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首先从SunPower的一项研究讲起。在2010年左右，SunPower开始测试使用减反射膜玻璃封装的组件，减反射膜的材料为多孔二氧化硅。通过普通的组件测试仪测量，在标准测试条件下（STC
方法潜藏着怎样的问题的，让我们来思考下面三个问题。　　图1.传统系统发电量预测计算流程【1】下面两个组件所受的太阳辐照度相同，但（a）的辐照垂直于组件，（b）太阳光斜入射组件，他们的发电功率相同吗

来看看庐山真面目钙钛矿（Perovskite）泛指一类陶瓷氧化物，由于存在于矿石中的钛酸钙（CaTiO3）化合物最早被发现，因此而得名。后来钙钛矿成为固体物理里面对这一类晶格类型的称呼，其分子通式为ABX3，A，B
晶格的A、B、X位置，由此构成三维结构。为了方便起见，大概就约定俗成为钙钛矿型（或钙钛矿结构）太阳能电池。但是有的媒体报道的时候，因为不了解缘由，直接说成钙钛矿太阳能电池，甚至引出钛酸钙

、2009年修订的《中华人民共和国可再生能源法》。它从立法角度确立了发展光伏等可再生能源产业的重要战略地位，标志着我国可再生能源开发进入到了一个新阶段，此阶段的光伏产业政策，统称为政策B。 1.研究框架
笔者将以该框架来界定推动和制约我国光伏产业政策变迁的外生变量，并分析子系统外影响因素是如何推动我国光伏产业政策从政策A变迁到政策B的。在对子系统外影响因素的分析过程中，将采用金登的多源流

《中华人民共和国可再生能源法》。它从立法角度确立了发展光伏等可再生能源产业的重要战略地位，标志着我国可再生能源开发进入到了一个新阶段，此阶段的光伏产业政策，统称为政策B。1.研究框架所谓政策变迁是指一个
我国光伏产业政策变迁的外生变量，并分析子系统外影响因素是如何推动我国光伏产业政策从政策A变迁到政策B的。在对子系统外影响因素的分析过程中，将采用金登的多源流理论中问题源流、政策源流和政治源流的概念。同时，将

钙钛矿（Perovskite）泛指一类陶瓷氧化物，由于存在于矿石中的钛酸钙（CaTiO3）化合物最早被发现，因此而得名。后来钙钛矿成为固体物理里面对这一类晶格类型的称呼，其分子通式为ABX3，A，B，X
A、B、X位置，由此构成三维结构。为了方便起见，大概就约定俗成为钙钛矿型（或钙钛矿结构）太阳能电池。但是有的媒体报道的时候，因为不了解缘由，直接说成钙钛矿太阳能电池，甚至引出钛酸钙（CaTiO3）来分析

、2009年修订的《中华人民共和国可再生能源法》。它从立法角度确立了发展光伏等可再生能源产业的重要战略地位，标志着我国可再生能源开发进入到了一个新阶段，此阶段的光伏产业政策，统称为政策B。1.研究框架所谓
子系统外影响因素是如何推动我国光伏产业政策从政策A变迁到政策B在对子系统外影响因素的分析过程中，将采用金登的多源流理论中问题源流、政策源流和政治源流的概念。同时，将探讨我国光伏产业政策通过子系统内部

（a）取决于扫描条件的电池迟滞效应和（b）统计40块不同批次（小面积）电池性能的均一性和正反扫差异图4.一批次10块大面积（1.02cm2）电池1000小时连续光照老化测试结果（测试光强：100mW/cm2
，环境温度：25℃，短路情况连续电流输出）（a）归一化效率衰减10%，（b）效率绝对值衰减统计图下一页如图3-4所描述，通过

铟镓二硒电池CIS/CIGS、镉碲薄膜电池CdTe、染料敏化　　电池DSSC生产技术及研究设备　　B、光伏电池：光伏电池生产商、电池组件生产商、电池组件安装商、代理商、经销商及
分销商、聚光电池等　　C、光伏相关零部件：蓄电池、充电器、控制器、转换器、记录仪、逆变器、监视器、支架系统、追踪系统、太阳电缆等　　D、光伏原材料：硅料、硅锭/硅块、硅片、封装

mW/cm2，环境温度：25℃，短路情况连续电流输出）（a）归一化效率衰减10%，（b）效率绝对值衰减统计图如图3-4所描述，通过简单改变扫描条件即可消除迟滞效应、以及良好的稳定性是保证我们的
与封装强度也有关。通过成分调控将CH3NH3PbI3钙钛矿材料的结晶温度（反之也是晶体退化温度）从目前的70-80℃提升到100-120℃以上，并采用更可靠的封装方式避免湿气的缓慢渗透，将有可能得到寿命

。另外，硅片切割环节因为切割的厚度以及破片率等方面的要求较高，进入也存在着一定的壁垒问题。相对而言，单晶硅拉制或是多晶硅定向浇铸、组件及系统封装与应用进入壁垒较低。目前，晶体硅光伏发电产业呈现出倒置
下调。市场需求稳定，国内电站需求带动，组件出货较好，企业普遍表示库存处于低位，有些大厂无论是降级组件还是B级组件，基本都没有库存，而且订单还有缺口。企业短期内订单基本无压力，短期订单价格也试探报涨，但是

