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)。为了进一步降低基极接触区的复合速率,在其他区域保持不变的情况下,用局部硼扩散制作的硼背场(B2BSF)替换LFC制作的铝背场(Al2BSF),提高了短路电流,使效率提升到21.5%。由于背面电极是
成绩,但仍有许多不足之处需要改进,主要集中在3个方面:①降低成本。包括降低对衬底质量的要求、制作工艺易于工业化、简化工艺步骤等,②性能优化。包括电池结构的设计、陷光及钝化效果的优化、背面接触电阻的降低

近日印度首个针对光伏太阳能的可再生能源认证（REC）正式发布。NSE及BSE上市企业M and B Switchgear Ltd 已获得了印度新德里国家负荷调度中心颁布的REC认证。RECs是给予
风电、生物质能、水电及光伏等可再生能源发电方的证书。这些证书可允许进行电力交易，特定的客户或电力经销企业有义务购买可再生能源电力。总部位于印多尔的M and B Switchgear是一家变压器制造商

比，且也有各向同性刻蚀现象。在半导体器件制作过程中，纯化学性刻蚀通常应用于不需图形转换的步骤中，如用于光刻胶的去除。使用最广泛的是物理性的离子轰击与化学性反应相结合的刻蚀方法。此法兼具各向异性与高刻蚀
的基本原理等离子体刻蚀的基本原理可以概括为以下几个步骤：①在低压下，反应气体在射频功率的激发下，产生电离并形成等离子体，等离子体是由带电的电子和离子组成，反应腔体中的气体在电子的撞击下，除了转变成离子

扩散到硅中去。箱法扩散，又称半开管扩散（如图４．３ｂ），是封管扩散的改进，采用一个石英或硅制成的带盖子的箱子，扩散时把硅片和杂质源一起放入箱内，盖上盖子送入扩散炉管中，炉管内的惰性气体起保护作用。封管
、ＣＨ４０２）修正，以及设定报警温度值、窗口锁定等的手动操作，均可采用类似温度值（Ｆ４００、ＣＨ４０２）的手动设定步骤进行。２．计算机的操作使用工艺过程中的自动进出舟、斜率升降温、分段恒温、开关电磁阀

因子和20．8％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高
，特别是对碳含量高的材料就显不出磷吸杂的作用。有学者提出了磷吸杂模型，即吸杂的速率受控干两个步骤：①金属杂质的释放／扩散决定了吸杂温度的下限；②分凝模型控制了吸杂的最佳温度。另有学者提出，在磷扩散时硅的自

％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高的主要因素。PERC和PERL
太阳电池专用的吸杂工艺。研究证明，在多晶硅太阳电池上，不同材料的吸杂作用是不同的，特别是对碳含量高的材料就显不出磷吸杂的作用。有学者提出了磷吸杂模型，即吸杂的速率受控干两个步骤：①金属杂质的释放／扩散

430kg，籽晶的具体排列方式和籽晶、硅料及掺杂剂的填装方式如附图2a、2b所示，图2a图2b掺杂剂为硼、稼或磷，掺杂后目标晶体的电阻率为1.50～2.0.cm。装料后抽真空，控制功率进行加热；进入熔化
阶段后，采用温度控制分段加温，到熔化最后一步将加热器控制温度调节至1540℃，保持至籽晶熔化阶段，待坩埚底部温度为1350℃，且底部升温速率为0.07℃／min上下时，结束熔化步骤，跳转至长晶阶段

硅片切割的3个步骤：切料, 切方和切片硅片是晶体硅光伏电池技术中最昂贵的部分，所以降低这部分的制造成本对于提高太阳能对传统能源的竞争力至关重要。本文将对硅片切片工艺、制造业的挑战和新一代线锯技术如何降低
，最低可达到80m。相对于业界领先的应用材料公司HCT B5线锯系统，这些改进减少了硅料损失使产量提高多达50%。更高生产力的线锯系统在同样的硅片产量下可以减少机台数量。因此，制造商可以大幅降低设备

3.1875英寸的位置做一个标记,然后隔开0.3125英寸再做一个标记,标记画0.875英寸深。之后再做3个一样的标记,每个标记相隔2.25英寸。重复相同的步骤做第2块木条的窄口。　　2b. 把四块
。　　1a. 将RadioShack洞洞板切割成单个的小方块,如果你有自己的洞洞板,你可以把它切成2英寸2英寸的大小。　　1b. 把所需要的电子元件分成组:电压触发器、三极管、可调电阻、二极管、4700 F电容

