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，。与传统的H形电池不同，背接触电池设计能减少（或没有）正面上的阴影损失，使电池的短路电流和总效率增加。而且，背接触电池技术在组件级也有成本和效率的好处。本文第一节将对这些进行评论。与背接触
的MWT技术与n型材料结合的优点MWT技术较之标准的H形电池技术有以下优点。首先，由于减少了正面金属覆盖而有上面已经提到的电流增益。此外，更重要的是，因为电池是完全背接触，组件内的集成更容易。基于导电

Energy Co., Ltd.光伏（PV）组件的前玻璃表面上的透明抗反射膜（ARC）是一项成熟的技术，它通过减少空气-玻璃界面的表面反射增加入射光的透射率，这样就增强光的吸收而提高了太阳能电池的转换效率。在
文献中可以找到有可能适用于PV的一些抗反射材料、膜结构和制备技术的评论。现在，ARC的商业应用已在基于c-Si的PV组件规模生产中实现。但是，把ARC应用于串结或多结薄膜太阳能电池的研究还很少见，大多是

90多万度。太阳能是怎样用来发电的?半导体材料具有独特的电子学特性，当太阳光照射在半导体上时，其两个区域的电势会分别升高和降低，从而在外电路中产生电压和电流，将光能转化成电能。并网发电系统可将光伏板上接
太阳能光伏发电的发展方向，是21世纪极具潜力的能源利用技术。并网光伏发电系统有集中式大型并网光伏电站一般都是国家级电站，主要特点是将所发电能直接输送到电网，由电网统一调配向用户供电。但这种电站投资大

（MPPT）跟踪，发挥光伏组件最大发电能力ESI53B500AT 并网逆变器技术参数表隔离方式工频变压器　欧洲效率96.80%推荐最大太阳能电池阵列功率550KWp　允许电网电压范围（三相）310
从事上游的单晶拉棒/多晶铸锭、切方、硅片切割等环节的生产。海润光伏旗下拥有三家全资子公司以及一家控股子公司，专业从事太阳能电池和太阳能电池组件生产，具备了从硅棒（硅锭）硅片太阳能电池片太阳能组件生产的

索比光伏网讯:目前，全世界生产的太阳能电池组件85%以上是基于晶硅，其中大多数是基于p型硅片。在p型硅片上加磷扩散发射极和铝背面场得到了常见的多晶或单晶太阳能电池，为绝大多数（95%）基于硅片的PV
组件所采用。Sanyo和Sunpower公司生产的PV组件多年来是这一规则的例外，他们采用n型硅片作为基材得到高效率电池：Sanyo是HIT（具有本征层的异质结）电池，Sunpower是IBC（叉指背

元件是太阳能电池。太阳能电池经过串联后进行封装保护可形成大面积的太阳电池组件，再配合上功率控制器等部件就形成了光伏发电装置。回顾历史有利于了解光伏技术的发展历程，按时间的发展顺序
。1918年波兰科学家Czochralski发展生长单晶硅的提拉法工艺。1921年德国物理学家爱因斯坦由于1904年提出的解释光电效应的理论获得诺贝尔（Nobel）物理奖。1930年B.Lang研究

索比光伏网讯:为了获得所需的电流电压和输出功率，同时也为了保护电池不受机械损伤和环境损害，必须将若干单片电池串并联连接并封装成光伏" title="光伏新闻专题"光伏组件。一般情况下，封装后的
波段（450nm）的IQE是要高于常规电池的，而如果采用对短波长光截止的EVA，则会造成这部分光不能被高方阻电池吸收，那么封装损失肯定比同效率常规电池制作的组件的封装损失要大。因此，使用不同工艺制作的

都采用深结而不是浅结。浅结电池已成为历史。　　PEsC电池的金属化由剥离方法形成Ti-pd接触，然后电镀Ag构成。这种金属化有相当大的厚／宽比和很小的接触面积，因此这种电池可以做到大子83％的填充
因子和20．8％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高

而不是浅结。浅结电池已成为历史。PEsC电池的金属化由剥离方法形成Ti-pd接触，然后电镀Ag构成。这种金属化有相当大的厚／宽比和很小的接触面积，因此这种电池可以做到大子83％的填充因子和20．8
％（AM1.5）的效率。（B）钝化发射区和背表面电池（PERC）：铝背面吸杂是PEsC电池的一个关键技术。然而由于背表面的高复合和低反射，它成了限制PESC电池技术进一步提高的主要因素。PERC和PERL

，正好能为一个额定电压为12V的蓄电池进行有效充电。目前的光伏元件输出功率大到数百瓦不等。太阳能电池片封装成组件后能够提供足够的机械强度、抗振和抗冲击能力;具有良好的密封性，能够防腐、防风、防雹、防潮;具有
良好的电绝缘性;能够抗紫外线辐射等。其潜在的品质问题可能发生在边沿的密封以及组件背面的接线盒。根据光伏工程安装的需要，当应用领域需要较高的电压和电流而单个组件不能满足要求时，可把多个组件通过串联、并联