。相对而言，单晶硅拉制或是多晶硅定向浇铸、组件及系统封装与应用进入壁垒较低。目前，晶体硅光伏发电产业呈现出倒置漏斗的形状。光伏发电产品市场的发展速度远远超过了上游产业的发展，引起这种状况的主要原因是由于
（205W）组件一线企业价格无明显变化，二三企业报价略有下调。市场需求稳定，国内电站需求带动，组件出货较好，企业普遍表示库存处于低位，有些大厂无论是降级组件还是B级组件，基本都没有库存，而且订单还有

，还会导致太阳电池甚至是组件的封装材料损坏，缩短组件使用寿命。为了消除热斑效应，目前常用方法是在组件中加入旁路二极管。以晶体硅太阳电池组件为例，让多片串联的太阳电池反向并联一个或多个旁路二极管，当
%、75%、100%遮挡后的输出特性曲线。 (a)I-V曲线;(b)P-V曲线随着组件中单片电池受遮挡面积的逐步增大，开路电压Voc、短路电流Isc几乎不变。由于组件中并联有两组旁路二极管，故受到

)。热斑效应不但使太阳电池性能失配和输出性能下降，还会导致太阳电池甚至是组件的封装材料损坏，缩短组件使用寿命。为了消除热斑效应，目前常用方法是在组件中加入旁路二极管。以晶体硅太阳电池组件为例，让多片串联的
2 组件KC50T-1单片太阳电池受到0%、25%、50%、75%、100%遮挡后的输出特性曲线。 (a)I-V曲线;(b)P-V曲线随着组件中单片电池受遮挡面积的逐步增大，开路电压Voc、短路

cm2的器件面积上报道的5.85 %的能量转换效率，刷新了当时大于1 cm2的有机光伏器件的能量转换效率的记录（如图2a-b），且该器件使用的是摒弃了氧化铟锡（ITO）的透明柔性网格银杂化电极（电极衬底
来源于苏州纳格光电技术有限公司）。该团队还着重研究实用型器件制造技术、器件稳定性（图2c）和封装技术等。目前重点研究内容是基于钙钛矿和III-V族半导体的高效大面积薄膜太阳能电池。相关前期研究成果已经

。　　　　OPV比硅类太阳能电池等耐用性差，这是其迟迟得不到实用化的原因之一。虽然降低耐用性的紫外线、水及氧气等因素可通过封装材料等解决，但对于耐热性却没有很好的处理方法。此次开发的技术大幅提高了耐热性，有
。红色折线为HTL采用氧化钨（WOx）的元件，蓝色折线为HTL采用MoOx的元件，　　黑色折线是原来的采用p型半导体材料的元件。（b）是元件构造的概要。　　　　左为原来的

。OPV比硅类太阳能电池等耐用性差，这是其迟迟得不到实用化的原因之一。虽然降低耐用性的紫外线、水及氧气等因素可通过封装材料等解决，但对于耐热性却没有很好的处理方法。此次开发的技术大幅提高了耐热性，有可能
元件，蓝色折线为HTL采用MoOx的元件，黑色折线是原来的采用p型半导体材料的元件。（b）是元件构造的概要。开发出这项技术的是日本理化学研究所创发特性科学研究中心创发分子功能研发组高级研究员尾坂格等人

比硅类太阳能电池等耐用性差，这是其迟迟得不到实用化的原因之一。虽然降低耐用性的紫外线、水及氧气等因素可通过封装材料等解决，但对于耐热性却没有很好的处理方法。此次开发的技术大幅提高了耐热性，有可能
(WOx)的元件，蓝色折线为HTL采用MoOx的元件，黑色折线是原来的采用p型半导体材料的元件。(b)是元件构造的概要。左为原来的p型半导体材料，右为此次新开发的p型半导体材料

类太阳能电池等耐用性差，这是其迟迟得不到实用化的原因之一。虽然降低耐用性的紫外线、水及氧气等因素可通过封装材料等解决，但对于耐热性却没有很好的处理方法。此次开发的技术大幅提高了耐热性，有可能成为加快
，蓝色折线为HTL采用MoOx的元件，黑色折线是原来的采用p型半导体材料的元件。（b）是元件构造的概要。左为原来的p型半导体材料，右为此次新开发的p型半导体材料开发出这项技术的是日本理化学研究所创发特性

。一、降低电势诱生衰减（PID）找准PID的原因，就便于我们采取降低PID的措施。具体包括使用不含钠钙的特殊玻璃，采用高电阻率的封装材料；优化减反射层；降低电池片方块电阻，优化扩散工艺，使磷
后会产生效率衰减，研究表明，掺硼太阳能电池的衰减与B-O复合体在少数载流子的激发下形成有关。所以，降低LID主要从降低硼含量和氧含量入手。（1）降低B（硼）含量尽管光衰强度与光照强度和补偿度

组件制造厂商来说，克服我们下面要介绍的内容，这是一个表，从电池，有这么几种技术，电池的结构，节约钱，当然就是说，我要采用其他一些电池结构，还会来PID效果会更好一些，组件，封装玻璃，这是电池就两个方面。组件
看，标准的EVA集中比较好的，就是那种快速的教研的这种，有序密度比较高，效果比较好，这种抗BIB，也是BO材料，BO材料也能起到抗B五效果，高组的或者新型的都可以满足。 LID一个就是说的，基本上如果