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索比光伏网讯:本文主要研究了导致组件CTM损失的可能因素，重点分析了造成单晶组件和多晶组件CTM差异的原因。光学损失和B-O复合之间的差异决定了多晶组件的CTM损失要少于单晶组件，对于硼氧复合损失
组件CTM不同的内在原因。1、组件CTM影响因素影响CTM的因素很多，包括：A.光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和EVA等引起的反射损失。B.电阻损耗，电池片本身的串联电阻损耗、焊带，汇流条本身的

，在大型热场、坩埚等成本取得突破性下降前，单炉投料量进一步做大的实用区间有限。近年来，随着单晶领域连续拉晶、多次加料拉晶、大装料、快速拉晶、节能热场等技术的快速突破与推广应用，先进单晶制造商单炉投料
空间与速度下一页另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池中单晶电池的衰减高于多晶电池，目前随着低氧P型单晶的成功

投料量在800kg左右，已逐步接近规模与成本兼顾的临界值，在大型热场、坩埚等成本取得突破性下降前，单炉投料量进一步做大的实用区间有限。近年来，随着单晶领域连续拉晶、多次加料拉晶、大装料、快速拉晶、节能
晶电池效率绝对值高出6%，每瓦系统可变成本将下降30-40%左右。图3 ITRPV预测未来晶硅电池转换效率提升空间与速度另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池中单晶电池的

月26日 15:00-22:00 　　　　展出内容（展品属类）：　　A、光伏生产设备：　　硅棒硅块硅锭生产设备：全套生产线、铸锭炉、坩埚、生长炉、其他相关设备
铟镓二硒电池CIS/CIGS、镉碲薄膜电池CdTe、染料敏化　　电池DSSC生产技术及研究设备　　B、光伏电池：光伏电池生产商、电池组件生产商、电池组件安装商、代理商、经销商及

的投料量在800kg左右，已逐步接近规模与成本兼顾的临界值，在大型热场、坩埚等成本取得突破性下降前，单炉投料量进一步做大的实用区间有限。近年来，随着单晶领域连续拉晶、多次加料拉晶、大装料、快速拉晶
，提升空间有限。2025年，单晶电池最高转换效率有望比多晶电池效率绝对值高出6%，每瓦系统可变成本将下降30-40%左右。另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池中单晶电池的衰减高于

折旧费、人工费、水电费、辅料费、原料损耗等构成，单炉产出是单晶拉棒与多晶铸锭成本差异的主要原因。目前，多晶铸锭主流炉型G6的投料量在800kg左右，已逐步接近规模与成本兼顾的临界值，在大型热场、坩埚等
晶电池效率绝对值高出6%，每瓦系统可变成本将下降30-40%左右。另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池中单晶电池的衰减高于多晶电池，目前随着低氧P型单晶的成功研发和推广应用成为历史。近年来

炉型G6的投料量在800kg左右，已逐步接近规模与成本兼顾的临界值，在大型热场、坩埚等成本取得突破性下降前，单炉投料量进一步做大的实用区间有限。近年来，随着单晶领域连续拉晶、多次加料拉晶、大装料、快速
，提升空间有限。2025年，单晶电池最高转换效率有望比多晶电池效率绝对值高出6%，每瓦系统可变成本将下降30-40%左右。另外，在品质方面，以往B-O复合体的存在导致P型电池

达到74%，投料量未来可以很容易的达到1500KG甚至更多（国内的赛维早在09年就铸出了1000KG的硅锭），国内洛阳的铸锭企业巨子有19台G8铸锭炉，投料量在1500公斤左右，即将使用赛瑞丹G8坩埚和
B-O复合体的原因，衰减较大，但N型单晶衰减基本为0，可是电池厂如果生产N型单晶电池，需要重新引入设备，投资较大，在现有形势下，期望电池厂大量上N型单晶电池线，难度较大。单晶VS多晶，多晶略胜一筹

有19台G8铸锭炉，投料量在1500公斤左右，即将使用赛瑞丹G8坩埚和同立氮化硅粉进行铸锭生产。即便G6铸锭炉目前能耗8kwh/kg,而单晶能耗目前高达40kwh/kg。另外铸锭是免维护，一月清炉一次
突破20%，因此从性价比看，P型单晶还是不如P型多晶，但是N型单晶电池确实具备一定的优势。P型单晶因为B-O复合体的原因，衰减较大，但N型单晶衰减基本为0，可是电池厂如果生产N型单晶电池，需要重新引入

