发射极引入背面，实现把前表面收集的电子传导到背电极上，电池的P型电极和N型电极的细栅全部交叉排列在电池背面，简化了封装工艺。前表面依然采用优良的金字塔结构和减反射膜，以减少光的反射损失，从而达到了提高

发射极上的指形电极，而Al用于作为p型基极上的背电极。硅片太阳能电池达到万亿瓦数量级的主要瓶颈之一是Ag的稀少。根据美国地质调查(U.S. Geological Survey)，地球上已知的Ag储量

晶圆两面形成非晶硅层的异质结构造的HIT太阳能电池（图1）。非晶硅层可减少硅晶圆表面的结晶缺陷、抑制再结合损失，因此容易提高电压。但受非晶硅层、透明导电膜和表面电极等的影响，有部分太阳光被遮挡，因此

%转换效率的是在单晶硅晶圆两面形成非晶硅层的异质结构造的HIT太阳能电池(图1)。非晶硅层可减少硅晶圆表面的结晶缺陷、抑制再结合损失，因此容易提高电压。但受非晶硅层、透明导电膜和表面电极等的影响，有部分

构造的HIT太阳能电池（图1）。非晶硅层可减少硅晶圆表面的结晶缺陷、抑制再结合损失，因此容易提高电压。但受非晶硅层、透明导电膜和表面电极等的影响，有部分太阳光被遮挡，因此很难提高电流值
98m的HIT太阳能电池的单元转换效率达到23.7％，2012年提高至23.9％。该公司此次通过提高电极的宽高比以及抑制透明导电膜的光吸收，将短路电流密度由2012年的38.9mA/cm2成功提高到

SolarWorld提出专利侵权诉讼，杜邦公司称，贺利氏及SolarWorld制造、销售或采用贺利氏正面电极银导电浆料，已侵害杜邦公司美国专利8,158,504B2号。 随后，2012年9月贺利氏反诉杜邦公司

硅片-硅片间重复性是1.4%（1），而硅片内的不均匀性低至0.6%（1）。B注入避免了与B扩散和去除B-氧化物有关的难点。与硬掩膜结合也能使工艺步骤数显著减少，实现PERL和IBC电池概念中的局部掺杂区

(a)。从图1(b)可以证实，在AAO膜底部的氧化铝阻挡层已彻底除去，这使膜能用作真空蒸发时的遮蔽掩膜。AAO的孔径及厚度可以分别用调节孔加宽处理和第二次阳极氧化的加工时间控制。本研究中用的AAO膜的

%；第一个光伏电池供电的卫星先锋1号发射，光伏电池100c㎡，0.1W，为一备用的5mW话筒供电。1959年Hoffman电子实现可商业化单晶硅电池效率达到10%，并通过用网栅电极来显著减少光伏电池串联电阻