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索比光伏网讯:路透香港4月8日电---汤森路透旗下基点报导,银行业消息人士称,台湾上市企业、太阳能多晶矽锭和矽晶片制造商达能科技有限公司(3686.TW: 行情)三年期贷款金额由25亿台币提高至27
分,A部分为15亿台币定期贷款,用于资本支出;B部分为6亿台币定期贷款,用于再融资;C部分为6亿台币循环贷款,用于营运资本.A部分贷款期限可选择延长两年.贷款由达能科技董事长担保,初始利率为较次级市场

索比光伏网讯:路透香港3月1日电---汤森路透旗下基点报导,银行业消息人士称,委托主办行、额度管理行兼代理行--第一商业银行上周五启动太阳能矽晶片厂商旭晶能源科技(3647.TWO: 行情)的40亿
台币五年期联贷案.贷款由旭晶董事长担保,分为两个部分,A部分为35亿台币的定期贷款,用于资本支出,B部分为5亿台币循环贷款,用作营运资本.A部分较次级市场商票利率加码120个基点,担保品是土地、工厂与

* 第一季营收超过分析师预估* 预计第二季营收按季持平至增长5%* 股价盘後持稳路透旧金山2月24日电---全球最大晶片设备生产商应用材料(Applied Materials)(AMAT.O: 行情
)周四公布季度营收略高于预期,因移动设备炙手可热,支持了对微晶片的需求,且公司太阳能业务获利能力增强.应用材料公布,截至1月30日的会计年度第一季营收为26.9亿美元,上年同期为18.5亿美元,根据汤

太阳能电池出货量至少分别为1.5吉瓦和2.2 吉瓦。年前部分股有望一飞冲天! 秘闻!行情近期将出现逆转机构资金流向已发生巨变! 主力资金正密谋全新布局　　内部晶片生产成本降低提升利润率　　尚德宣布
进一步扩大内部晶片产能，计划到2011年末增至1.2吉瓦，可产出1吉瓦满足50%的国内需求。尚德预计，随着内部晶片生产成本降低大约0.25美元/瓦，公司毛利率可增至20-22%。　　子公司投资基金

E.D.B.的这项举措是新加坡政府2009年9月宣布的国家规划的一部分，将投资10亿新元，到2015年把新加坡建设得更绿色、更具能效新加坡经济发展委员会(E.D.B.)将斥资6.8亿新加坡元
。该委员会表示，除了新加坡具备领导亚洲太阳能市场的联动效应外，新加坡还有着制造太阳能晶片、电池和组件的能力。这些都将使新加坡在太阳能工业领域居于领先地位。 “我们将用这笔资金提升我们的研究能力，并逐步

。这些树脂可由用户挤压成薄膜，用于封装置于平整玻璃外壳内的硅晶片。EVA有光学透明度，能与玻璃和硅的折射指数相匹配，因而可降低反射。它也与电池内的组件固定在一起，为光伏板提供物理强度。　　中国
薄膜金属化处理糊剂，应用于光伏太阳能电池前端金属化处理。据称，Solamet PV159薄膜金属化处理糊剂可使带有浅层射极的晶片效率提高0.5%，对许多其他晶片/射极类型也有很大改进。杜邦

* 第一季每股盈馀0.06美元,营收增至18.5亿美元 * 股价盘後交易中上涨2% 路透旧金山2月17日电---全球最大晶片设备生产商应用材料(Applied Materials)(AMAT.O
/B/E/S的分析师预估. 业绩公布後,应用材料在盘後交易中一度上涨近2%至13.21美元. 该公司还预计,不包括主要并购相关费用在内,第二季EPS或为0.17-0.22美元,据汤森路透I/B/E/S,分析师平均预估该公司第二季EPS为0.15美元. (完)

所提升。这意味着中国的半导体材料生产企业有着广阔的市场前景。　　周青云表示，半导体集成电路和半导体分立器件的主要原材料是硅单晶片，而生产硅单晶片的主要原材料是多晶硅，近几年多晶硅出现了供不应求的紧张局势
采用的P型(100)单晶，要解决B-O络合物对电池转换效率衰退的原理，单晶要解决大直径低氧工艺；明确原料中三、五族杂质补偿度对太阳能电池质量的影响定量关系。在LED领域首要解决晶体生长工艺和量产及外延工艺。

想的一个理想结果是，四川多晶硅项目投产后，前期产品继续搭乘暴利快车，一段时间之后，多晶硅价格回落，而四川多晶硅通过打通产业链和利用新技术降低生产成本，继续保持竞争力。 B四川力量将催生国际级巨头
明确提出鼓励发展新型太阳能电池及其材料。在鼓励投资的新材料类中增加了8英寸及以上单晶硅、多晶硅及晶片制造等内容。本地资源丰富综合成本处全国中下游如果说多晶硅是一个孩子，那么要吃的“奶”则

一. 硅片的化学清洗工艺原理　　硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类：　　A. 有机杂质沾污：可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。　　B
杂质沾污有两大类：　　a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。　　b. 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般

的电子元件。CZ法所以比FZ法更普遍被半导体工业采用，主要在于它的高氧含量提供了晶片强化的优点。另外一个原因是CZ法比FZ法更容易生产出大尺寸的单晶硅棒。　　目前国内主要采用CZ法　　CZ法
取试片测量单晶硅棒的电阻率含氧量。　　切断的设备：内园切割机或外园切割机　　切断用主要进口材料：刀片　　外径磨削：由于单晶硅棒的外径表面并不平整且直径也比最终抛光晶片所规定的直径规格大

％的填充因子和20．8％（AM1．5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术
。（3）De1aware大学多晶片状硅制造技术该技术基于液相外延工艺，衬底为廉价陶瓷。陶瓷衬底可以重复使用。在电池制作中采用了Al和POC13，吸杂和低温PECVD-Si3N4，钝化技术