%。A-300电池采用n型硅材料作为衬底,载流子寿命在lms以上。正表面没有任何电极遮挡,并通过金字塔结构及减反射膜来提高电池的陷光效应。电池前后表面利用热氧钝化技术生成一层Si02钝化层,降低了表面复合
等封装材料进行分析。
一、引言:
晶体硅太阳电池经封装后,通常组件的功率会小于所有电池片的标称功率之和。这个差值,就称为组件封装功率损失,计算方法为:封装损失=(理论功率-实际功率
)/理论功率。如何降低功率损失,是优化组件制造工艺的重要内容。导致组件封装损失的因素有电学损失、光学损失等,具体如下:
(1)串联电阻损耗:汇流条或互联条电阻、焊接不良电阻(虚焊)、焊带与电极之间的
,原来的有机电解液在制造电池单元时,需要在真空状态下注入液体,而凝胶电解质只需在电极板上涂布即可。由此,电池单元全部可以通过连续处理制造,生产效率可提高至原工序的10倍。通过提高生产效率,预计还有望比原产
(a)。试制的层压型单元实现了900Wh/L的能量密度。(图(b)由《日经电子》根据积水化学的资料制作) 为增加容量,电池的负极采用硅类材料。积水化学独自开发出了在硅和硅氧化物中加入导电用碳材料的
位数的10-3S/cm级离子导电度。 通过采用凝胶电解质而非有机电解液,消除了液体泄漏的情况,安全性得到提高。而且,原来的有机电解液在制造电池单元时,需要在真空状态下注入液体,而凝胶电解质只需在电极
添加某种东西需要特定高温烧结来说是有可能的,因为基于这个正面电极的原理,他除了正常的电极外还可以做选择性发射电极即SE电池,实现的方法很多,其中之一就是硅墨技术,而且也只有这个技术当年大规模使用过,只是
(superstrateprocess)制造而成(如图一中(b)和(c)所示)。为了确保组件的力学稳定性和对整个太阳能电池吸收光谱范围内的高透光率,并保护电池和金属电极不受外界环境侵蚀,必须在电池前表面
,还需要与一些外围设备进行组合封装。电池片外围制造的部件和方法包括组件结构、电池片连接、组件安装、电极制造、层压、吸收层、叠层结构、中间膜、散热部件、背板、边框、接线盒、焊接以及检测方法等。组件结构
p型、i型、n型三层a-Si,接着再蒸镀金属电极铝(Al)。光从玻璃面入射,电池电流从透明导电膜和铝引出。非晶硅薄膜太阳能电池是将非晶硅以薄膜的形式沉积到导电玻璃或不锈钢等载体上形成的太阳能电池,它
依次用等离子体反应沉积p型、i型、n型三层a-Si,接着再蒸镀金属电极铝(Al)。光从玻璃面入射,电池电流从透明导电膜和铝引出。非晶硅薄膜太阳能电池是将非晶硅以薄膜的形式沉积到导电玻璃或不锈钢等载体上
应用。现在为降低成本所研究的高效电池主要是从减少表面陷光、表面遮光损耗等几个方面入手。为了减少表面遮光就要把栅线做得很细,但是细的栅线又会使得电极接触电阻增加,同时也增加了工艺难度,所以早在20世纪70年代
就有人提出背接触太阳能电池的概念。该技术基本消除了正面栅线电极的遮光损失,更加充分地利用了光照,提高了电池效率。同时,背接触电池还将电池的两极从背面引出,降低了封装难度,简化了制作工艺,使得电池更加美观



