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、生产、销售。是我国重要的太阳能电池片、太阳能电池组件和太阳能灯具供应商之一。隆基股份：公司的主营业务包括单晶硅棒、硅片的研发、生产、销售，主要产品包括 6 英寸、6.5 英寸、8英寸的单晶硅棒
、多晶硅生产开发。保变电气：公司拥有51%股权的天威英利硅片年产能70兆瓦、电池60兆瓦、组件100兆瓦；公司拥有35.66%股权的四川新光硅业拥有1260吨多晶硅产能。向日葵：公司已熟练掌握了光伏电池

日至投标截止日期间至少具有同类型晶体硅片或电池组件500MW生产供货业绩; 3.8 投标人不能作为其他投标人的分包人同时参加投标;两个及两个以上企业的法定代表人为同一自然人的关联企业或有关联关系的
光伏组件。 2.2招标范围：本光伏发电项目所需光伏电池组件，包括光伏电池组件及其辅助材料等，包括但不限于设计、制造、运输及储存、安装指导、调试试验及检查、竣工、试运行、消缺、考核验收、技术和售后服务、人员培训等

现有光伏企业、光伏产业园区为重点，依托大企业大集团，集中发展，链条化发展，着力打造有较强竞争力的光伏产业集群。力争到2020年，我区多晶硅产能达到10万吨，单晶硅产能达到4万吨，太阳能电池及组件超过
、热发电系统控制器、有机郎肯循环发电机等; 5、光伏生产设备：1)硅棒硅块硅锭生产设备：全套生产线、铸锭炉、坩埚、生长炉、其他相关设备;2)硅片晶圆生产设备：全套生产线、切割设备、清洗设备、检测设备

每锭C15块挑选底部相同高度位置硅片进行形核对比如图1(b)与1(c)。可以看出两种技术都可以获得尺寸小而且均匀的晶粒分布。有籽晶高效多晶硅技术硅锭获得的小尺寸晶粒来源于底部碎小的硅料外延生长，而无
还有较多优化空间。电池效率方面，有籽晶高效多晶硅锭较无籽晶高效多晶硅锭平均效率高。但电池效率优势主要体现在中下部，这一结果与PL检测结果相吻合，三块的效率优势分别为0.12% (B

) 遮挡面积的确定a) 电池片没有遮挡时，对应面积为0%；b) 按IEC 61215 第三版确定Imp时遮挡面积；无热斑组件Imp 的遮挡面积为6.18%；传统组件Imp时遮挡面积
电池片热斑温度和硅片、电池片及组件制造工艺有很大关联性，各组件厂的测试数据也不完全一致，但有以下的平均值：组件种类

厚度的N型CZ硅片衬底，最高效率已达25%。SunPower目前拥有年产能为100MW的第三代（Gen3）电池生产线，并且还有年产能350MW的生产线在建。2014年该线生产的电池平均效率已高达
电池技术的研究进展图1 天合光能最新产业化IBC电池效率分布图 2 IBC电池结构及工艺技术 IBC电池的常见结构如图2所示。在高寿命的N型硅片衬底的背面形成相间的P+

，解释单多晶组件CTM不同的内在原因。 1、组件CTM影响因素影响CTM的因素很多，包括： A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。 B.电阻损耗，电池片本身的
，低效片混入)。 D.热损耗，组件温度升高会引起的输出功率下降。 E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。 F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要

单多晶组件CTM不同的内在原因。　　1、组件CTM影响因素影响CTM的因素很多，包括：A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。B.电阻损耗，电池片本身的串联电阻损耗、焊带
损耗，组件温度升高会引起的输出功率下降。E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要包括2个方面，光学损耗和硼氧复合损耗

组件CTM不同的内在原因。1、组件CTM影响因素影响CTM的因素很多，包括：A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。B.电阻损耗，电池片本身的串联电阻损耗、焊带，汇流条本身的
会引起的输出功率下降。E.B-O复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。F.组件生产过程中产生隐裂或碎片。影响单晶和多晶组件CTM差异的因素主要包括2个方面，光学损耗和硼氧复合损耗。光学损耗产生的

的硅片原始厚度为180~190m，硅料消耗成本大幅降低，极大地促进了光伏产业的迅速发展。采用金刚线切割技术可以切割出厚度为100m的硅片，将超薄电池的工艺技术又推进了一步。Jan Hendrik
Petermann采用蒸镀的方法已制备出厚度为43m、效率达19.1%的高效PERC电池。硅片减薄，会影响太阳电池的机械性能和吸光性能，而且必须对常规电池生产线进行改进，以适合批量投产。本文对不同厚度