左右，即将使用赛瑞丹G8坩埚和同立氮化硅粉进行铸锭生产。即便G6铸锭炉目前能耗8kwh/kg,而单晶能耗目前高达40kwh/kg。另外铸锭是免维护，一月清炉一次，一个铸锭工可以看15台铸锭炉;目前单晶
，但是N型单晶电池确实具备一定的优势。P型单晶因为B-O复合体的原因，衰减较大，但N型单晶衰减基本为0，可是电池厂如果生产N型单晶电池，需要重新引入设备，投资较大，在现有形势下，期望电池厂大量上N型

上生产太阳能电池硅片所用的主要方法是直拉工艺。在坩埚中，将半导体级多晶硅熔融，同时加入掺杂剂。在温度可以精细控制的情况下用籽晶能够从熔融硅中拉出大圆柱形的单晶硅。半导体硅的性质依赖于它在制作过程的
多晶硅电池，是硅基高效太阳电池的首选材料。然而，单晶硅内部杂质和晶体缺陷的存在会影响太阳能电池的效率，比如：B-O复合体的存在会导致单晶电池的光致衰减；内部金属杂质和晶体缺陷（位错、同心圆等）的存在会成

（B）的示意图　　 C/C坩埚除用CVD法沉积热解碳外，也可用沉积SiC层。SiC层不仅可填堵表面的孔，而且可缓和它们之间的热膨胀率之差而引起应力导致热龟裂。硅在液相的密度要比固相大，熔融或
单晶硅外，热场材料主要是高纯石墨和C/C复合材料，如坩埚、发热体、保温筒等，以保证单晶硅制品的纯度。图1 大型拉制单晶硅炉的结构 2.2 C/C坩埚　　拉制

1820日地点:广州中国进出口商品交易会展馆B区 PV Guangzhou中国三大太阳能光伏展之一同期举办：光伏扶贫工程及分布式光伏发展论坛组织机构：中国机电产品
、太阳能光伏工程过程控制、工程管理及软件编制系统。 ◆光伏生产设备：硅棒硅块硅锭生产设备：全套生产线、铸锭炉、坩埚、生长炉、其它相关设备；硅片晶圆生产设备：全套生产线、切割设备、清洗

、铸锭炉、坩埚、生长炉、其他相关设备硅片晶圆生产设备：全套生产线、切割设备、清洗设备、检测设备、其他相关设备电池生产设备：全套生产线、蚀刻设备、清洗设备、扩散炉、覆膜设备/沉积炉、丝网印刷
、镉碲薄膜电池CdTe、染料敏化电池DSSC生产技术及研究设备 B、光伏电池：光伏电池生产商、电池组件生产商、电池组件安装商、代理商、经销商及分销商、聚光电池等 C、光伏相关零部件：蓄电池

月22 日 15:00-21:00 参展范围： A、光伏生产设备：硅棒硅块硅锭生产设备：全套生产线、铸锭炉、坩埚、生长炉、其他相关设备硅片晶圆生产设备：全套生产线、切割设备、清洗
、测试设备、玻璃清洗设备、结线/焊接设备、层压设备等薄膜电池板生产设备：非晶硅电池、铜铟镓二硒电池CIS/CIGS、镉碲薄膜电池CdTe、染料敏化电池DSSC 生产技术及研究设备 B

时间:2014年8月2628日地点:广州中国进出口商品交易会琶洲展馆B区参展咨询：安子18520298587 PV Guangzhou中国三大太阳能光伏展之一同期举行2014
、铸锭炉、坩埚、生长炉、其它相关设备；　硅片晶圆生产设备：全套生产线、切割设备、清洗设备、检测设备、其它相关设备；电池生产设备：全套生产线、蚀刻设备、清洗设备、扩散炉、覆膜设备/沉积炉、印刷机

）：国内企业：1000元人民币/平方米外资企业：330美元/平方米展出内容（展品属类）： A、光伏生产设备：硅棒硅块硅锭生产设备：全套生产线、铸锭炉、坩埚、生长炉、其他相关设备硅片晶圆生产设备
：全套生产线、测试设备、玻璃清洗设备、结线/焊接设备、层压设备等薄膜电池板生产设备：非晶硅电池、铜铟镓二硒电池CIS/CIGS、镉碲薄膜电池CdTe、染料敏化电池DSSC生产技术及研究设备B、光伏电池

自主知识产权的FT500、KR650、KR800、KR1000四个系列、多种规格的全自动多晶铸锭炉，其中KR---800B型全自动多晶铸锭炉可投料800Kg，硅锭有效利用率最高可达74%，为客户提高了
销售的上市公司。公司总部位于江苏省金坛市，园区占地面积178,620平方米，拥有八家子公司。公司主要产品包括单晶硅生长炉，多晶硅铸锭炉，MOCVD设备及与之配套的石墨热场、保温材料及石英坩埚，硅棒、多