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(a)。从图1(b)可以证实，在AAO膜底部的氧化铝阻挡层已彻底除去，这使膜能用作真空蒸发时的遮蔽掩膜。AAO的孔径及厚度可以分别用调节孔加宽处理和第二次阳极氧化的加工时间控制。本研究中用的AAO膜的
，组成CdS／CIGS异质结太阳能电池。CdTe薄膜太阳能电池CdTe／CdS异质结薄膜太阳能电池简称CdTe薄膜太阳能电池。它是以p型CdTe和n型CdS为异质结。一般标准的CdTe薄膜太阳能电池的结构

组件所采用。Sanyo和Sunpower公司生产的PV组件多年来是这一规则的例外，他们采用n型硅片作为基材得到高效率电池：Sanyo是HIT（具有本征层的异质结）电池，Sunpower是IBC（叉指背
忽略不计。在p-Cz材料中由于光照会形成B-O络合物，这在氧中是相当富集的，使材料的体载流子寿命降低。这将严重限制用这些硅片能得到的高效率。第二，发现n型材料对过渡金属杂质（例如Fe）灵敏度低得多。这使n

近期发表的光伏电池技术正面电极金属浆料材料的专利。在提交联邦法院的文件中，杜邦公司宣称，贺利氏及SolarWorld制造、销售或采用贺利氏正面电极银导电浆料，已侵害杜邦公司美国专利8158504 B2号
。杜邦公司投入大量资源，以科学创新应对全球挑战，并通过完善的专利制度保护其知识财产。杜邦电子与通讯事业部总裁戴维米勒（David B. Miller）表示。我们在正面及背面电极金属浆料技术领域的领先

示于图1。可以看到，对于5m厚CdTe太阳能电池来说，吸收层由直径1-3m的密集堆积的CdTe晶粒组成。CdTe结晶质量高以及形成的CdTe/CdS异质结好使得能量转换效率高达13.2%，如图2
(a)所示。对于0.5m厚CdTe太阳能电池来说，见图1(b)和(d)，CdTe晶粒尺寸几乎减少一个数量级，为0.2～0.7m。太阳能电池效率是4.7%。如以后要讨论的，效率的降低是因为晶粒比较小的CdTe

，Taiwan 　这些年来，对晶硅（c-Si）和氢化非晶硅（-Si:H）组成的异质结太阳电池的关注不断增加。与常规的c-Si同质结比较，-Si:H/c-Si异质结有几个优点：⑴ 太阳电池效率高，超过
（ECR-CVD）制备异质结太阳电池。ECR-CVD具有以下几个好处：改善淀积工艺的控制、对生长薄膜的离子损伤少、等离子密度高以及有可能得到高淀积速率。许多作者已经报道了用ECR-CVD在低温下淀积微晶(c

不断移动，人们相继提出许多新的光学课题：例如，a）如何将移动中的太阳光均匀地聚集在某一面，让光电池更有效地发生电力；光学就从成像光学走向无光像光学。b）如何既聚集来自太阳的直射光，又聚集相当部分的散射光
%。由砷化镓薄膜制成的光电池，也做到了28.2%。 b）居于第二位是硅基光电池。其单晶的转化率由历史上的17%上升到25.0%，其单晶+92倍聚光的光电池转化率，已上升到27.6%。但多晶硅

，相当于p型半导体的共轭高分子，与相当于n型半导体的电子受体分子（低分子化合物）混合，构建成这一混合物的相分离，形成所谓整块异质结相分离的随机结合界面。电介质薄膜可补偿整块异质结薄膜上的整流性，电介质
界面的整块异质结。引入这一相分离结构，是因为有机薄膜太阳能电池经过了激励子（exciter）的扩散。OTFSC首先是由共轭高分子或者电子受体分子的光吸收，产生激励子。然后，p型或n型激励子，在具有整块

LG电子发布了组合异质结构造和背接触构造的单元研究成果（a）。阿特斯在金属贯穿式背电极构造的单晶硅单元上实现了19.5％的转换效率（b）。三洋电机领先一步
（注2）。图2：在异质结和背接触方面争夺转换效率

%，用MOCVD方法在p／p+-Si电极表面覆盖TiO2薄膜形成异质结结构，不仅提高了光稳定性能，而且在一定电压下光电流增大了10倍。用同样的方法覆盖-Fe2O3，和ZnO薄膜也得到了类似的结果。用LB
了更大的光电流，说明铱和钴的联合作用比单一催化剂有更好效果，ZnO电极只能吸收紫外光用染料罗丹明日B进行光谱敏化，明显增加了可见光波长区（400nm－700nm）的光电流。-Fe2O3薄膜电极用二茂铁化学

。n型半导体采用富勒烯衍生物、p型半导体采用聚3-己基噻吩（P3HT）形成体异质结构造。该材料类和结构本身在有机薄膜太阳能电池中很常见，但英特尔将电极制成了梳齿状并嵌入内部，使电子更易流动的同时，还
进行了提高体异质结构造规则性的控制，从而提高了转换效率。　　英特尔在从事现行太阳能电池业务的同时，还在该公司主办的展会上作为新一代技术展示了有机太阳能电池的试制品。虽然并未公布研究细节及成果，但从解说

数量级，可能发展为叠层钝化膜，如SiO2-SiNx、a-Si-SiNx等。光衰减效应的研究是维持电池稳定、高效的前提。目前对这方面的研究主要还是基于体材料内部B-O复合体来开展，进一步的
质量有很高要求，量产效率可达19%～20%。 2.HIT(非晶硅锗混合型异质结)电池：由日本三洋公司研发，以高质量超薄非晶硅层包裹在单晶硅外表面来降低表面复合而形成的异质结电池，研发

太阳电他的整个发展历程中，先后出现过各种不同结构的电池，如肖特基（Ms）电池，M1S电池，MINP电他；异质结电池（如ITO（n）／Si（p），a-Si／c-Si，Ge／Si）等，其中同质p-n结电池
）表面织构化电池——也称绒面电池，最早（1974）也是为通讯卫星开发的。其AM0时电池效率η≥15％，AMI时η＞18％。这种技术后来被高效电他和工业化电池普遍采用。（4）异质结太阳电池——即不同