的填装方式如附图2a、2b所示，掺杂剂为硼、稼或磷，掺杂后目标晶体的电阻率为1.50～2.0.cm。装料后抽真空，控制功率进行加热;进入熔化阶段后，采用温度控制分段加温，到熔化最后一步将加热器控制温度
调节至1540℃，保持至籽晶熔化阶段，待坩埚底部温度为1350℃，且底部升温速率为0.07℃/min上下时，结束熔化步骤，跳转至长晶阶段。进入长晶阶段，快速将温度由1540℃降至1440℃，并关闭

最新突破（2011年9月5日至8日，A1展厅，展位B1）。目前，Manz是全球唯一可供应完整可量产并获利的CIGS太阳能电池组件交钥匙生产线制造商。Manz将在此次展会上再次展示其CIGSfab的实力
通过增加模块效率，降低物料消耗或者通过个别工艺步骤的系统优化来实现效率优势。Manz可以提供价格合理的自动化系统，先进的激光技术以及高性能的检测设备来达到这个目标。

重点是CIGS薄膜技术的最新突破（2011年9月5日至8日，A1展厅，展位B1）。目前，Manz是全球唯一可供应完整可量产并获利的CIGS太阳能电池组件交钥匙生产线制造商。Manz将在此次展会上再次展示
效率，并再次具有盈利能力。电池组件和模块制造商可以通过增加模块效率，降低物料消耗或者通过个别工艺步骤的系统优化来实现效率优势。Manz可以提供价格合理的自动化系统，先进的激光技术以及高性能的检测设备来达到

年9月5日—8日）A1馆B1展位上，Manz公司将展示用于制造晶体硅太阳能电池和薄膜太阳能组件的新设备，展出的重点是铜铟镓硒（CIGS）技术的最新发展。 Manz声称，CIGSfab系统是
，“但是，它们可以升级以增加效率，这样的话可以再一次实现生产利润。”电池和组件制造商可以实现效率高等优点，主要是通过增加组件的效率，降低材料消耗，或通过个别工艺步骤的系统优化。为了实现这一目标，该公司提供价格合理的自动化系统、创新的激光技术以及高性能的检测设备。

案例来简要说明如何通过交互式可视化的分析，事半功倍地提高生产能力，降低劣质成本。简单太阳能电池生产的过程基本上分为八个主要步骤，大致可以用下面这张流程图表示。简单太阳能电池的大致整体工艺流程首先，在收集
了历史数据后，我们希望能迅速找到改善的最佳突破口，看看改善哪些工艺对提高整体的实际直通率影响最大。从JMP的“预测刻画器”中看出一些端倪：在八个步骤的实际良品率与整体的实际直通率的线性关系图上，我们

Si由于本身内部长程有序的晶格结构，其电池效率明显高于多晶Si电池，是Si基高效太阳电池的首选材料。然而，单晶Si内部杂质和晶体缺陷的存在会影响太阳电池的效率，比如：B-O复合体的存在会导致单晶电池的
传输过程对晶体缺陷的形成与生长起着决定性的作用。提高晶体的温度梯度，能提高晶体的生长速率，但过大的热应力极易产生位错。在图3(b)中甚至可以很清楚地看到旋涡缺陷，旋涡缺陷是点缺陷的*，产生于晶体生长时

增长，将生产出越来越多的太阳能。首次“光伏能源世界”特别展览将展示将环境友好型电力输入公共电网的必要步骤，该展览还将展示德国未来的能源结构，以及光伏技术在其中扮演的角色。特别展览由英特太阳能欧洲展
、光热技术和光伏生产设备。在B2展厅进行的创新交流活动，将展示当今的产业趋势和新产品。在创新交流活动期间，参展商有15分钟的时间来展示自己的创新，然后在展示后与观众进行讨论。在C2展厅举行的工作与职业

北美、欧洲和中国最大规模的屋顶太阳能电站以及在加拿大和中国最大规模的地面安装项目。Equinox将进一步延续解决方案创新的传统，并将保证大型太阳能设施所有者和运营商能够分步骤改善电站的性能
。” 　　Equinox 500千瓦解决方案将于6月9-11日在慕尼黑Intersolar太阳能欧洲展的B4.270号Satcon展亭内展出。　　关于Satcon 　　Satcon技术公司是针对可再生能源

2010年中期投产。杜邦公司电子和通信技术部表示，此次扩能是Tedlar聚乙烯氟化物（PVF）薄膜业务增长的重要步骤，并可长期保持本公司在太阳能板底板生产中的市场领先地位。杜邦公司在纽约州Buffalo
的创新能力。杜邦公司电子和通信技术部副总裁David B. Miller在2009年3月中旬召开的第七届全球清洁技术会议上表示，光伏技术现处于发展中的幼年时期，这一市场的发展机遇之路是宽阔的。杜邦公司