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综合

支架位于距等离子室孔25cm处。用涡轮分子泵把等离子室抽到高真空，残余气体压强接近310-6Torr。本研究中只报导生长p+薄膜，用的掺杂气体是硼（B），在氢气中体积浓度为0.5%。工艺气体经ECR区
上的进气口引入工作气体（H2），经位于基座上方的喷淋头引入工艺气体SiH4/Ar/B2H6。用ECR-CVD在n-型直拉 (CZ) c-Si(100)衬底上淀积20nm-60nm厚度的掺B氢化