磷，之后经过

。 HWCVD技术自1979年由Wiesmann发明后并未引起人们的关注，直至20世纪80年代后期Doyle和Matsumura等人才开始对HWCVD制备氢化非晶硅(a-Si:H)进行研究，在1991年
，Mahan等人首次证明了HWCVD技术可生产器件级质量的a-Si:H材料。在1993年Kaiserslautern大学和NREL首次用HWCVD技术成功制备了薄膜硅太阳能电池，而到1995年，乌得勒支

为功能性要求，并将增加相应示意图在条目5中阐明绝缘距离DTI的概念以及相关材料的测试要求以及附录B内容明确各项术语定义及测试要求，并允许新颖的组件型式设计(如减小电池片间隙)，具体修改内容仍在进一步讨论
10月25-29日，IEC TC82 WG2 2021秋季会议顺利召开，来自国内光伏零部件、电池和组件制造企业以及包括鉴衡认证中心在内的第三方机构的专家们共同组成了中国代表团出席了此次会议，积极